AI帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，全球最大HBM供應商SK海力士正展開史上最大規模的擴產計畫。公司預計投入7200億美元，在南韓打造號稱全球最大的記憶體工廠網路，押注AI對記憶體的龐大需求將長期延續。記者黃仁杰／編譯

AI帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，全球最大HBM供應商SK海力士正展開史上最大規模的擴產計畫。公司預計投入7200億美元，在南韓打造號稱全球最大的記憶體工廠網路，押注AI對記憶體的龐大需求將長期延續。

[caption id="attachment_253412" align="aligncenter" width="1672"] AI帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，全球最大HBM供應商SK海力士正展開史上最大規模的擴產計畫。（圖／AI生成）[/caption]

過去一年，SK海力士市值已成長超過5倍，目前突破1兆美元。隨著AI資料中心快速擴張，HBM供不應求、價格持續上漲，也正在改變過去記憶體產業高度景氣循環的特性。

根據Counterpoint Research資料，今年第一季SK海力士掌握全球58%的HBM市場，居全球第一；三星電子與美光則分別占21%。

為支應龐大的擴產計畫，SK海力士今年7月赴那斯達克掛牌，募得265億美元，成為外國企業赴美上市史上最大規模募資案。

不過，新掛牌股票近期表現震盪。SK海力士美股自7月14日逼近195美元高點後已下跌約21%，週三收在154.41美元，反映近期AI概念股及晶片類股整體波動加劇。

但股價震盪並未改變SK海力士的擴產方向。這項計畫也是南韓政府更大規模半導體政策的一部分。南韓總統李在明今年6月提出，要在5年內將國內記憶體產量提高一倍，其中也包括三星興建多座大型晶圓廠。

CNBC日前進入SK海力士位於龍仁（Yongin）的半導體聚落，以及清州記憶體晶圓廠，實地觀察公司正在進行的大規模基礎設施建設。

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龍仁新廠高達50層樓 改寫傳統晶圓廠設計

相較美國晶圓廠多採取大面積、單層向外延伸設計，SK海力士在南韓的新工廠則因土地與山地環境限制，選擇往垂直方向發展。

龍仁半導體聚落第一座晶圓廠完工後，建築高度預計相當於50層樓住宅大樓，內部將設置6座無塵室，分布於多個樓層。

HBM是將多層DRAM垂直堆疊而成的高頻寬記憶體，可讓AI處理器快速取得資料，是AI加速器的重要零組件。

但HBM需要大量DRAM晶粒，也因此排擠消費電子使用的一般DRAM供應。隨著輝達等AI業者開始簽署長達數年的供貨合約，記憶體產業過去以短期合約、低毛利商品為主的商業模式也正在改變。

SK集團董事長崔泰源形容目前的記憶體市場競爭「就像一場戰爭」。

他表示，每家公司都想搶購記憶體晶片，因為沒有記憶體，就無法製造AI運算系統與AI晶片。

崔泰源坦言，近期記憶體價格上漲速度太快，希望目前進行中的大規模擴產能夠改善供應問題。

SK海力士今年7月表示，目前已與主要客戶簽署10項長期供貨協議。輝達近期也與SK集團達成規模達5000億美元的合作計畫，其中包括確保穩定HBM供應、共同開發下一代記憶體，並與SK Telecom合作建置新的AI資料中心。

崔泰源還向媒體展示一片晶圓，上面留有輝達執行長黃仁勳寫下的訊息：「Please make more（請多做一點）。」

他表示，自己也會定期與微軟執行長Satya Nadella、Google執行長Sundar Pichai、Meta執行長Mark Zuckerberg等科技業領袖會面。黃仁勳與AMD執行長Lisa Su近幾個月也先後造訪南韓，洽談記憶體供應。

Counterpoint Research研究總監MS Hwang表示，目前SK海力士與三星擴產基地附近的飯店幾乎全部客滿。

他形容：「只要你能想到的大型科技公司，現在幾乎都在韓國簽合約。」

中國記憶體業者崛起 競爭焦點轉向中國

SK海力士目前也在中國營運3座記憶體工廠，但受到美國出口管制限制，無法在中國銷售最先進HBM產品。

另一方面，中國本土記憶體供應商也正在快速崛起，包括近期在上海證券市場掛牌的長鑫存儲（CXMT），都正加快投入AI記憶體市場。

MS Hwang表示，記憶體產業目前已進入新的競賽階段，而「這場競賽現在的對手就是中國」。

南韓政府也因此要求國內半導體業者加快擴廠速度，美國則同步積極增加記憶體產能。

美光同步擴產 SK海力士也評估更多美國晶圓廠

美光目前正在美國愛達荷州Boise投資500億美元興建兩座大型記憶體晶圓廠，其中第一座預計2027年開始生產晶圓；另外在紐約州Clay則規畫投資1000億美元，打造最多包含4座晶圓廠的半導體園區。

