碳化矽（SiC）技術供應商格棋化合物半導體，2日宣布將在2025年第4季興櫃，本週已向關鍵客戶遞送最新12吋SiC晶棒樣品進行驗證，預計最快9月會有初步結果。記者孫敬／台北報導

碳化矽（SiC）技術供應商格棋化合物半導體，2日宣布將在2025年第4季興櫃，本週已向關鍵客戶遞送最新12吋SiC晶棒樣品進行驗證，預計最快9月會有初步結果。

格棋表示若進展順利，在目前公司6吋和8吋晶錠、晶棒、晶圓及非規格品機台皆可共用的優勢，預估第四季在日韓客戶放量、跟2到3間客戶成功簽訂長期合約（LTA）後，2026上半年將進一步擴大8吋及12吋產能，8吋產能預期翻倍，以滿足市場需求。

隨著全球半導體產業邁向非紅供應鏈，經「驗明正身」非中國背景的台灣本土半導體新創公司格棋，也跟中科院達成合作，採不打價格戰「非規格品」市場策略，持續深化台灣、日本、韓國、北歐與歐洲市場客戶。

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[caption id="attachment_190380" align="aligncenter" width="2560"] 左起：格棋化合物半導體業務處處長吳義章、董事長張忠傑、人資長賴雅玲。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

6吋、8吋到12吋，格棋碳化矽技術的升級與布局

面對全球仍陷入川普政府關稅風暴，加上碳化矽龍頭Wolfspeed破產、台積電退出氮化鎵（GaN）代工業務等眾多變因，格棋除握有非中供應鏈身分及原物料免課徵關稅條件，在日本電動車市佔持續成長，以及碳化矽漸漸從功率元件、車用、儲能相關領域，跨向如AR眼鏡鏡片、3D IC封裝等高功率、高頻和高溫應用，格棋將乘著高量產和高良率的6吋平台，結合已完成前期驗證的8吋晶種長晶與熱場模組設計，陸續依客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。

「我們主打的不是價格戰，我們提供人家不願提供或無法提供的獨特技術路線與非規格品需求，這使我們在非規格品的開發上具有更大的技術優勢。」格棋董事長張忠傑分享日本客戶主打車用、雷達及通訊領域，現有7家客戶，其中5家為知名車廠或商社，因日本市場普遍認為現階段是投入碳化矽最佳時機，待2027到2028年8吋晶圓技術成熟時，採用碳化矽的電動車款將大量問世。

張忠傑認為至少未來五年內，碳化矽會是日本電動車推動的主要基盤材料，韓國則專注長晶基礎片，今年底或明年上半年，日韓客戶的放量將大於台灣的市場需求。

[caption id="attachment_190381" align="aligncenter" width="2560"] 格棋化合物半導體董事長張忠傑。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

格棋拓展多元應用，從電動車到高階散熱與3D封裝

端看格棋目前的產能配置，現已有100台6吋長晶爐，每月約可生產5000片晶圓；20台8吋長晶爐，每月約可生產1000片晶圓；1台12吋長晶爐用於研發和測試，近日則提交碳化矽樣品予關鍵客戶進行平整度驗證。

格棋業務處處長吳義章指出，12吋碳化矽晶圓現今主要應用於散熱載板，特別是在AI運算對熱能移除有巨大需求的情況下，而高純度碳化矽的熱導率K值可達到400至500，遠高於現在多數使用的陶瓷基板（如氧化鋁、氮化鋁）的200至230 K值，因此能有效提升散熱效率，防止晶片因過熱使效能下降。

至於3D IC封裝，吳義章直指碳化矽也應用於高階3D IC封裝的散熱。目前討論的兩種應用方向，首要是導電型的SiC進行測試，下一步才會投入半絕緣型的矽中介層（Silicon Interposer）是否能導入SiC做嘗試。

展望後市，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區域合作計畫，未來將依據業務拓展進程設立技術服務據點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化矽在全球高功率應用的落地進程。

[caption id="attachment_190379" align="aligncenter" width="2560"] 格棋化合物半導體業務處處長吳義章。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

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「台北國際車用電子展覽會」23日至26日於南港展覽館一館舉行，鴻海科技集團不僅秀出最新電動乘用車款MODEL B、MODEL C北美版、MODEL D，也展示一系列自主研發，並結合AI技術的三電零組件，包括乘用車固態電池、電控、碳化矽（SiC）元件以及充電系統等，未來將結合集團CDMS（Contract design and manufacturing service，委託設計與製造服務）商業模式，持續推向海外市場。記者李琦瑋／台北報導

