國立陽明交通大學終身講座教授施敏院士所撰寫的《半導體元件物理學》，被全世界半導體和積體電路領域師生、研究人員及 …

國立陽明交通大學終身講座教授施敏院士所撰寫的《半導體元件物理學》，被全世界半導體和積體電路領域師生、研究人員及相關產業不斷地引用，成為全球最暢銷的「半導體界聖經」；日前陽明交大為其舉辦第四版新書發表會，施敏院士也將其2021年獲頒之「未來科學大獎」捐贈予校方作為紀念典藏。

施敏院士（左）將2021年獲未來科學大獎獎盃捐予陽明交大典藏。（圖/陽明交大提供）

施敏於1967-1969年所撰寫的《半導體元件物理學》，起先用於交大電子研究所上課講義，很快受到全球矚目，翻譯成6國語言、發行超過300萬冊，被譽為「半導體界聖經」；榮獲快閃記憶體高峰會頒發的終身成就獎(2014年)、全球電機電子工程師學會（IEEE）頒贈最高榮譽「尊榮會員（Celebrated Member）」獎座(2017年)。

施敏院士1963年取得美國史丹福大學電機博士，進入知名研發重鎮貝爾實驗室(Bell Labs)，和貝爾實驗室同事姜大元博士，共同發現了「浮閘記憶體效應」(Floating-gate memory effect)。由此理論的基礎概念衍生出多種記憶體，其中「快閃記憶體」為目前所有移動電子產品的核心元件。

在1968-1969年度，施敏院士特別請長假回國至交大，指導第一位博士生張俊彥(我國第一位工學博士)，提出金屬與半導體間的電荷流動理論和傳輸模式，奠基過去五十年在積體電路元件中最為關鍵之歐姆與蕭特基接觸，使得晶片產業能夠依照「摩爾定律」持續擴展，成為各類電子系統不可或缺之要件，也大幅度的提升了人類的生活和文明。

而因應日新月異的新科技與技術，施敏院士發表的第四版添加了負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。（記者／白水堯）

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