SK海力士也正在美國印第安納州West Lafayette興建首座美國生產設施，投資規模約40億美元，預計2028年完成。

不過，印第安納廠主要負責先進封裝，也就是將多顆記憶體晶片進行堆疊與連接，而非前段晶圓製造。

SK海力士在美國原本也已有相關業務。公司2020年以90億美元收購英特爾NAND事業，後續成立Solidigm，目前總部位於加州Sacramento附近。

今年1月，SK海力士重新整合相關業務，並在美國成立規模100億美元的「AI Company」，但目前尚未公布前段晶圓製造計畫。

崔泰源表示，公司近一個多月來一直在研究更多美國設廠地點。

他表示，SK海力士有意願進一步在美國投資，但目前最大的問題是必須找到真正合適的設廠地點。

HBM走向客製化 降低記憶體景氣循環風險

面對高達7200億美元的龐大投資，SK海力士認為記憶體產業正在迎來一個重要轉折點，而下一階段的關鍵就是「客製化HBM」。

過去DRAM多被視為高度標準化的商品，但隨著AI晶片架構愈來愈複雜，HBM開始與AI處理器共同設計，尤其下一代HBM5將進一步加速這項趨勢。

崔泰源指出，輝達希望擁有專屬的客製化晶片，Google也希望取得符合自身AI處理器需求的HBM，因此記憶體已不再只是單純的標準商品。

他表示，這項轉變正在重新定義記憶體晶片的市場地位。

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SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施，進一步擴充AI時代所需的NAND Flash與先進封裝產能，作為韓國總規模約2.1兆美元AI半導體投資計畫的重要一環。記者黃仁杰／編譯

SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施，進一步擴充AI時代所需的NAND Flash與先進封裝產能，作為韓國總規模約2.1兆美元AI半導體投資計畫的重要一環。

[caption id="attachment_227770" align="aligncenter" width="1536"] SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施。（圖／AI生成）[/caption]

SK海力士表示，其中80兆韓元將投入興建代號「M17」的新一代NAND Flash晶圓廠，預計於2029年前完成；另外20兆韓元則將興建先進封裝工廠，預計2027年底前完工。

這也是SK海力士本週宣布100兆韓元投資計畫後，首度公開各項投資細節。

此次投資屬於韓國政府本週公布的大規模半導體發展藍圖的一部分，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士合計將投入約3200兆韓元（約2.1兆美元），涵蓋既有半導體聚落、新建晶圓廠及韓國西南部新半導體園區等多項建設。

韓國總統李在明表示，希望藉由AI及半導體投資，帶動首爾以外地區經濟發展，推動產業與就業機會向地方擴散。

外界近期質疑政府是否施壓企業前往韓國西南部投資，李在明則回應，相關說法屬於「過時的思維」，強調政府目標是提升整體國家競爭力。

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AI推升記憶體需求 NAND與DRAM同步吃緊

近年全球AI資料中心快速擴建，帶動各類記憶體需求同步攀升。

除高頻寬記憶體（HBM）外，NAND Flash及DRAM價格也持續創下歷史新高。

NAND Flash主要負責資料儲存，即使裝置斷電仍可保留資料，廣泛應用於SSD、智慧型手機及AI伺服器等產品。

SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）表示，目前NAND需求持續增加，未來仍可望保持成長，但市場供給仍相當有限，因此公司決定持續擴充產能。

根據規畫，SK海力士將於明年正式動工興建M17晶圓廠。

事實上，今年4月公司已在清州動工興建P&T7先進封裝工廠，未來將專門負責AI記憶體，包括高頻寬記憶體（HBM）等產品的封裝製造。

市場憂AI投資過熱 晶片股同步重挫

儘管SK海力士持續擴產，市場近期對AI投資規模也開始出現疑慮。

受到Meta宣布將出售部分AI運算能力，引發市場對AI算力是否過剩的擔憂，全球半導體股週四同步走弱。

SK海力士股價當日下跌15%，三星電子也重挫9%。

此外，曾成功預測2008年美國次貸危機、電影《大賣空》（The Big Short）主角原型之一的知名投資人Michael Burry，也對韓國本次大規模AI投資提出警告。

根據《華爾街日報》報導，Burry於Substack付費專欄指出，目前AI產業投入的資本規模過於龐大，他質疑未來是否真能產生足夠投資報酬，甚至形容這可能是「泡沫開始破裂的起點」。

不過，SK海力士對市場前景仍維持樂觀。

公司指出，目前AI帶動的記憶體需求仍持續強勁，供給依舊吃緊，因此看好NAND及HBM市場中長期發展。

但SK海力士也強調，100兆韓元投資屬於長期規畫，未來仍將視全球半導體需求、主要客戶資本支出及建廠進度調整投資時程，若市場環境出現重大變化，不排除重新調整相關計畫。