「台北國際車用電子展覽會」23日至26日於南港展覽館一館舉行，鴻海科技集團不僅秀出最新電動乘用車款MODEL B、MODEL C北美版、MODEL D，也展示一系列自主研發，並結合AI技術的三電零組件，包括乘用車固態電池、電控、碳化矽（SiC）元件以及充電系統等，未來將結合集團CDMS（Contract design and manufacturing service，委託設計與製造服務）商業模式，持續推向海外市場。

[caption id="attachment_170945" align="alignnone" width="2560"] 鴻海在車用電子展秀最新電動車款、結合AI技術的三電零組件及充電系統等等。（圖／記者李琦瑋攝）[/caption]

鴻海科技集團董事長劉揚偉表示，圍繞在集團CDMS商業模式，集團智慧電動車平台在海外的佈局陸續開花結果，包括旗下MODEL B、MODEL C以及電動巴士MODEL T皆已跟海外客戶有所合作，期待透過我們的努力，讓臺灣成為全球電動車產業最信賴與可靠的夥伴！

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鴻海指出，本次參展，在整車方面，集團自主研發的MODEL C在動力、空間、OTA等皆有優異表現，在國內受到車主好評同時，也與海外客戶合作推出北美版本；跑格風格的MODEL B，具備亮眼造型設計、優異操控與動力性能，獲得海外客戶高度青睞，2款乘用車將於今年陸續推出；MODEL T自2022年量產，且取得電動巴士國家隊資格，並在國內多縣市運營，近期也啟動海外客戶合作案，預期2027年可望海外市場亮相。

電池國產化進程上，鴻海提到，位於高雄和發工業園區的「鴻海科技集團高雄電池中心」已正式進入量產，並已出貨提供國內車廠測試使用，後續將推出商用與家用的國產化儲能電芯。本屆AMPA現場也有展示AI商用儲能系統，演繹相關應用。

鴻海表示，集團也持續推進AI技術與電動車平台的結合，電控平台在今年展示結合AI技術，採用高效能自動駕駛控制器，並搭載先進演算法，支援L3級別ADAS（NOA），讓駕駛輕鬆應對高速公路駕駛與變道等複雜場景。

此外，鴻海在電驅系統上，也透過AI輔助電機設計，提供最佳化的產品設計與性能，加速設計階段時間10倍以上，並同時提出最佳功率電機設計；兩輪動力系統透過AI輔助電機設計，使用自粘式矽鋼片，提升電機效率與NVH性能，進一步以自動焊接提升產品一致性與可靠度。

充電系統部分，鴻海同步推出Binoki直流充電樁與Tarovine交流充電樁2款電動車充電設備，滿足企業與家庭全方位需求。Binoki支援雙槍輸出與動態負載分配，OCPP整合、效率高達95%；Tarovine 則主打智慧家庭充電，具備WiFi／乙太網路、即插即充、RFID／NFC認證，最高輸出11kW、效率高達99%。

鴻海指出，集團的SiC晶圓代工平台已取得IATF16949車規品質系統認證，本次展出SiC磊晶、MPS以及MOSFET製程平台，集團能提供客戶完整的SiC代工服務，滿足EV、AI等不同的功率應用需求；同時，現場也展示電動車電驅動SiC功率模組、車用智能保險絲模組、BMS電池電流量測模組、車用照明模組等，強調高功率模組、高可靠與智慧保護設計。

鴻海強調，該集團具備臺灣本地垂直整合能力，從晶片、模組到系統方案皆可支援，以行動支持電動車國產化，協助車廠加速電動化發展。

另外，鴻海在今年車電展首度舉辦車友交流會，活動於4月24至26日期間進行，共3個場次，分別是「MODEL B設計美學與創新風格」、「電動車x拉力賽的熱血故事」以及「n⁷ x Life 實戰分享」。車友反應熱烈，開放報名後即全數額滿；本次展覽期間，已有上百位、客戶、投資人報名組團觀展。

