AI從模型訓練一路擴展至推論、代理式AI、邊緣AI及實體AI，運算需求並非前後取代，而是不斷向上疊加，也讓晶片產業下一階段的競爭，逐漸從「算得多快」轉向「每一瓦電能算多少」。應用材料（Applied Materials）今（3）日於SEMICON 2026舉辦技術分享會並指出，功耗、資料搬移及散熱已成為AI系統持續擴張的主要瓶頸，未來必須同步推進先進邏輯、DRAM與HBM，以及先進封裝三大領域的3D微縮，才能持續提升AI能源效率。記者黃仁杰／台北報導

AI從模型訓練一路擴展至推論、代理式AI、邊緣AI及實體AI，運算需求並非前後取代，而是不斷向上疊加，也讓晶片產業下一階段的競爭，逐漸從「算得多快」轉向「每一瓦電能算多少」。應用材料（Applied Materials）今（3）日於SEMICON 2026舉辦技術分享會並指出，功耗、資料搬移及散熱已成為AI系統持續擴張的主要瓶頸，未來必須同步推進先進邏輯、DRAM與HBM，以及先進封裝三大領域的3D微縮，才能持續提升AI能源效率。

應用材料公司集團副總裁暨台灣應材總裁余定陸表示，AI發展從訓練模型、推論、代理式AI一路走向實體AI，各類工作負載並不是依序汰換，而是持續疊加，因此背後的運算與能源需求也同步快速增加。

[caption id="attachment_275215" align="aligncenter" width="1477"] 余定陸表示，AI發展從訓練模型、推論、代理式AI一路走向實體AI，各類工作負載並不是依序汰換，而是持續疊加。（圖／記者黃仁杰攝）[/caption]

余定陸指出，AI運算最核心可拆成運算與資料傳輸。尤其資料搬移必須做到「速度更快、距離更短、耗能更低」，這也正是半導體技術接下來必須解決的問題。相較新增發電設施往往需要漫長建設時間，透過晶片與系統架構改善能源效率，已成為產業不得不面對的方向。

AI晶片不只拚效能 「每瓦Token數」成新指標

應材技術策略副總裁Sree Kesapragada指出，隨著AI系統規模擴大，晶片封裝內部需要進行大量運算，同時在記憶體與處理器之間搬移龐大資料，不僅消耗電力，也產生大量熱能，因此「功耗與系統散熱」已成為AI擴張最主要的兩項瓶頸。

過去晶片產業追求的是單純效能，如今AI系統設計者更關心的是每瓦功耗所能處理的Token數，也就是將運算效能與能源消耗放在一起衡量。

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應材認為，要解決這項問題，創新必須回到半導體晶片層級，並同時推進先進邏輯、先進記憶體與先進封裝。按照應材的技術路徑，包括電晶體、DRAM、HBM及AI系統整合持續朝3D架構發展，未來約15年間，整體能源效率有機會累積提升約1萬倍。

GAA、背面供電接棒 邏輯晶片進入3D微縮

在先進邏輯方面，應材點出兩項主要架構轉折。首先是電晶體從FinFET進一步轉向環繞閘極（Gate-All-Around，GAA），透過閘極從更多方向包覆通道，在元件持續微縮的同時提升控制能力，並降低操作電壓與功耗。

另一項則是背面供電網路（Backside Power Delivery Network）。過去訊號線與供電線路均位於晶圓正面，隨著電晶體密度提升，布線愈來愈複雜，也限制電源線寬度並增加電阻。將供電線路移往晶圓背面，可把訊號與電源分開，降低互連電阻，也讓晶片設計擁有更高彈性。

不過，GAA與背面供電也意味著製程步驟、材料種類及介面數量同步增加，電阻、電容以及製造變異控制難度都隨之上升，製程容忍範圍也變得更窄。這也是材料沉積、蝕刻、改質與整合技術重要性持續提高的原因。

資料顯示，未來幾年先進邏輯製程預估將占整體邏輯晶圓代工資本支出的五成以上。

AI重塑DRAM 邏輯晶片技術開始「下放」記憶體

除了提升運算核心效率，降低資料從記憶體搬往邏輯晶片所消耗的能源同樣重要。

應材指出，AI正在改變DRAM技術演進方向，包括低電阻互連、新材料與更高效能的電晶體等原先在先進邏輯領域發展的技術，正逐步導入先進DRAM。

部分邏輯晶片早在10至15年前導入的材料及電晶體技術，如今開始進入記憶體製程，目的就是提高速度、降低互連電阻，並減少記憶體與運算晶片間資料搬移的能源成本。應材預估，未來DRAM製程設備支出將達NAND的兩倍以上，反映AI與HBM帶動的記憶體投資結構轉變。

