本集的《曲博科技教室》將帶領觀眾打開積體電路的大門，深入了解被譽為「台灣之光」的半導體產業。工研院預測今年台灣半導體產值有望回升至全球第二，而台積電在晶圓代工市場更是位居首位。節目中曲博將深入解析台灣如何憑藉國家政策扶植、高素質人才，以及掌握設計與製造分離的關鍵時機，在國際半導體領域佔有一席之地。本集的《曲博科技教室》將帶領觀眾打開積體電路的大門，深入了解被譽為「台灣之光」的半導體產業。工研院預測今年台灣半導體產值有望回升至全球第二，而台積電在晶圓代工市場更是位居首位。節目中曲博將深入解析台灣如何憑藉國家政策扶植、高素質人才，以及掌握設計與製造分離的關鍵時機，在國際半導體領域佔有一席之地。

4. 封裝技術轉型：

5. 國際競爭現況：

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日月光半導體製造股份有限公司與國立成功大學25日於日月光高雄廠國際會議廳舉行「日月光暨成大共研中心」第一屆期末成果發表會，發表低耗能封裝技術、異質整合、矽光子等半導體相關領域，共11件專案成果，並揭示未來3年深化合作的目標。記者李琦瑋／台南報導

日月光半導體製造股份有限公司與國立成功大學25日於日月光高雄廠國際會議廳舉行「日月光暨成大共研中心」第一屆期末成果發表會，發表低耗能封裝技術、異質整合、矽光子等半導體相關領域，共11件專案成果，並揭示未來3年深化合作的目標。

[caption id="attachment_168950" align="alignnone" width="1080"] 日月光攜成大發表半導體相關11項專案成果，並揭示未來3年深化合作的目標。（圖／日月光提供）[/caption]

日月光指出，日月光暨成大共研中心自2024年年初成立以來，結合日月光在先進封裝技術、智慧製造、材料科學與矽光子的產業優勢，以及成大在工程、資訊科學與材料的學術實力，成功推動多項跨領域創新項目。本次發表會中，日月光與成大研究團隊不僅在技術創新上取得了階段性的成果，透過雙方團隊的討論，將這些技術應用於實際生產中探索出了新的途徑，逐步邁向預定的目標。

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成大副校長莊偉哲致詞時表示，與日月光的合作不僅加速了學術研究轉化為實際應用的速度，進一步深化雙方的合作關係，不斷尋求在各項關鍵技術上的突破，並全心致力於將這些創新技術迅速且有效地轉化為具有實際產業價值的應用成果，為產業的發展貢獻力量，更為臺灣的產業升級與永續發展提供了重要助力。

日月光總經理李俊哲提到，在過去的一年裡，日月光與成大憑藉密切的協同合作，完成低耗能封裝技術、異質整合、矽光子等領域等共11件專案，有效解決了傳統技術面臨的瓶頸，從2024至2027年日月光出資5000萬元積極支持合作計畫，欣見共研中心推動更多的討論與計畫執行，產學攜手共築壯大半導體能量的願景。

展望未來，李俊哲說，雙方將繼續致力於能源管理解決方案的開發，優化資源使用效率，並推動異質整合先進封裝技術的持續創新與發展。同時，產品硬體設計將追求更高效能與更具競爭力的規格及外觀，積極應對市場需求的快速變化，深信隨著合作技術的進步與應用，日月光與成大將共同為半導體產業創造更多領先解決方案，持續引領科技與產業的發展。

日月光暨成大聯合研發中心公布2025至2028年的3大發展方向，其一，建構及深化前瞻基礎技術，深化研發未來十年先進封裝所需要的「能源管理」及｢硬體的規格與外型｣的基礎技術，能源管理涵蓋能源效率技術、低碳材料技術、永續能源技術。

其二，放大前瞻基礎技術及落實產業應用，透過共同研究計劃和技術轉移，將前瞻技術從實驗室走向生產線，確保產品品質、可靠性、成本與效能；日月光擁有眾多的先進封裝型態，連結晶圓代工廠的解決方案，在未來高階運算半導體封裝，實現無處不在的小晶片異質整合互連，為業界提供整合的解決方案。其三為人才培育，雙方將打造臺灣專業封測廠智慧科技人才庫以擴大影響力。

日月光表示，與成大長期緊密合作，包含產學專案及前瞻技術研究合作，共研中心橫跨日月光研發、成大理學院、工學院、電機資訊學院、智慧半導體及永續製造學院的研發能量，一起投入半導體領域，日月光的企業量能結合成大在國際上的重要學術影響力，驅動未來產業發展，永續產學合作新典範。

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台廠首家!氮化鎵廠商鴻鎵科技正式啟動日系供應鏈。鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率半導體元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。

記者／周子寧

台廠首家!氮化鎵廠商鴻鎵科技正式啟動日系供應鏈。鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率半導體元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。

鴻鎵科技與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場，成為台灣第一家與日本大廠合作的GaN廠商，鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充，並通過日本PSE認證；雙方也將持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計今年便可問世。

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鴻鎵科技在半導體相關技術研發上也頗有成就，利用抗靜電技術解決半導體封裝製程中的靜電問題。全球大廠爭相進入2奈米時代，但緊隨而來的是在封裝過程中，將遇到的嚴重靜電效應、生產良率降低等問題。鴻鎵科技針對此類問題，推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，可應用於GaN封裝製程良率提升。

鴻鎵科技表示，公司研發團隊長期致力於半導體等級新材料的研發，而公司最新抗靜電技術，可於金屬材料表面形成一層緻密、耐高溫的抗靜電層，於表面生成高耐磨且壽命長的奈米級鍍膜，精準控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω區間，有效防止靜電的累積。

抗靜電技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還能確保半導體設備在使用中不會受到靜電的影響，提高產品可靠度，以及延長設備使用壽命。除此之外，該技術不受元件尺寸限制，成本也較現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，同時可廣泛應用於半導體製造的製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，受此技術影響，預估今年在先進鍍膜業績上便會迅速見漲。

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英特爾預計在明年要發佈PC用CPU “Meteor Lake”，而且英特爾聲稱它已經引領下一代PC用核心處理器 …

英特爾預計在明年要發佈PC用CPU “Meteor Lake”，而且英特爾聲稱它已經引領下一代PC用核心處理器（Core processor）走到關鍵技術的一個新里程碑。這個消息彷彿在預告英特爾往後晶片設計與製造的方式將會發生重大改變。

關於下一代產品的關鍵技術，在於這次英特爾所採用的是小晶片設計（chiplet design）。這代表以後的處理器不再像是第13代之前的晶片是單一整體的結構，未來Meteor Lake是由英特爾所稱的”tile”四個晶片組成以執行不同功能。這些tile將會使用英特爾Foveros封裝技術。

如此一來，英特爾這樣的晶片設計可以讓工程師選擇哪種製造技術適合晶片。

另外，英特爾的Meteor Lake的tile製程節點Intel 4已經準備好了。這代表英特爾將與台積電、三星的類似技術進行競爭，而根據之前關於台積電可能會成為製造階段的一部分的謠傳，目前英特爾也還沒澄清。

最後，英特爾雖然在過去曾經犯下一些失誤，而讓其他包含AMD在內的競爭對手有機可乘。然而，這次關鍵技術的新里程碑，對於英特爾來說也許是邁向下一個高峰的好機會，而英特爾的五年計畫也將繼續如火如荼的發展以做好準備。（編譯／施毓萱）

資料來源：The Register、The Register

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