台積電傳出員工年中分紅本周入帳，以此次核准總金額新台幣1405億9256萬元來推估，平均每人分紅超過200萬元，員工笑稱「要重新定義2M不是2個月，而是2 million（200萬元）」；另外，台積電表示，考量市場與長期業務策略，決定在未來2年內逐步退出氮化鎵業務。記者李琦瑋／綜合報導

台積電傳出員工年中分紅本周入帳，以此次核准總金額新台幣1405億9256萬元來推估，平均每人分紅超過200萬元，員工笑稱「要重新定義2M不是2個月，而是2 million（200萬元）」；另外，台積電表示，考量市場與長期業務策略，決定在未來2年內逐步退出氮化鎵業務。

[caption id="attachment_167007" align="alignnone" width="2048"] 台積電分紅百萬入袋，員工笑稱「2M（2個月）」變200萬，同時宣布將退出氮化鎵業務。（圖／科技島圖庫）[/caption]

台積電員工分紅每年發放達5次，其中2月、5月、8月與11月分發給員工前一季獲利的分紅；6月股東會另通過前一年度員工分紅案，會於7月發放一半，依職等與考績而有不同額度。

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台積電今年初核准2024年度員工業績獎金與酬勞（分紅），總金額新台幣1405億9256萬元，以去年底臺灣員工人數約7萬人計，平均每人可得超過200萬元（含已發放的每季獎金）。

台積電此次分紅行情在2月底財報出爐底定，本次發放的金額平均每人達100萬元，職級31領250萬元，32領300萬元以上。

據傳，年中分紅將在本周內入帳，有員工爆料多人「單月灌入百萬元」。

另外，氮化鎵（GaN）廠納微半導體（Navitas）宣布，旗下650V元件產品在未來1到2年內將從現有供應商台積電逐步轉由力積電代工。

台積電表示，完整評估後，考量市場與長期業務策略，決定在未來2年內逐步退出氮化鎵業務，但不會影響之前公布的財務目標。台積電預估，今年美元營收將成長24%至26%。

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德州儀器上週已宣布日本會津的工廠開始生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。

記者／孫敬 Archer Sun

德州儀器（TI）上週已宣布日本會津的工廠開始生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。會津廠進入生產之後，再加上德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI表示GaN功率半導體的自有產能，可增加至四倍之多。

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德州儀器持續擴大GaN製造作業，體積更小功率更高

「以超過十年的GaN晶片設計與製造專業知識，我們已成功驗證8吋GaN技術，並在會津展開量產；這是現今擴充性最高且最具成本競爭力的GaN製造技術。」TI技術與製造資深副總裁Mohammad Yunus表示，這將有助於更多的GaN晶片自有產能，並在2030年前將內部製造的比率提升至95%以上。

GaN做為矽的替代半導體材料，可在許多領域中提供優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。

TI提供整合式GaN功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。

「利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空間中提供更高效的功率。」TI的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian指出，諸如伺服器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的設計師正面臨必須要減少功耗並提升能源效率的挑戰，他們對於TI高性能GaN晶片可靠供應的需求也與日俱增。TI的整合式GaN功率級產品組合讓客戶可實現更高的功率密度、提升易用性，並降低系統成本。

此外，TI的專利矽基氮化鎵製程、經過超過8,000萬小時的可靠性測試，並具備整合式保護功能。

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台廠首家!氮化鎵廠商鴻鎵科技正式啟動日系供應鏈。鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率半導體元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。

記者／周子寧

台廠首家!氮化鎵廠商鴻鎵科技正式啟動日系供應鏈。鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率半導體元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。

鴻鎵科技與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場，成為台灣第一家與日本大廠合作的GaN廠商，鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充，並通過日本PSE認證；雙方也將持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計今年便可問世。

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鴻鎵科技在半導體相關技術研發上也頗有成就，利用抗靜電技術解決半導體封裝製程中的靜電問題。全球大廠爭相進入2奈米時代，但緊隨而來的是在封裝過程中，將遇到的嚴重靜電效應、生產良率降低等問題。鴻鎵科技針對此類問題，推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，可應用於GaN封裝製程良率提升。

