中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。記者黃仁杰／編譯

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。

[caption id="attachment_251191" align="aligncenter" width="1536"] 多位產業分析師認為，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。（圖／AI生成）[/caption]

市場普遍認為，AI浪潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，而三星、SK海力士與美光目前已在HBM市場建立明顯領先優勢。CXMT未來若想躋身全球一線記憶體廠，HBM技術將是重要挑戰。

MST Financial資深分析師David Gibson表示，上市並不會改變全球記憶體市場格局，目前整體需求仍大於供給，國際三大記憶體廠的競爭地位短期內不會受到影響。

他指出，中國本土需求仍將持續支撐CXMT成長，但受美國出口管制影響，公司無法取得極紫外光（EUV）微影設備，使其先進製程發展仍面臨限制。

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由於缺乏EUV設備，CXMT必須比競爭對手多使用約30%的晶圓，才能生產相同數量的記憶體產品，不僅增加成本，也降低製造效率，短時間內難以克服。

Counterpoint Research研究總監黃明生（MS Hwang）表示，CXMT正規劃於2026年底開始量產HBM，新建的上海晶圓廠也將投入AI晶片與HBM產品生產。

不過，他預估CXMT首批產品可能僅能達到HBM3或HBM3E水準，仍落後目前已邁向HBM4與HBM4E的國際競爭對手約一至兩個世代。

三星日前也在第二季法說會中表示，HBM4已開始擴大量產出貨，並率先向主要客戶提供全球首批HBM4E樣品，持續鞏固先進AI記憶體市場領先地位。

Gibson認為，CXMT未來確實有能力生產HBM產品，但由於良率仍偏低，初期產量恐怕有限，難以滿足大型AI客戶對高容量、高速度記憶體的需求。

Gibson同時指出，CXMT仍有望持續提升全球DRAM市占率，新增需求主要將來自中國市場，包括騰訊、字節跳動、阿里巴巴以及中國本土智慧型手機品牌。

根據Counterpoint Research統計，目前全球DRAM市場仍由三星以38%的市占率居冠，SK海力士占29%，美光占22%，CXMT則約為8%。

TrendForce分析師Ellie Wang表示，目前CXMT已向多家中國智慧型手機品牌供應記憶體，也逐步切入中國PC與伺服器市場，但產品仍以主流及中階DRAM為主，在高容量伺服器記憶體及AI伺服器用高階產品方面，仍與國際大廠存在明顯差距。

分析師認為，CXMT未來發展仍存在兩種可能。一方面，公司若能持續突破製程技術，有機會逐步縮小與國際大廠差距；另一方面，若無法突破設備限制與HBM等關鍵技術門檻，將難以真正挑戰全球記憶體三強。

Ellie Wang表示，依目前CXMT技術研發與量產進度來看，在AI帶動的記憶體需求趨於正常化之前，公司仍難以大幅縮小與國際領導廠商的技術差距，但仍持續投入新製程與新產品開發，希望逐步追趕市場領先者。

來源：CNBC

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