記憶體製造商「三星電子」（Samsung）即使在對手尚未發布任何可威脅的新產品時，仍然宣布開始大規模量產具有 …

記憶體製造商「三星電子」（Samsung）即使在對手尚未發布任何可威脅的新產品時，仍然宣布開始大規模量產具有 236 層 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片，這端操作無疑是要將競爭廠商遠遠拋諸於後，穩固龍頭地位。

這款新一代 D NAND Flash 快閃記憶體，命名為第 8 代 V-NAND。擁有 2,400 MTps 的傳輸速度；若是搭配高階的主控晶片時，更有揮灑空間，可幫助消費級 SSD 的傳輸速度輕鬆超過 128GBps。並且這次採用了先進的 3D 壓縮技術，在減少表面積和厚度情況下，同時可以避免通常壓縮時出現的單元間干擾現象。

另外在其生產製造上，與目前現有相同容量的 NAND Flash 快閃記憶體相比，新一代 3D NAND Flash 快閃記憶體可以提高超過 20% 的產出率，在提高良率的情況下代表降低成本降低，也許最終會反饋在末端售價上，讓消費者直接受益。

三星技術執行副總裁就聲稱，市場對於更密集、容量更大的儲存需求持續增加，帶動了更高的快閃記憶體層數發展。透過第 8 代 V-NAND 快閃記憶體可以滿足快速成長的市場需求。

不僅如此，三星面對快閃記憶體發展更是誇下豪語，預計在 2030 年之際，打造出 1,000 層的 V-NAND Flash。並且為了滿足達成這一目標，正在從當前的 TLC 架構轉換成 QLC 架構，來支援提高密度，讓層數往上疊加。期待持續的創新與研發，繼續擔任市場領導者地位。（記者／劉閔）

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