鴻鎵科技表示，公司研發團隊長期致力於半導體等級新材料的研發，而公司最新抗靜電技術，可於金屬材料表面形成一層緻密、耐高溫的抗靜電層，於表面生成高耐磨且壽命長的奈米級鍍膜，精準控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω區間，有效防止靜電的累積。

抗靜電技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還能確保半導體設備在使用中不會受到靜電的影響，提高產品可靠度，以及延長設備使用壽命。除此之外，該技術不受元件尺寸限制，成本也較現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，同時可廣泛應用於半導體製造的製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，受此技術影響，預估今年在先進鍍膜業績上便會迅速見漲。

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環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

記者／陳士勳

環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

台灣化合物半導體展現非凡韌性

徐秀蘭表示，即便過去幾年受新冠疫情、俄烏戰爭、美中科技戰等影響，而引發能源、糧食及航運的價格上漲，就連國內化合物半導體產業產值也微幅下滑，不過其中的功率元件仍成長36%、封裝成長5%、晶圓製造更成長100%，「台灣化合物半導體產業遇到這麼多挑戰，依舊表現出不凡韌性。」

碳化矽和氮化鎵成全球市場焦點

針對碳化矽和氮化鎵的潛力，徐董事長指出，根據Yole報告，氮化鎵於通訊用產值，預估複合年成長率將在2020到2026年期間達18%，而碳化矽元件在功率方面的複合年成長率更高達30%，「很多國家皆將這些技術列為國家戰略的重點項目，可見其重要性已不可言喻。」

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國科會計畫培育人才且建立產學合作

徐董事長強調，國科會從2022年起推動「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」，更希望氮化鎵的射頻元件能於4年後超過600 GHz（千兆赫），碳化矽的功率元件則能超過3.3 KV，「該計畫不僅培育許多碩博士生，也成功建立產學間的交流與合作管道。」

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編譯／施毓萱 2023年可能是氮化鎵具有指標性的一年。氮化鎵已然被公認為可廣泛運用的技術，而且隨著汽車、數據中 …

編譯／施毓萱

2023年可能是氮化鎵具有指標性的一年。氮化鎵已然被公認為可廣泛運用的技術，而且隨著汽車、數據中心、永續性倡議等環境下對於氮化鎵需求的上升，未來將會在2027年達到20億美元。氮化鎵將成為數據中心進行處理器升級的首選，也會被整合運用到電動汽車和充電站的設計中。另外，隨著消費性電子產品不斷地創新，氮化鎵也將逐步深入主流市場中。

首先，氮化鎵能因應能源科技對於永續性與盈利能力的要求，因為氮化鎵可以最佳化電源設計、並減少碳足跡。氮化鎵不僅可以提高數據中心的收入，也能同時減輕環境影響、達成ESG目標。

另外，氮化鎵也將能解決進行大規模再生能源的壓力，例如太陽能所需的功率變流器(power inverter)、DC-DC轉換器(DC-DC converter)等都需要越來越有能源效率。未來，氮化鎵功率半導體也將持續朝節能和縮小設備的方向發展。

氮化鎵也將在電動汽車市場增加重要性，因為隨著碳化矽原料短缺與產量成本問題，用於800V氮化鎵解決方案也進展順利。電動汽車製造商將會投入更多氮化鎵的使用進入生產線。而在消費性電子產品中，氮化鎵也將擴大領域應用，其中包含家用電視、電動腳踏車等，目前則已經有D類音頻採用氮化鎵產品。

資料來源:semiconductor TODAY

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編譯／施毓萱 碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將 …

編譯／施毓萱

碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將會持續增長，其增長程度預期會創下紀錄。這兩種功率半導體將會刺激最新的應用，特別在純電動車（BEV）、家用電子產品充電器以及數據中心與能源基礎設施的應用上。

