創浦於SEMICON Taiwan首度展示超短脈衝雷射新應用，可在碳化矽、鑽石等高導熱材料上加工微米級結構，協助半導體業者將冷卻系統直接整合至晶片堆疊內部，因應高效能AI晶片持續升高的散熱需求。記者黃仁杰／台北報導

創浦於SEMICON Taiwan首度展示超短脈衝雷射新應用，可在碳化矽、鑽石等高導熱材料上加工微米級結構，協助半導體業者將冷卻系統直接整合至晶片堆疊內部，因應高效能AI晶片持續升高的散熱需求。

[caption id="attachment_274885" align="aligncenter" width="2560"] 隨著先進封裝朝晶片堆疊與高密度互連發展，運算效能提高的同時，熱源也逐漸集中於封裝內部。（圖／創浦提供）[/caption]

隨著先進封裝朝晶片堆疊與高密度互連發展，運算效能提高的同時，熱源也逐漸集中於封裝內部。過去從伺服器機櫃或資料中心進行散熱的方式，已難以直接帶走晶片堆疊內部產生的熱量，促使微流體冷卻、均熱層等封裝內冷卻技術受到關注。

這類技術的核心，是在靠近熱源的位置設置微型冷卻結構，直接移除晶片運作產生的熱量。不過，要在碳化矽等高硬度材料上製作尺寸極小的通道或結構，傳統蝕刻製程面臨加工速度、精度與成本等挑戰。

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創浦此次展示的超短脈衝雷射，可在碳化矽上進行微米級加工，並透過高功率雷射與光束整形控制結構形狀及表面品質。創浦表示，相較傳統蝕刻製程，這項技術的加工速度至少提高五倍，有助於整合式冷卻結構由實驗驗證走向工業化量產。

創浦雷射技術部門全球半導體與微電子業務發展經理Cathrin Conrad指出，散熱將成為未來AI處理器提升效能的主要限制之一。隨著冷卻位置從資料中心、伺服器一路下沉至封裝與晶片內部，如何量產精密微結構，也將成為先進封裝製程的新課題。

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