先進封裝進入「樂高時代」 散熱、翹曲與良率都是難題

當邏輯與記憶體分別完成升級後，最終仍必須透過先進封裝整合。

Sree Kesapragada形容，目前客戶正在將不同晶粒如同「樂高積木」般排列組合，尋找能源效率更高的AI系統架構，因此先進封裝正處於快速變化階段。

[caption id="attachment_275217" align="aligncenter" width="1477"] Sree Kesapragada形容，目前客戶正在將不同晶粒如同「樂高積木」般排列組合，尋找能源效率更高的AI系統架構。（圖／記者黃仁杰攝）[/caption]

其中第一項關鍵是互連技術。資料不只需要在2D平面上的不同晶粒之間移動，也要透過微凸塊、混合鍵合及TSV等技術，在垂直方向進行高速傳輸。應材正將過去用於晶圓前段製程的CVD、PVD、CMP及電鍍等能力延伸至先進封裝。

第二項則是晶粒堆疊與混合鍵合，目標是在晶粒對晶粒或晶圓對晶圓整合時維持足夠高的良率。

第三項則是製程控制。先進封裝使用的往往已是完成製造、價值高昂的已知良好晶粒（Known Good Die），一旦在最後封裝階段損壞，經濟損失遠高於一般製程，因此光學、電子束乃至X光檢測的重要性同步提高。

傳統散熱已不夠 新材料開始進入AI封裝

當更多邏輯與記憶體晶粒被塞入同一封裝，熱管理也成為另一項材料工程挑戰。

應材指出，傳統只從封裝頂部進行冷卻的方式逐漸不足，產業需要新的熱管理材料，從封裝內不同介面把熱能導出，因此應材正開發新的材料及相關整合製程。

另外，隨著金屬層持續堆疊於有機基板或中介層上，封裝翹曲也可能進一步影響良率。業界開始尋找能從晶圓背面沉積介電材料等方式，在進入封裝前先補償翹曲。

另一方面，為整合更多運算、記憶體與互連元件，客戶也開始探索更大尺寸的面板級封裝。應材表示，公司過去在顯示器設備累積的大面積CVD及電子束等技術經驗，正逐步被移植至面板級先進封裝。

半導體創新等不起15年 應材押50億美元EPIC中心

然而，真正讓AI晶片面臨壓力的並不只有單一製程技術，而是「創新速度」。

應材指出，過去一項重大半導體技術從大學研究、論文發表、設備開發、客戶共同驗證，最後走進量產，往往需要10至15年。但AI能源效率問題已無法再等待另一個10至15年的研發周期。

為此，應材投資50億美元打造設備與製程創新暨商業化（Equipment and Process Innovation and Commercialization，EPIC）中心，希望把晶片製造商、設備業者、材料供應商、學術及研究機構拉進同一平台，在更早階段共同開發。應材預期，透過這項模式，可讓技術從創新走向商業化的時間縮短一半以上。

余定陸表示，應材的策略並非單純提供一台設備，而是利用跨越多項製程技術的產品布局，同時進行不同製程與材料開發，避免傳統「A做完才能做B、B完成再做C」的線性開發模式。

他強調，沒有任何一家企業能單獨解決AI能源效率問題。從晶片設計、材料、設備、基板到製造端都必須共同參與，而台灣同時具備先進晶圓製造與先進封裝聚落，正處於這波AI晶片架構轉變的核心。

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應用材料公司今（20）日宣布，美國加州大學柏克萊分校將以研究合作夥伴身分加入矽谷EPIC中心，與應材的科學家及工程師合作，共同加速對人工智慧運算至關重要的材料工程與製程創新。記者黃仁杰／台北報導

應用材料公司今（20）日宣布，美國加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）將以研究合作夥伴身分加入矽谷EPIC中心，與應材的科學家及工程師合作，共同加速對人工智慧運算至關重要的材料工程與製程創新。

[caption id="attachment_260931" align="aligncenter" width="1536"] 應用材料公司今（20）日宣布，美國加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）將以研究合作夥伴身分加入矽谷EPIC中心。（圖／AI生成）[/caption]

應材半導體產品事業群總裁帕布‧若傑（Prabu Raja）表示，EPIC中心的設立旨在貼近產業製造需求的高效率研發環境中，匯聚來自產業與學術界人才，共同大幅加速下一代半導體技術研發和商業化。少有機構能像加州大學柏克萊分校一樣，對現代晶片製造帶來如此深遠的影響。此次透過EPIC中心擴大研究合作，將強化從實驗室到量產的創新流程，並建立培育未來數十年產業所需半導體人才的重要平台。