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鴻海科技集團旗下的鴻海研究院傳捷報！鴻海研究院半導體研究所攜手AI研究所，結合鴻揚半導體優異的製造能力，成功將AI學習模型與強化學習（Reinforcement Learning）技術結合，大幅加速碳化矽功率半導體的研發進程，並取得顯著成果。此次研究成果發表於國際知名期刊《IEEE Open Journal of Power Electronics (OJPEL)》。鴻海科技集團旗下的鴻海研究院傳捷報！鴻海研究院半導體研究所攜手AI研究所，結合鴻揚半導體優異的製造能力，成功將AI學習模型與強化學習（Reinforcement Learning）技術結合，大幅加速碳化矽功率半導體的研發進程，並取得顯著成果。此次研究成果發表於國際知名期刊《IEEE Open Journal of Power Electronics (OJPEL)》。

[caption id="attachment_149462" align="alignnone" width="1705"] 鴻海研究院利用AI加速開發碳化矽功率元件，加速第三代半導體技術進展。（圖／記者李琦瑋 攝）[/caption]

鴻海研究院指出，在此次研究中，鴻海研究院採用強化學習中的策略優化方法，透過策略梯度技術中的Proximal Policy Optimization（PPO）演算法和結合策略與價值函數的Actor-Critic（A2C）架構，探索並優化碳化矽材料的製程參數與元件設計，以提升性能表現。不同於以往傳統由多個參數值來預測結果的手法，而是應用AI進行反向預測。在給訂目標值之後，直接找出對應的設計參數出來，如此一來應用在實務中，可以減少設計人員來回試誤的次數，提升效率。

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鴻海研究院提到，該技術不僅能模擬和調整複雜的製程參數，還能顯著縮短元件開發時間並降低研發成本，為碳化矽技術在功率半導體領域注入新的動力。

鴻海研究院舉例，針對高壓高功率的碳化矽元件保護環研究，研究團隊針對保護環的關鍵參數，進行製程模擬與元件特性模擬，並將結果輸入AI模型，成功建立了保護環的AI模型。

鴻海研究院表示，該模型能根據所需的元件特性進行參數回饋，透過精準的數據分析與預測進一步提升碳化矽元件的性能與製程效率，最後透過實際製程進行驗證。相關研究成果除了可以進行「設計優化」外，未來更可延伸至「製程改良」和「故障診斷」，擴大應用範圍。

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環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

記者／陳士勳

環球晶董事長徐秀蘭日前出席2023年台北國際光電週，且分享化合物半導體已是6G、軍事及太空等領域不可或缺的關鍵材料，「伴隨5G、電動車及綠能的發展，也帶動高頻、高功率半導體元件及IC需求。」相關產值與投資皆呈現快速成長趨勢，尤其碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體更成市場矚目焦點。

台灣化合物半導體展現非凡韌性

徐秀蘭表示，即便過去幾年受新冠疫情、俄烏戰爭、美中科技戰等影響，而引發能源、糧食及航運的價格上漲，就連國內化合物半導體產業產值也微幅下滑，不過其中的功率元件仍成長36%、封裝成長5%、晶圓製造更成長100%，「台灣化合物半導體產業遇到這麼多挑戰，依舊表現出不凡韌性。」

碳化矽和氮化鎵成全球市場焦點

針對碳化矽和氮化鎵的潛力，徐董事長指出，根據Yole報告，氮化鎵於通訊用產值，預估複合年成長率將在2020到2026年期間達18%，而碳化矽元件在功率方面的複合年成長率更高達30%，「很多國家皆將這些技術列為國家戰略的重點項目，可見其重要性已不可言喻。」

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國科會計畫培育人才且建立產學合作

徐董事長強調，國科會從2022年起推動「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」，更希望氮化鎵的射頻元件能於4年後超過600 GHz（千兆赫），碳化矽的功率元件則能超過3.3 KV，「該計畫不僅培育許多碩博士生，也成功建立產學間的交流與合作管道。」

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記者／劉閔 特斯拉（Tesla）於日前在德州舉辦的投資者日活動（Investor Day）中發表對下一代電動車 …

記者／劉閔

特斯拉（Tesla）於日前在德州舉辦的投資者日活動（Investor Day）中發表對下一代電動車提出全新科技計畫，不僅將推出新世代車輛架構，最重要是要減少使用碳化矽（SiC），並打造無稀土元素的新馬達；此舉馬上引發中國稀土礦商不小震盪。

這是基於馬斯克（Elon Musk）在 2006 年推出的「宏偉計畫」中第三部曲，以地球永續能源為主題，宣布下一代電動車永磁馬達將完全不用稀土材料，並強調新能源電池生產關鍵在於冶煉鋰元素產能的提升，外界解讀是特斯拉想擺脫對中國的依賴。

