格棋宣布與中科院合作，共同加強高頻通訊技術領域應用，也攜手日本三菱綜合材料商貿株式會社，擴大日本民生用品與車用市場布局。

記者／孫敬 Archer Sun

碳化矽（SiC）長晶技術供應商格棋化合物半導體，近日舉辦桃園中壢新廠啟用典禮，並宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，共同加強高頻通訊技術領域應用，也攜手日本三菱綜合材料商貿株式會社（Mitsubishi Materials Trading Corporatio），擴大日本民生用品與車用市場布局。

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新廠2024年第四季有望滿產，硬體設備也將有新一波更新

格棋化合物半導體董事長；身兼電池芯廠格斯科技董事長的張忠傑指出，格棋自8年前開始研究碳化矽長晶，新廠預估2024年年底將擴建20台8吋長晶爐、百台6吋長晶爐，6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，預計2024年第四季有望滿產，現已向國內外供應商提供樣品驗證。

8吋長晶爐的規畫約落在2025年年底，目標為200台，合計2028年的產能計算，6吋與8吋長晶爐將達到千餘台，但後續還需觀察市場的反應來做配比。

創立於2022年的格棋，營運團隊主要來自2023年5月登錄興櫃的格斯科技（GUS Technology）。格棋專注於化合物半導體長晶工藝技術研發及製造，包含晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術以及原料控制和熱處理技術，核心技術可有效提升晶體品質，降低缺陷密度，提供高可靠性的碳化矽晶圓。

與中科院的合作的「半絕緣碳化矽長晶技術」」專利授權中，格棋將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。

三菱綜合材料商方面的合作，聚焦電動車、綠能、功率半導體，並由三菱綜合材料商向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋主要任務為整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠、晶圓與磊晶片，共同開拓日本市場，將產品打向國際。

格棋技術長葉國偉博士強調，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及 5G 通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。公司目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。

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