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加州大學柏克萊分校長期致力於將基礎研究成果轉化為半導體產業技術，於1962年成立首座專門從事積體電路原型設計的研究實驗室。此後數十年間，該校催生多項影響深遠的突破性創新，其中包括SPICE電路模擬器和鰭式場效電晶體（FinFET），後者更成為當前全球先進邏輯製造的基礎。

加州大學柏克萊分校工程學院院長Mark Asta表示，加州大學柏克萊分校研究人員的開創性突破與創新成果，推動半導體晶片技術進步，促成運算能力指數級成長並開啟人工智慧時代。EPIC中心讓研究型大學得以更早接軌最新、且與產業同步的半導體製程設備與技術，加速將其創新成果轉化至商業應用。期待雙方邊研發合作，共同推進研究創新，並培育新一代工程人才。

應材與加州大學柏克萊分校已透過半導體研究合作和共享實驗室資源，建立密切合作關係，包括與柏克萊新興技術研究中心（Berkeley Emerging Technologies Research； BETR）和社會發展前瞻科技研發中心（Center for Information Technology Research in the Interest of Society；CITRIS）的合作計畫。眾多校友目前於應材擔任工程師、科學家和管理職務，應材每年也持續延攬該校優秀人才。雙方同樣扎根於矽谷創新生態系，讓創新構想、人才與設備資源得以在校園與產業間順暢流動。

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台灣應用材料公司長期投入 STEM （科學、科技、工程、數學）教育公益十餘年，致力透過教育啟發下一代創新人才。作為材料工程解決方案領導企業，應材結合其在半導體領域的技術專長與產業影響力，持續攜手教育與公益夥伴推動半導體科普教育。「應材苗懂計畫」邁入三周年之際，新竹家扶中心正式加入半導體科普教育聯盟網絡，同時，應材也支持長期合作夥伴 LIS 情境科學教材，發展一系列數位學習資源，拓展教育資源的觸及，將優質 STEM 教育資源帶給更多教育工作者與學生，持續擴大影響力。記者黃仁杰／台北報導

台灣應用材料公司長期投入 STEM （科學、科技、工程、數學）教育公益十餘年，致力透過教育啟發下一代創新人才。作為材料工程解決方案領導企業，應材結合其在半導體領域的技術專長與產業影響力，持續攜手教育與公益夥伴推動半導體科普教育。「應材苗懂計畫」邁入三周年之際，新竹家扶中心正式加入半導體科普教育聯盟網絡，同時，應材也支持長期合作夥伴 LIS 情境科學教材，發展一系列數位學習資源，拓展教育資源的觸及，將優質 STEM 教育資源帶給更多教育工作者與學生，持續擴大影響力。

[caption id="attachment_252518" align="aligncenter" width="1920"] 應材企業志工帶領新竹家扶孩童體驗積木教材，探索半導體製程原理，激發對科學的好奇心。（圖／應材提供）[/caption]

應材集團副總裁暨台灣區總裁余定陸表示，台灣是全球半導體創新的重要基地，而人才是驅動產業發展的核心。應材深耕台灣 36 年，我們相信教育是孕育創新的起點，透過啟發下一代探索科學與工程的熱情，進而理解驅動世界運轉的關鍵科技。「應材苗懂計畫」攜手教育與公益夥伴，激發學生對科學的好奇心，共同支持台灣科學與工程人才生態系的發展。

自 2023 年攜手國立臺灣科學教育館、LIS 情境科學教材，以及 TFT 為台灣而教等教育與公益夥伴成立半導體科普教育聯盟以來，台灣應材持續透過「應材苗懂計畫」推動半導體科普教育，串聯產業、教育與公益資源。如今該計畫邁入三周年，深度接觸超過 1,500 名學童、家長與教育工作者；推出的一系列數位學習資源亦累計近九萬次觀看。該計畫也憑藉其在教育推廣與永續發展上的成果，連續榮獲台灣指標性永續獎項肯定。

今年，新竹家扶中心正式加入「應材苗懂計畫」，攜手 LIS 情境科學教材及應材企業志工，將半導體科普教育拓展至社區與更多家庭。透過應材串連，新竹家扶中心與 LIS 情境科學教材更計畫將單次半日學習體驗升級為兩日科學營，為學童打造更完整豐富的學習旅程。教材內容亦持續升級，從首發課程「IC 積木與半導體四大關鍵製程」拓展為半導體科普系列，涵蓋製程原理、電路基礎邏輯、電控開關及 IC 電路設計。同時，開放IC 積木與半導體四大關鍵製程教案及教學包申請，提升教育資源可近性與學習觸及。

