美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。記者黃仁杰／編譯

美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。

[caption id="attachment_211290" align="aligncenter" width="1500"] 美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM的新型解決方案。（圖／美光提供）[/caption]

隨著AI發展從模型訓練逐步轉向推論應用，記憶體需求正出現結構性變化。過去HBM主要支援大型模型訓練，但在推論場景中，系統對容量的需求快速提升，使記憶體成為下一個關鍵瓶頸。韓媒指出，美光正嘗試透過堆疊GDDR模組，提高整體容量，作為HBM之外的替代方案。

相較於HBM，GDDR原本多應用於遊戲顯卡，受AI需求影響相對有限。不過，美光此次將其導入AI領域，顯示公司正重新分配資源，優先滿足資料中心與企業市場需求。雖然GDDR堆疊在效能上仍難以與HBM匹敵，但其在容量上的優勢，對於推論工作負載具有補強效果。

事實上，美光過去已透過SOCAMM2技術，將LPDDR5X等通用記憶體堆疊至16層，單模組容量可達256GB，為記憶體堆疊提供技術基礎。然而，GDDR在功耗與散熱上的挑戰更高，若採用傳統線焊方式，如何維持訊號穩定與熱管理，將成為關鍵技術門檻。業界推測，美光可能透過調整時脈等方式，在效能與穩定性之間取得平衡。

在HBM市場競爭加劇之際，美光也面臨壓力。公司在HBM4進展上曾因輝達認證進度延後而影響供應布局，反觀三星電子則持續擴大市占。在此情況下，GDDR堆疊若能在成本與供應上展現優勢，有望成為差異化產品，為美光開闢新成長動能。

來源：wccftech

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