一般人對於稀土一直存有誤解，大多數認為電池內部一定有摻雜稀土元素，不過其實電池中使用的金屬原料都不是稀土，因此常引起誤會。而真正會使用到稀土的是電動車馬達內的永久磁鐵。

目前全球稀土開採與精煉等一直是由中國主導，之前疫情引發的供應鏈問題反應出過度依賴的嚴重性，並且中國和西方國家的時常存在地緣與政治緊張局勢，導致增加稀土被當成用來討價還價的籌碼，以致馬斯克必須做出改變，減少變數所帶來的衝擊。

不過根據報導引述，特斯拉不使用稀土僅是簡短一條新聞，並未說明替代品或解決方案，同時目前業內尚無可替稀土的重大技術突破。除非馬斯克擁有可以不使用稀土就大量低成本生產永磁馬達，否則這一切還須等待新世代車輛正式發表才知道了。

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編譯／施毓萱 碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將 …

編譯／施毓萱

碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將會持續增長，其增長程度預期會創下紀錄。這兩種功率半導體將會刺激最新的應用，特別在純電動車（BEV）、家用電子產品充電器以及數據中心與能源基礎設施的應用上。

碳化矽市場將在2025年超過25億美元，而氮化鎵市場價值也將在2027年來到20億美元。各家企業正在持續加強對碳化矽與氮化鎵投資來滿足未來需求。

第三代半導體龍頭Wolfspeed將在北卡羅來納州為了200毫米的碳化矽晶圓，建立一個碳化矽材料工廠；氮化鎵功率型積體電路製造商Navitas以1億美元收購碳化矽先驅Genesic，這讓Navitas成為下一代功率型積體電路製造商，同時也擁有氮化鎵與碳化矽生產線。

雖然兩者在最初的成本相對來說會較高，但這些半導體擁有更多優勢。碳化矽目前在電動車市場中已經成熟，雖然比傳統的矽成本更高，但所提供的效率卻值回票價。

雖說如此，晶片公司目前還是會面臨新技術上的挑戰，其中包括足夠晶片產量與降低晶片缺陷率的問題。目前則有一種趨勢是，重新透過就有技術的傳統工廠來轉換為製造這些功率器件。

總而言之，雖然現在還面臨技術上的挑戰，但碳化矽與氮化鎵的應用已成為趨勢。

資料來源：DesignNews

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美國電源晶片製造商 Wolfspeed Inc表示，將在北卡羅萊納州的查塔姆縣（Chatham County） …

美國電源晶片製造商 Wolfspeed Inc表示，將在北卡羅萊納州的查塔姆縣（Chatham County）建造一座價值數十億美元的新工廠，生產用於為電動汽車等產品提供動力的晶片的原材料，以因應近年來電動汽車的需求上升。

雖然傳統的電源管理晶片是用矽製成的，矽也用於製作運行電腦和手機的微晶片（microchip），但Wolfspeed 使用的是一種較新且稱之為「碳化矽」（silicon carbide）的材質，並以其來製造晶片。 Wolfspeed 被認為是這項技術的領頭羊，並表示它生產了全球60%以上的碳化矽。

碳化矽功率晶片一直受到電動汽車製造商的青睞，因為它們除了可以處理高電壓，而且相對其他晶片更加節能。該公司表示，根據行業分析師估計，到2027年，這類功率晶片將佔功率半導體市場的20%以上，而目前比例僅為5%。

該工廠預計於2030年完工，將成為世界上最大的碳化矽材料工廠。該工廠生產的碳化矽晶圓將主要用於 Wolfspeed 自己的晶片製造需求，並將視生產狀況決定後續是否對外銷售。

根據路透社報導，Wolfspeed 技術部門領導人 John Palmour 指出，今年年初，Wolfspeed 在紐約莫霍克谷（Mohawk Valley）設立了世界上第一個200毫米碳化矽製造工廠，並且正在為另一家大型工廠選址。但是其他晶片製造商使用更小尺寸的晶圓，而正如你我皆熟悉的，通常晶圓越大，製造技術越先進。

Palmour 說，新材料工廠距離公司在北卡羅萊納州的現有工廠約40分鐘車程。此外，他指出，實際上這間工廠將使我們公司的碳化矽晶圓產能增加約13倍。（記者／戴偉丞）

資料參考自：Reuters

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