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AI運算需求持續推升半導體製程往更複雜的3D架構演進，晶片製造商正面共同難題，如何在更深、更窄的結構中，仍能精準控制材料沉積與移除？半導體材料工程解決方案大廠應用材料公司（Applied Materials，下稱應材）宣布，推出兩款新晶片製造系統，分別是 Centris™ Spectral™ 氮化矽原子層沉積系統，以及 Producer™ Selectra™ 鉬蝕刻系統，瞄準高深寬比3D結構中的材料工程挑戰，協助邏輯與記憶體晶片在先進節點持續微縮。記者黃仁杰／台北報導

AI運算需求持續推升半導體製程往更複雜的3D架構演進，晶片製造商正面共同難題，如何在更深、更窄的結構中，仍能精準控制材料沉積與移除？半導體材料工程解決方案大廠應用材料公司（Applied Materials，下稱應材）宣布，推出兩款新晶片製造系統，分別是 Centris™ Spectral™ 氮化矽原子層沉積系統，以及 Producer™ Selectra™ 鉬蝕刻系統，瞄準高深寬比3D結構中的材料工程挑戰，協助邏輯與記憶體晶片在先進節點持續微縮。

[caption id="attachment_226482" align="aligncenter" width="1672"] 應材推出兩款新晶片製造系統，瞄準高深寬比 3D結構中的材料工程挑戰，協助邏輯與記憶體晶片在先進節點持續微縮。（圖／AI生成）[/caption]

應材表示，新系統已獲業界領先的邏輯與記憶體晶片製造商採用，並導入先進製程節點的量產製造。換言之，這不只是實驗室技術展示，而是已經進入先進晶圓製造現場的關鍵製程工具。

隨著 AI 晶片對效能、功耗與密度提出更高要求，半導體產業已不再只靠平面微縮推進，而是加速導入 3D 元件架構。然而，當晶片結構變得更深、更窄，傳統沉積與蝕刻技術容易出現材料分布不均、電性變異與良率下降等問題，進而成為先進製程持續推進的瓶頸。

應材半導體產品事業群總裁帕布‧若傑（Prabu Raja）表示，隨著產業不斷突破 AI 運算極限，市場關鍵機會正逐步轉向材料工程領域。從電晶體結構到記憶體堆疊，晶片製造商需要全新方法，在極其複雜的3D架構中精準沉積與選擇性去除材料。

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其中，Centris Spectral氮化矽原子層沉積系統主要瞄準先進3D結構中的均勻薄膜沉積需求。氮化矽是半導體製程中重要的基礎材料，常用於表面保護層、介電隔離與圖案化間隔層等製程。這類薄膜不僅需要在低溫環境下形成，以避免傷害鄰近結構，也必須具備足夠的化學穩定性，才能承受後續製程處理。

但在高深寬比結構中，傳統電漿輔助沉積技術往往難以讓材料均勻分布到結構底部，導致薄膜品質不一致。應材表示，Centris Spectral 透過高密度微波電漿技術，在低溫條件下仍能沉積緻密、均勻的氮化矽薄膜，並降低傳統製程中電漿密度與離子損傷之間的取捨限制。

該技術可應用於 DRAM 與邏輯元件微縮。例如在環繞式閘極電晶體中，該系統可用於接觸結構中的隔離保護層形成，降低關鍵介面處的電阻與電容，進一步提升元件運作速度。

另一款 Producer Selectra 鉬蝕刻系統，則鎖定 3D NAND 持續提高堆疊層數後所面臨的金屬整合挑戰。隨著 3D NAND 走向更高層數，低電阻金屬鉬逐漸被導入字線金屬化製程，但各字線之間必須精準分離，才能避免短路並降低不必要的電容。

過去字線分離多仰賴濕式蝕刻，不過在高層數 3D 堆疊中，液態化學藥劑難以深入高深寬比結構底部，容易造成上寬下窄的蝕刻輪廓，限制元件效能、良率與後續微縮空間。

應材表示，Producer Selectra 鉬蝕刻系統具備高選擇性金屬移除能力，可在整個堆疊結構中實現更均勻的字線分離。透過精密製程控制與先進氣體輸送技術，該系統可改善濕式蝕刻在深層結構中的限制，並強化上下均勻性與輪廓控制。

對3D NAND而言，更均勻的字線分離有助於降低記憶單元之間的變異，進一步改善漏電與資料保存能力。應材指出，Selectra鉬蝕刻系統已完成量產驗證，並將Selectra產品組合從既有的介電材料與矽材料應用，延伸至先進金屬整合領域，未來也可望拓展至NAND、DRAM與邏輯晶圓代工應用。

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AI晶片與先進製程持續推進，半導體製造面臨的挑戰也愈來愈細。當電晶體結構更複雜、線寬更微縮，晶圓表面哪怕只有極細微的殘留物或缺陷，都可能影響良率、效能與可靠度。看似基礎的「晶圓清洗」，正成為下一代晶片能否順利量產的重要關卡。記者黃仁杰／台北報導

