中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）第二季營收高速成長。根據研調機構Counterpoint Research最新數據，CXMT第二季DRAM營收較去年同期大增716%，成為全球成長速度最快的DRAM製造商，主要受惠於中國市場需求強勁及產能持續擴張。記者黃仁杰／編譯

中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）第二季營收高速成長。根據研調機構Counterpoint Research最新數據，CXMT第二季DRAM營收較去年同期大增716%，成為全球成長速度最快的DRAM製造商，主要受惠於中國市場需求強勁及產能持續擴張。

[caption id="attachment_252191" align="aligncenter" width="1536"] 中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）第二季營收高速成長。（圖／AI生成）[/caption]

全球DRAM市場排名也出現變化。三星電子第二季以39%的營收市占率穩居第一；SK海力士市占率則降至26%，美光以25%緊追在後，與SK海力士僅相差1個百分點。

儘管SK海力士第二季DRAM營收較去年同期大增214%，市占率仍年減13個百分點。相較之下，美光持續擴大市場份額，幾乎追上SK海力士，全球第二大DRAM供應商的競爭進一步升溫。

DRAM是伺服器、個人電腦及智慧型手機的重要記憶體元件，也是人工智慧基礎設施不可或缺的關鍵零組件。多顆DRAM晶粒經由垂直堆疊及先進封裝，可製成AI加速器使用的高頻寬記憶體（HBM）。

在三星、SK海力士與美光之外，CXMT已成為全球第四大DRAM供應商。Counterpoint先前指出，CXMT第一季的DRAM營收年增率已超過700%，顯示其快速成長趨勢並非僅出現在單一季度。

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台灣DRAM製造商南亞科第二季營收年增幅也達約690%，成為僅次於CXMT、成長速度第二快的DRAM業者。南亞科第二季營收達825.5億元，主要受到記憶體價格上漲帶動。

CXMT於今年7月完成上海科創板上市，並透過首次公開募股籌得約86億美元資金。上市後，公司正積極推動產能擴張，並評估在北京亦莊興建第二座12吋DRAM晶圓廠。

CXMT目前在合肥設有兩座DRAM晶圓廠，北京另有一座工廠，單座月產能約10萬片晶圓。若上海、合肥及北京的新建計畫全部投入運作，公司整體產能可能增加一倍以上，月產能突破60萬片。

Counterpoint指出，CXMT還計畫將產品組合逐步轉向LPDDR5、DDR5等附加價值較高的記憶體，預計相關產品未來可占總產量近75%。不過，CXMT在HBM領域尚未證明能夠穩定進行大規模量產，先進製程設備取得限制也是後續擴張面臨的主要挑戰。

在全球記憶體供應吃緊之際，蘋果據報也開始測試CXMT的DRAM晶片，可能用於在中國銷售的產品，並尋求美國政府同意擴大採用中國記憶體供應商。不過，相關產品仍處於測試及政策評估階段，尚未確認CXMT已正式進入蘋果供應鏈。

Counterpoint研究副總裁Neil Shah認為，隨著產能、資金及中國本土需求同步成長，市場關注的問題已逐漸從CXMT「能否」進入全球前三大記憶體廠商行列，轉向它「何時」能夠進一步縮小與三星、SK海力士及美光之間的差距。

不過，三大記憶體廠商目前合計仍掌握接近九成的全球DRAM市場，CXMT在市場規模、先進製程及HBM量產能力方面仍有明顯差距。Counterpoint預估，CXMT至2028年的DRAM營收市占率可能提升至9%，能否跨越約15%的市場門檻，將是其成為全球主要記憶體供應商的重要觀察指標。

來源：wccftech

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中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正規劃在北京興建第二座DRAM晶圓廠，並已與北京地方政府支持的科技產業園區展開融資協商，希望在全球AI帶動記憶體需求持續升溫之際，進一步擴大產能。記者黃仁杰／編譯

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正規劃在北京興建第二座DRAM晶圓廠，並已與北京地方政府支持的科技產業園區展開融資協商，希望在全球AI帶動記憶體需求持續升溫之際，進一步擴大產能。

[caption id="attachment_251772" align="aligncenter" width="1536"] 中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正規劃在北京興建第二座DRAM晶圓廠，並已與北京地方政府支持的科技產業園區展開融資協商。（圖／AI生成）[/caption]

根據《路透》引述兩名知情人士報導，CXMT計劃在北京亦莊（Yizhuang）建設一座新的12吋晶圓廠。該地距離北京市中心約20公里，也是CXMT目前北京DRAM晶圓廠所在地。

