環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

記者／陳士勳

環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

台灣化合物半導體展現非凡韌性

徐秀蘭表示，即便過去幾年受新冠疫情、俄烏戰爭、美中科技戰等影響，而引發能源、糧食及航運的價格上漲，就連國內化合物半導體產業產值也微幅下滑，不過其中的功率元件仍成長36%、封裝成長5%、晶圓製造更成長100%，「台灣化合物半導體產業遇到這麼多挑戰，依舊表現出不凡韌性。」

碳化矽和氮化鎵成全球市場焦點

針對碳化矽和氮化鎵的潛力，徐董事長指出，根據Yole報告，氮化鎵於通訊用產值，預估複合年成長率將在2020到2026年期間達18%，而碳化矽元件在功率方面的複合年成長率更高達30%，「很多國家皆將這些技術列為國家戰略的重點項目，可見其重要性已不可言喻。」

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國科會計畫培育人才且建立產學合作

徐董事長強調，國科會從2022年起推動「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」，更希望氮化鎵的射頻元件能於4年後超過600 GHz（千兆赫），碳化矽的功率元件則能超過3.3 KV，「該計畫不僅培育許多碩博士生，也成功建立產學間的交流與合作管道。」

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