AI晶片與先進製程持續推進，半導體製造面臨的挑戰也愈來愈細。當電晶體結構更複雜、線寬更微縮，晶圓表面哪怕只有極細微的殘留物或缺陷，都可能影響良率、效能與可靠度。看似基礎的「晶圓清洗」，正成為下一代晶片能否順利量產的重要關卡。

[caption id="attachment_224153" align="aligncenter" width="1672"] 應用材料公司宣布，SCREEN集團旗下子公司SCREEN Semiconductor Solutions（SCREEN SPE）加入應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化中心（EPIC）。（圖／AI生成）[/caption]

應用材料公司宣布，SCREEN集團旗下子公司SCREEN Semiconductor Solutions（SCREEN SPE）加入應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化中心（EPIC），成為最新創新合作夥伴。雙方將結合SCREEN SPE在晶圓清洗、濕式蝕刻與表面處理的技術能力，以及應材在材料工程、沉積、乾式蝕刻與材料改質等領域的經驗，共同開發適用於先進晶片製造的端到端製程解決方案。

隨著半導體元件結構日益複雜，製程中的每一個步驟都更緊密相連。沉積、蝕刻、離子植入或材料改質後，晶圓表面的潔淨度都會直接影響後續製程能否穩定進行。晶圓清洗是為了要精準控制表面狀態，降低缺陷，讓下一道製程能在更可控的條件下完成。

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應材半導體產品事業群總裁帕布・若傑（Prabu Raja）表示，EPIC中心的目標，是串聯半導體生態系中的客戶與合作夥伴，共同加速新一代半導體技術商業化。他指出，SCREEN SPE的濕式蝕刻與表面處理能力，幾乎與晶片製程的每個關鍵環節都密切相關；透過EPIC中心的合作平台，雙方能共同優化製程方案，協助客戶因應下一個技術世代更加複雜的表面工程挑戰。

SCREEN SPE總裁岡本昭彥（Akihiko Okamoto）則表示，隨著元件結構越來越精密、製程容許範圍持續縮小，濕式蝕刻與清洗技術和相鄰製程步驟之間的介面變得更加關鍵。SCREEN SPE將把清洗、濕式蝕刻與表面處理技術導入EPIC中心，與應材團隊共同評估完整製程流程，協助客戶提升先進元件的效能與可靠性。

這項合作也延續雙方既有的共同研發基礎。應材與SCREEN SPE過去已在紐約州奧爾巴尼的材料工程技術推動中心（META）展開聯合製程研發，並導入SCREEN SPE單晶圓清洗系統，支援薄膜沉積、蝕刻與離子植入等製程前後的清洗優化。此次合作移至全新的EPIC中心後，合作範圍與規模將進一步擴大，讓雙方工程團隊能更密切協作，加快學習週期，並與應材研發計畫更深度整合。

應材位於矽谷的EPIC中心，主打設備與製程創新及商業化，是美國迄今在先進半導體設備研發上最大規模的投資。該中心位於應材矽谷園區，佔地超過18萬平方英尺，定位為半導體生態系的協作樞紐，集結晶片製造商、設備與材料供應商及研究機構，目標是大幅縮短突破性技術從早期研發走向全面量產的時間。EPIC中心預計於2026年開始營運。

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應用材料公司今（13）日宣布，亞利桑那州立大學（ASU）、倫斯勒理工學院（RPI）和史丹佛大學將成為應材位於矽谷EPIC（設備與製程創新及商業化）中心的首批研究合作夥伴。透過與應材科學家和工程師緊密合作，各校研究團隊將投入高速研究計畫，涵蓋先進材料、創新製程和裝置技術，以及晶片架構革新等領域，充分運用產學合作的協同效應，加速下一代 AI 晶片的節能創新。記者黃仁杰／台北報導

應用材料公司今（13）日宣布，亞利桑那州立大學（ASU）、倫斯勒理工學院（RPI）和史丹佛大學將成為應材位於矽谷EPIC（設備與製程創新及商業化）中心的首批研究合作夥伴。透過與應材科學家和工程師緊密合作，各校研究團隊將投入高速研究計畫，涵蓋先進材料、創新製程和裝置技術，以及晶片架構革新等領域，充分運用產學合作的協同效應，加速下一代 AI 晶片的節能創新。

[caption id="attachment_219239" align="aligncenter" width="1536"] 應用材料公司宣布，亞利桑那州立大學（ASU）、倫斯勒理工學院（RPI）和史丹佛大學將成為EPIC中心的首批研究合作夥伴。 （ 圖／AI生成）[/caption]