消息人士指出，CXMT正尋求北京經濟技術開發區（北京亦莊）提供至少6,000萬元人民幣（約890萬美元）的資金支持，另外也有多家國有科技企業表達參與投資意願。

不過，目前相關協商仍處於初期階段，融資規模及架構仍可能調整，尚不確定資金將由開發區管理機構直接提供，或透過旗下投資平台投入。

對於相關消息，CXMT及北京市政府均未回應外媒置評請求。

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目前尚未公布新廠投資金額與規劃產能。不過，業界普遍認為，一座可生產先進DRAM晶片的12吋晶圓廠，建廠成本通常超過100億美元。

知情人士表示，目前CXMT已擁有三座12吋DRAM晶圓廠，包括合肥兩座、北京一座，每座月產能約10萬片晶圓。

外媒先前曾報導，CXMT正同步推動上海及合肥新廠建設，並與其他地方政府洽談新的生產基地。若所有新廠全面投產，公司總月產能可望突破60萬片晶圓，較目前規模倍增。

此次北京新廠規劃早在CXMT上週完成首次公開募股（IPO）前便已展開討論。公司上月完成約86億美元IPO，創下中國半導體企業歷來最大規模上市紀錄，也為後續擴產提供充足資金。

受惠AI資料中心、消費電子及雲端運算需求帶動，全球記憶體市場正處於新一波景氣循環，CXMT上市後股價已再上漲約13%。

近年來，CXMT已成為中國推動半導體自主化的重要代表企業，也是北京縮小與美國AI及先進半導體技術差距的重要布局之一。

雖然CXMT目前已是全球第四大DRAM製造商，但根據Counterpoint Research統計，今年第一季三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）三大廠仍合計掌握近九成全球DRAM市場，占有明顯領先優勢。

不過，在中國市場，CXMT的影響力正持續提升。隨著供應能力增強，CXMT甚至已能對華為等中國客戶提高DRAM售價，顯示其市場話語權逐步提升。

來源：路透社

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中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。記者黃仁杰／編譯

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。

[caption id="attachment_251191" align="aligncenter" width="1536"] 多位產業分析師認為，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。（圖／AI生成）[/caption]

市場普遍認為，AI浪潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，而三星、SK海力士與美光目前已在HBM市場建立明顯領先優勢。CXMT未來若想躋身全球一線記憶體廠，HBM技術將是重要挑戰。

MST Financial資深分析師David Gibson表示，上市並不會改變全球記憶體市場格局，目前整體需求仍大於供給，國際三大記憶體廠的競爭地位短期內不會受到影響。

他指出，中國本土需求仍將持續支撐CXMT成長，但受美國出口管制影響，公司無法取得極紫外光（EUV）微影設備，使其先進製程發展仍面臨限制。

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由於缺乏EUV設備，CXMT必須比競爭對手多使用約30%的晶圓，才能生產相同數量的記憶體產品，不僅增加成本，也降低製造效率，短時間內難以克服。

Counterpoint Research研究總監黃明生（MS Hwang）表示，CXMT正規劃於2026年底開始量產HBM，新建的上海晶圓廠也將投入AI晶片與HBM產品生產。

不過，他預估CXMT首批產品可能僅能達到HBM3或HBM3E水準，仍落後目前已邁向HBM4與HBM4E的國際競爭對手約一至兩個世代。

三星日前也在第二季法說會中表示，HBM4已開始擴大量產出貨，並率先向主要客戶提供全球首批HBM4E樣品，持續鞏固先進AI記憶體市場領先地位。

Gibson認為，CXMT未來確實有能力生產HBM產品，但由於良率仍偏低，初期產量恐怕有限，難以滿足大型AI客戶對高容量、高速度記憶體的需求。

Gibson同時指出，CXMT仍有望持續提升全球DRAM市占率，新增需求主要將來自中國市場，包括騰訊、字節跳動、阿里巴巴以及中國本土智慧型手機品牌。

根據Counterpoint Research統計，目前全球DRAM市場仍由三星以38%的市占率居冠，SK海力士占29%，美光占22%，CXMT則約為8%。

TrendForce分析師Ellie Wang表示，目前CXMT已向多家中國智慧型手機品牌供應記憶體，也逐步切入中國PC與伺服器市場，但產品仍以主流及中階DRAM為主，在高容量伺服器記憶體及AI伺服器用高階產品方面，仍與國際大廠存在明顯差距。

分析師認為，CXMT未來發展仍存在兩種可能。一方面，公司若能持續突破製程技術，有機會逐步縮小與國際大廠差距；另一方面，若無法突破設備限制與HBM等關鍵技術門檻，將難以真正挑戰全球記憶體三強。

Ellie Wang表示，依目前CXMT技術研發與量產進度來看，在AI帶動的記憶體需求趨於正常化之前，公司仍難以大幅縮小與國際領導廠商的技術差距，但仍持續投入新製程與新產品開發，希望逐步追趕市場領先者。

來源：CNBC

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