來源：路透社

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台積電加速先進製程布局，為因應AI與高效能運算（HPC）需求爆發，正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。記者黃仁杰／編譯

台積電加速先進製程布局，為因應AI與高效能運算（HPC）需求爆發，正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。

[caption id="attachment_215018" align="aligncenter" width="2048"] 台積電正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。（圖／AI生成）[/caption]

市場消息指出，台積電已正式啟動2奈米量產，並規劃五座先進晶圓廠於今年同步進入產能爬坡階段，顯示其對未來需求的高度信心。此一布局也將支援包括超微新一代EPYC Venice處理器在內的關鍵產品。

在產能規模上，業界預估，台積電2奈米在相同發展階段的產出，將較當年3奈米高出約45%，反映先進製程需求的爆發性成長。整體產能隨擴產完成後，更有望達到3奈米的兩倍規模。

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除了新建產能，台積電也同步推動全球擴張計畫，包括美國亞利桑那、日本熊本與德國德勒斯登等地的晶圓廠持續擴建。同時，公司每年還規劃新增或升級約九座廠房，擴產速度較過去倍增。

需求端方面，AI帶動的晶片需求持續攀升。台積電AI加速器晶圓出貨量已成長11倍，而搭載先進封裝的大尺寸晶片需求也增加6倍。先進封裝技術如SoIC（系統整合晶片）量產時間已縮短達75%，預計到2027年整體先進封裝產能將成長約80%。

在產能供不應求的情況下，部分客戶開始尋求替代選項。近期英特爾晶圓代工業務信心回升，也吸引部分客戶關注，未來有機會成為重要的競爭者。

來源：wccftech

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台積電加速在美國布局先進製程與封裝產能。台積電資深副總經理暨營運副共同執行長張曉強透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。記者黃仁杰／編譯

台積電加速在美國布局先進製程與封裝產能。台積電資深副總經理暨營運副共同執行長張曉強透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。

[caption id="attachment_211859" align="aligncenter" width="1600"] 台積電高層透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。（圖／台積電提供）[/caption]

隨著輝達等AI晶片需求爆發，先進封裝已成為產業最吃緊環節。現代AI晶片多採多晶粒整合設計，需透過CoWoS與3D IC等先進封裝技術組裝，不再是單一晶片即可完成，導致封裝產能成為限制整體供應的關鍵。

張曉強指出，公司已在亞利桑那廠區啟動相關建設，並將導入CoWoS與3D IC能力，目標是在2029年前完成建置。他強調，台積電正「積極擴展」當地製造能力，提升整體產能彈性。

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目前，包括Apple與輝達在內的客戶，已開始採用台積電美國廠生產的晶片，但多數產品仍需送回台灣進行封裝，形成跨國供應鏈限制。未來若封裝產能就地完成，有望大幅縮短交期並提升供應效率。

另一方面，Amkor Technology也正加速在亞利桑那建置封裝廠，預計2027年中建成、2028年初量產，時程略早於台積電。雙方早在2024年即宣布合作推動先進封裝技術落地美國，目前技術與合作細節仍在討論中。

張曉強表示，台積電將與Amkor持續合作，評估如何為客戶提供更多元的封裝選項，加速產品在美國本地製造。他也強調，公司正朝向更分散的全球製造布局發展，以提升供應鏈韌性。台積電此舉不僅補齊產能缺口，也代表美國本土半導體供應鏈正逐步成形。

來源：路透社

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路透社獨家報導，知情人士指出，中國已要求半導體製造商在新增產能時，至少使用 50% 的國產設備，作為政府核准新建或擴建產線的重要門檻，顯示北京正以更具體且強制性的手段，加速打造半導體自主供應鏈。

記者黃仁杰／編譯

路透社獨家報導，知情人士指出，中國已要求半導體製造商在新增產能時，至少使用 50% 的國產設備，作為政府核准新建或擴建產線的重要門檻，顯示北京正以更具體且強制性的手段，加速打造半導體自主供應鏈。

三名熟悉內情的人士向路透表示，這項規定並未公開成文，但近幾個月來，晶圓廠在向主管機關申請建廠或擴產時，已被要求透過設備採購標案證明，至少一半設備來自中國本土供應商。未達門檻的申請通常會被退件，不過若涉及供應受限，主管單位仍保留一定彈性，先進製程產線則因國產設備尚未齊備，要求相對放寬。

[caption id="attachment_97722" align="aligncenter" width="1200"] 中國已要求半導體製造商在新增產能時，至少使用 50% 的國產設備，作為政府核准新建或擴建產線的重要門檻。(圖／科技島資料照 )[/caption]