應材總裁暨執行長蓋瑞‧迪克森（Gary Dickerson）表示，EPIC中心的設立，是在與製造密切相關的高速環境中，集結業界和學術界的頂尖人才投入，藉此大幅加速下一代半導體技術的研發和商業化，而這些技術正是 AI 運算的關鍵基礎。亞利桑那州立大學、倫斯勒理工學院和史丹佛大學加入 EPIC，成為我們的研究合作夥伴，這將強化美國從實驗室到量產的創新渠道，並打造一個強大平台，成為孕育未來半導體人才的搖籃。

應材表示，研究型大學向來是未來半導體材料與製程創新構想的重要來源，而能夠使用先進設備，並實際測試新材料能否與全球領先製造商所用的其他材料成功整合，對於促進這些大學的研發有顯著助益。EPIC中心為大學研究人員提供機會，能在具備產業規模的環境中投入製造相關研究，實現快速迭代優化、加速驗證速度，並讓技術更順利地從研發過渡到實際部署。透過與應材的科學家和工程師合作，學術團隊將能取得先進的設備和製程整合技術，相較過往新材料開發週期縮短數年。

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應材半導體產品事業群總裁帕布‧若傑（Prabu Raja）表示，公司長期與世界頂尖大學保持緊密合作，很高興能透過EPIC中心將合作關係提升至全新層次。亞利桑那州立大學、倫斯勒理工學院和史丹佛大學的加入，將加速半導體產業技術突破的探索與商業化。

亞利桑那州立大學校長Michael Crow表示，身為全美規模最大的工程學院，高度重視與應材間的穩健合作關係，成為其EPIC中心的首批大學研究合作夥伴之一，將進一步鞏固我們與應材在亞利桑那州立大學共享的『材料到晶圓製造中心』的合作成果。

倫斯勒理工學院（RPI）校長 Martin Schmidt 表示，EPIC中心為學生和研究人員提供機會，直接參與產業規模的創新。與應材及其生態系夥伴的合作，能加快半導體材料、裝置和 3D 整合領域從實驗室到晶圓廠的技術突破，同時為學生提供與製造相關的實務經驗，讓他們能立即做出貢獻並引領業界的未來發展。

史丹佛大學工程學院維拉德與貝爾（Willard R. and Inez Kerr Bell）講座教授暨史丹佛SystemX聯盟創始教職員共同主任黃漢森（H.S. Philip Wong）說明，AI呈爆炸式成長，帶動半導體技術持續探索新材料、發明新裝置，EPIC 中心讓我們的學生和研究人員能直接接觸業界規模的工具，並與專家互動，加快探索腳步，獲得引領半導體製造未來發展所需的業界相關經驗。

應用材料公司位於矽谷的全新EPIC中心，是美國迄今在先進半導體設備研發上最大規模的投資。EPIC 旨在大幅縮短突破性技術從早期研究到投入全面量產的商業化時程。按計劃將於今（2026）年開始營運。

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AI 晶片需求持續升溫，全球半導體供應鏈也加速進入深度協作時代。應用材料公司（Applied Materials）今（12）日宣布，將與台積電展開全新合作，雙方將在應材位於美國矽谷的 EPIC（Equipment and Process Innovation and Commercialization）中心，共同開發下一世代半導體所需的材料、設備與製程整合技術，加速 AI 晶片從研發走向大規模量產。記者黃仁杰／台北報導

AI 晶片需求持續升溫，全球半導體供應鏈也加速進入深度協作時代。應用材料公司（Applied Materials）今（12）日宣布，將與台積電展開全新合作，雙方將在應材位於美國矽谷的 EPIC（Equipment and Process Innovation and Commercialization）中心，共同開發下一世代半導體所需的材料、設備與製程整合技術，加速 AI 晶片從研發走向大規模量產。

[caption id="attachment_218871" align="aligncenter" width="1536"] AI 晶片需求持續升溫，全球半導體供應鏈也加速進入深度協作時代。（圖／AI生成）[/caption]

應材表示，這項合作建立在雙方超過30年的合作基礎之上，目標是因應 AI、高效能運算（HPC）與邊緣運算快速成長所帶來的製程挑戰，進一步提升晶片從資料中心到終端裝置的能源效率與運算效能。

應用材料公司總裁暨執行長蓋瑞．迪克森（Gary Dickerson）表示，應材與台積電長期以來建立在高度信任與共同創新的基礎上，而隨著半導體製程進入更高複雜度的新階段，雙方將透過 EPIC 中心更緊密合作，加速關鍵技術開發，協助產業突破先進晶片藍圖面臨的挑戰。