碳化矽市場將在2025年超過25億美元，而氮化鎵市場價值也將在2027年來到20億美元。各家企業正在持續加強對碳化矽與氮化鎵投資來滿足未來需求。

第三代半導體龍頭Wolfspeed將在北卡羅來納州為了200毫米的碳化矽晶圓，建立一個碳化矽材料工廠；氮化鎵功率型積體電路製造商Navitas以1億美元收購碳化矽先驅Genesic，這讓Navitas成為下一代功率型積體電路製造商，同時也擁有氮化鎵與碳化矽生產線。

雖然兩者在最初的成本相對來說會較高，但這些半導體擁有更多優勢。碳化矽目前在電動車市場中已經成熟，雖然比傳統的矽成本更高，但所提供的效率卻值回票價。

雖說如此，晶片公司目前還是會面臨新技術上的挑戰，其中包括足夠晶片產量與降低晶片缺陷率的問題。目前則有一種趨勢是，重新透過就有技術的傳統工廠來轉換為製造這些功率器件。

總而言之，雖然現在還面臨技術上的挑戰，但碳化矽與氮化鎵的應用已成為趨勢。

資料來源：DesignNews

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台灣的世界先進積體電路公司（Vanguard International Semiconductor Corp …

台灣的世界先進積體電路公司（Vanguard International Semiconductor Corporation, VIS）和全球氮化鎵功率場效電晶體（power FET）、IC積體電路領導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion, EPC）宣布了一項多年期關於生產以氮化鎵（gallium nitride, GaN）為基礎的功率半導體（power semiconductor）生產協議，並將於2023年初開始進行生產。

宜普將透過世界先進的8英寸晶圓製造能力，來提升其在高性能氮化鎵電晶體和IC方面的製造能力，這將會加強並維持其在氮化鎵功率轉換（power conversion）市場中的領導地位。

宜普執行長Alex Lidow表示，自家易於使用、可靠度高的氮化鎵機器，結合世界先進的氮化鎵平台，將能提升產能以滿足顧客需求。與此同時，世界先進也贊同此次合作，因為該公司認可宜普具有出色的產品設計能力和氮化鎵品質因數（FOM）。

如果宜普技術與世界先進IC製造技術融合，將會創造出更環保的高性能計算和電動車應用，並提供更好的能源效率。因為世界先進同時是一間通過汽車IATF 16949認證的公司，而其產品可以提供數據中心、電動車、機器人等產業對於氮化鎵功率設備的需求。（編譯／施毓萱）

資料來源:MarketScreener

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記者鄧君／新竹報導 陽明交大國際半導體產業學院院長張翼教授，鑑於高頻高功率元件未來市場需求，在國發基金支持下將 …

記者鄧君／新竹報導

陽明交大國際半導體產業學院院長張翼教授，鑑於高頻高功率元件未來市場需求，在國發基金支持下將珍貴成果與產業界合作於2019年成立易達通科技，主要營業項目包含氮化鎵射頻元件、功率放大器與功率元件及模組之製造、設計與銷售。

易達通科技董事長林仕國表示，陽明交大國際半導體產業學院院長張翼教授，擁有30餘年複合物半導體研發生產寶貴經驗，於科技部價創計畫支持下，在氮化鎵射頻及功率元件領域建立國際級關鍵技術。易達通於2020年10月完成現金增資，其主要法人投資人包括行政院國家發展基金管理會、永豐創業投資股份有限公司、漢信投資股份有限公司等，並於隔年2021年初取得新竹科學園區入區許可。

林仕國說，易達通技術團隊長期深耕於氮化鎵領域，以傑出研發實力基礎與國際重要機構建立長期且良好之合作關係，形成堅固而綿密之人脈網絡，對公司於第一時間切入跨國供應鏈內之目標有實質之助益。

林仕國指出，氮化鎵功率元件世代已經開啟，將廣泛應用在5G通訊系統、車用電子、電源轉換、國防與衛星通訊等市場，為第三代半導體應用領域兵家必爭之地。易達通團隊針對氮化鎵晶片元件從磊晶、元件製程、模擬設計、封測到晶片模組已建立完整垂直整合開發技術能力，在高頻高功率放大器方面，亦具備30年豐富產業經驗，將結合半導體上下游供應鏈，搶占第三代半導體應用的龐大市場。

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