消息人士指出，官方實際上「希望比例高於 50%」，長期目標是讓晶圓廠全面採用國產設備，最終邁向 100% 去外國化。中國工信部未回應置評請求，相關人士也因政策未公開而要求匿名。

「舉國體制」推動半導體自主

中國國家主席習近平近年多次呼籲以「舉國體制」推動半導體自主，動員全國研究機構與企業資源。美國自 2023 年起加碼對中國實施先進 AI 晶片與半導體設備出口管制後，北京去外依賴的步調明顯加快。

路透日前也曾披露，中國科學家正研發可製造先進晶片的關鍵設備原型，顯示在受限環境下持續突破。前中國設備廠員工指出，過去包括中芯國際在內的晶圓廠偏好美系設備，但在 2023 年出口限制後，已被迫轉向本土供應商合作。

官方採購數據顯示，今年國有或具官方背景的單位，對國產微影設備與零組件下單高達 421 筆，總金額約 8.5 億人民幣，反映國產設備需求快速升溫。資金面上，北京也持續透過「大基金」挹注半導體產業，第三期於 2024 年成立，規模達 3,440 億人民幣。

國產設備加速上線 外商市占受擠壓

政策效應已在關鍵製程環節浮現。消息人士指出，中國最大半導體設備商北方華創（Naura）正於中芯國際 7 奈米產線測試其蝕刻設備，繼先前成功導入 14 奈米後，再度向先進製程推進。蝕刻是晶片製造核心步驟之一，過去主要由美系與日系設備商主導。

一名知情人士直言，政府要求至少五成國產設備，迫使本土供應商必須快速提升技術成熟度。過往由Lam Research與東京威力科創供應的部分設備，已逐步被北方華創與中微半導體（AMEC）取代。

此外，北方華創也為中國記憶體晶片業者提供超過 300 層堆疊所需的先進蝕刻設備，並自行開發靜電吸盤，替代因出口管制而無法維修的外商零組件。

專利與營收齊升 全球競爭升溫

隨著政策加持，中國設備商研發與營運表現明顯成長。資料顯示，北方華創 2025 年申請專利達 779 件，較 2020、2021 年翻倍；中微半導體申請 259 件。營收方面，北方華創 2025 年上半年營收年增 30%，達 160 億人民幣；中微半導體同期成長 44%，達 50 億人民幣。

分析師估計，中國在去光阻與清洗設備等領域的自給率已達約 50%，過去由日本廠商主導的市場，正快速轉由本土廠商領軍。業界人士指出，未來中國國產設備市場，可能由兩到三家大型供應商主導，而北方華創將是關鍵角色之一。

在政策與資金雙重推動下，中國半導體設備自主化正從「補位」階段，進入實質取代外商的關鍵轉折期。

來源：路透社

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南科今年1-4月營業額創造歷年同期最佳紀錄。圖：科技部南科管理局提供 科技部南科管理局公布今年1-4月營業額， …

科技部南科管理局公布今年1-4月營業額，在俄烏戰爭、中國封城、通貨膨脹等全球動盪的氛圍下，南科產業展現無懼逆風的旺盛成長動能，在積體電路產業的領航帶動下，今年1-4月營業額達到4,148.52億元，創造歷年同期最佳紀錄，大幅成長逾3成（32.67%）以上。

積體電路產業方面，受惠高效能運算、車用電子及通訊等強勁需求帶動，不僅先進製程及傳統特殊製程產能利用率維持高檔，在延續全球半導體供不應求情勢及漲價效應下，今年1-4月營業額大幅成長53.24%，達到3,145.48億元（占南科營收比重75.82%）；在全球最先進製程及成熟製程仍持續在南科擴產發展下，南科積體電路產業持續爆發之勢，已沛然成型。

光電產業1-4月營業額為709.73億元（占園區產值比重約17.11%），占大宗之面板產業受到面板價格持續下滑，以及前述三大負面因素所帶來之間接影響，遏制終端消費買氣，再加上庫存仍待消化，營業額年減13.07%；惟面板廠商持續發展高值化、差異化產品，並建構多元化面板應用場域及生態系來發揮長尾效應，以保持領先技術與產品優勢，維持長期競爭力；但太陽能電池產業，在2050淨零碳排目標下，加速各國政府對再生能源的建置，呈現出欣欣向榮的躍升成長。

精密機械產業搭上海內外半導體產業全球擴產的成長列車，營收持續成長，1-4月營業額154.01億元，相較去年同期成長17.58%。通訊產業、電腦及周邊產業受惠訂單暢旺，且長短料的負面影響也逐漸緩解，通訊產業、電腦及周邊產業1-4月營業額分別為55.46億元（成長率27.18%）、35.19億元（成長率22.62%）。

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