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台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑也指出，隨著每一世代半導體元件架構持續演進，材料工程與製程整合的重要性愈來愈高，而 AI 帶來的全球技術需求，更需要整個產業鏈攜手合作。EPIC 中心正提供一個能夠加速設備驗證與製程成熟的重要平台。

根據雙方規劃，未來合作將聚焦三大方向。首先是在先進邏輯節點中持續提升功耗、效能與晶片面積表現，以滿足 AI 與高效能運算對晶片性能的極致要求；其次是開發新材料與下一代設備，支援愈來愈複雜的 3D 電晶體與互連架構；第三則是透過更進階的製程整合方法，在垂直堆疊與高度微縮的元件設計下，提升良率控制與產品可靠性。

應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，先進晶圓代工技術的推進，已經不能只靠單一企業內部研發，而需要更開放的創新合作模式。透過成為 EPIC 中心的創始合作夥伴，台積電將能更早接觸應材下一代設備與研發團隊，加速從技術驗證走向量產。

EPIC 中心總投資規模預計達 50 億美元，是美國歷來在先進半導體設備研發領域最大規模的投資之一。應材表示，該中心預計今年正式投入營運，目標是大幅縮短半導體新技術從實驗室走向商業量產的時間，協助客戶在 AI 時代搶占製程與產能先機。

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應用材料公司宣布與 ASMPT Limited達成最終協議，將收購其 NEXX 業務。NEXX 是半導體業界領先的大面積先進封裝沉積設備供應商。隨著 NEXX 團隊和產品線的加入，應材將進一步擴展面板級先進封裝技術產品組合，幫助晶片製造商和系統公司建立更大型的 AI 加速器，實現更高的能源效率表現。記者黃仁杰／台北報導

應用材料公司宣布與 ASMPT Limited達成最終協議，將收購其 NEXX 業務。NEXX 是半導體業界領先的大面積先進封裝沉積設備供應商。隨著 NEXX 團隊和產品線的加入，應材將進一步擴展面板級先進封裝技術產品組合，幫助晶片製造商和系統公司建立更大型的 AI 加速器，實現更高的能源效率表現。

[caption id="attachment_217117" align="aligncenter" width="1536"] 應用材料公司宣布與 ASMPT Limited達成最終協議，將收購其 NEXX 業務。（圖／AI生成）[/caption]

隨著 AI 工作負載持續攀升，晶片設計朝向更大規模的小晶片（chiplet）架構發展，整合更多的 GPU、高頻寬記憶體（HBM）堆疊和輸入/輸出（I/O）晶片到單一的先進封裝中。隨著 AI 晶片封裝擴展到 2.5D 和 3D 小晶片堆疊等更複雜的架構，對更大型的中介層和先進基板的需求也隨之提高，進而推動製造形式從 300 毫米矽晶圓，轉向 510 x 515 毫米或甚至更大尺寸的面板規格，促使設計人員打造出更大的 AI 晶片，實現更高的輸出。

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應材是先進封裝技術的領先供應商，持續致力於開發強大的製造系統組合，以加速先進面板基板的轉型，這些系統涵蓋數位微影、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和蝕刻，以及電子束量測和檢測。NEXX 面板級電化學沉積（ECD）技術的加入，將擴大應材的產品組合和目標市場，使其能為細間距 I/O 佈線開發協同最佳化的解決方案，加速 AI 晶片製造商和系統公司的先進封裝技術藍圖。

應用材料公司半導體產品事業群總裁帕布‧若傑（Prabu Raja）表示，NEXX 的加入將進一步鞏固應材在先進封裝領域的領先地位，尤其是在面板製程領域，我們認為這將是未來幾年與客戶共同創新和成長的重要機會。

ASMPT NEXX 總裁Jarek Pisera表示，很高興 NEXX 能加入應用材料公司，透過雙方合作加速運算產業導入大尺寸先進封裝技術，立足於應用材料公司的成功根基，繼續專注於創新、品質和卓越的客戶服務。

併購作業預計在未來幾個月內完成，需滿足慣常的交割條件，但無須經過主管機關核准。交易完成後，NEXX 團隊將併入應材的半導體產品事業群，續留於麻州比勒里卡營運。

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應用材料公司及應用材料基金會在世界各地支持並拓展STEAM（科學、科技、工程、藝術和數學）教育計畫，於2024年攜手全球45個非營利組織扎根STEAM教育，激發孩童們對科學的興趣，2025年在臺灣持續推動「應材苗懂計畫」，將半導體關鍵製程概念融入積木手作課程，激發孩童邏輯思考與創意；與韓國在地教育非營利組織打造科普手作活動及教具，主題包含AI自駕車、智慧居家等等。記者李琦瑋／台北報導

應用材料公司及應用材料基金會在世界各地支持並拓展STEAM（科學、科技、工程、藝術和數學）教育計畫，於2024年攜手全球45個非營利組織扎根STEAM教育，激發孩童們對科學的興趣，2025年在臺灣持續推動「應材苗懂計畫」，將半導體關鍵製程概念融入積木手作課程，激發孩童邏輯思考與創意；與韓國在地教育非營利組織打造科普手作活動及教具，主題包含AI自駕車、智慧居家等等。

[caption id="attachment_170797" align="alignnone" width="1920"] 應材扎根全球STEAM教育，推半導體、AI教育等等，2025年在臺灣持續推動「應材苗懂計畫」。（圖／台灣應材提供）[/caption]

應材指出，十多年來每年投入超過100萬美元支持亞洲地區的STEAM教育計畫，通過與科學教育機構、非營利組織和地方社區合作，提供量身打造的學習體驗，賦能亞太地區學童；這些計畫不僅擴大STEAM教育的多元性，也積極促進員工參與志工服務。

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應材提到，2025年持續推進亞洲地區的STEAM教育計畫，包括在中國推行STEAM公益專案，透過科普讀物《與絲路同行—敦煌石窟中的科技探索》及DIY材料包，激發學童的科學思維；在印度與班加羅爾聯合勸募協會及伯樂林教育基金會合作，建置科學教育基地，帶領偏鄉地區兒童踏入科普世界；在日本側重程式教育，透過日常生活主題、物品及應用程式帶領兒童體驗程式設計思維；在新加坡推動「DFS X 藝術家計畫」，將藝術、設計和數位製造結合，增強跨域學習與創造力。

應材在台35周年，長期支持半導體科普教育，並積極串聯各方單位，打造創新合作模組，包括國立臺灣科學教育館、LIS情境科學教材、TFT為臺灣而教，在臺灣持續推動「應材苗懂計畫」，讓員工及非營利組織共創互動式半導體科普教案，帶進科教館大眾工作坊及高需求地區校園，激發孩童對科學的興趣與探索，同時啟迪年輕世代和教育工作者。

應材指出，「應材苗懂計畫」自2023年底啟動迄今已舉辦14場大眾工作坊及校園營隊，深度接觸逾450名學童、家長及教育者，20名非營利組織合作夥伴的人力、超過100人次的應材志工投入；今年4月起將於台北、新竹、台南三地再舉辦6場次，預計年底前新增觸及400名國中小學童、持續擴大影響力。而應材協力科教館打造的「創新！合作！半導體未來館」，去年迎接超過28萬的參觀人次。

應材副總裁暨臺灣區總裁余定陸表示，「人才是半導體產業的重要基石，應材致力推動高科技創新並支持公益組織的發展與倡議實踐。我們贊助優質的科學教育、鼓勵員工參與志工，並攜手合作夥伴培養未來人才、激發孩童對科學的好奇心。透過STEAM教育，我們為臺灣學童和教育者提供更多能啟發邏輯思考與創造力的優質計畫，為未來世代創新蓄積能量。」

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應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

記者/林育如

應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

應材表示，為了最佳化晶片的面積和成本，愈來愈多客戶運用極紫外光雙重圖案化技術 （EUV double-patterning），來轉印比EUV解析度極限更小的晶片特徵（chip features）。EUV雙重圖案化技術，晶片製造商可將高密度的圖案分成兩半，並產生兩個符合EUV解析度極限的光罩；這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結合，然後蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高晶片特徵的密度，但也增加了消耗時間、能源、材料和水的製程步驟，造成晶圓廠和晶圓生產成本的增加。

為協助晶片製造商在持續縮小設計之際，卻不增加EUV雙重圖案化的成本、複雜性以及能源和材料消耗，應用材料公司與一流客戶密切合作，開發了Centura Sculpta圖案化系統。現在，晶片製造商可以轉印單一的EUV圖案，然後利用Sculpta系統在任何選定的方向拉長形狀，以減少特徵之間的空隙並提高圖案的密度。由於最終圖案是透過單一的光罩所產生，不但降低設計的成本和複雜性，也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風險。

應用材料公司表示，Sculpta系統可以提供晶片製造商以下效益，包括：每月10萬片初製晶圓 （wafer starts） 的產能將可節省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節省約50美元的製造成本、每片晶圓可節約能源超過15千瓦時 （kwh）等。

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理Prabu Raja博士表示，新的Sculpta系統充分證明了材料工程的進步，可以補強EUV微影技術，協助晶片製造商最佳化晶片面積和成本，並解決先進晶片製程日益增加的經濟和環境挑戰。Sculpta系統獨特的圖案成形技術，結合了應用材料公司在帶狀離子束 （ribbon beam） 和材料移除技術方面的深厚專業知識，提供了突破性的創新工具。

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