南韓記憶體大廠SK海力士宣布，將斥資11.95兆韓元（約80億美元）採購艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）微影設備，創下ASML客戶單筆最大公開訂單紀錄。記者黃仁杰／編譯

南韓記憶體大廠SK海力士宣布，將斥資11.95兆韓元（約80億美元）採購艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）微影設備，創下ASML客戶單筆最大公開訂單紀錄。

[caption id="attachment_210532" align="aligncenter" width="1536"] 南韓記憶體大廠SK海力士宣布，將斥資約80億美元採購極紫外光（EUV）微影設備，創下ASML客戶單筆最大公開訂單紀錄。（圖／AI 生成）[/caption]

根據公司申報資料，相關設備將於2027年12月底前交付，主要用於新一代產品量產。市場先前傳出，SK海力士正加快位於龍仁新廠建置時程，預計提前至2027年2月啟用，以因應AI帶動的記憶體需求。

分析指出，這批EUV設備將同時用於龍仁新廠與清州M15X廠區，支援高頻寬記憶體（HBM）與先進DRAM生產。NH投資證券分析師柳永浩表示，該訂單涵蓋AI所需的HBM與先進製程記憶體，是公司擴產關鍵布局。

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Bernstein分析師預估，此筆訂單相當於未來兩年採購約30台EUV設備，略高於原先預估的26台。

ASML則未對客戶計畫發表評論，但截至2025年底，其訂單積壓金額達388億歐元，顯示先進製程設備需求仍強勁。

在市場反應方面，ASML股價小幅上漲0.9%，而SK海力士股價則上漲5.7%，亦受先前傳出可能赴美募資利多帶動。

整體而言，隨著AI應用推升HBM與先進記憶體需求，SK海力士透過大規模設備投資，加速擴產與技術升級，進一步鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。

來源：路透社

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荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）研究團隊表示，已找到提升極紫外光（EUV）曝光機光源功率的方法，最快在2030年前，單機晶片產出量可提升最多50%，進一步鞏固其在全球市場對美國與中國潛在競爭者的技術領先地位。記者黃仁杰／編譯

路透社獨家報導，荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）研究團隊表示，已找到提升極紫外光（EUV）曝光機光源功率的方法，最快在2030年前，單機晶片產出量可提升最多50%，進一步鞏固其在全球市場對美國與中國潛在競爭者的技術領先地位。

[caption id="attachment_207574" align="aligncenter" width="1536"] 荷蘭半導體設備大廠ASML（艾司摩爾）研究團隊表示，已找到提升極紫外光（EUV）曝光機光源功率的方法，最快在2030年前，單機晶片產出量可提升最多50%。（圖／AI生成）[/caption]

艾司摩爾是全球唯一能商業化量產極紫外光微影（EUV）設備的廠商，該設備為晶圓代工與邏輯晶片製造的關鍵核心工具，包括台積電、英特爾等先進晶片製造商，皆仰賴其設備生產高階運算晶片。

艾司摩爾EUV光源首席技術專家Michael Purvis受訪指出，這項突破並非短暫實驗成果，而是可在客戶生產環境下穩定運作的系統。他透露，新系統可在符合既有製程條件下，穩定輸出1,000瓦光源功率，相較目前約600瓦水準大幅提升。

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由於EUV設備對先進晶片製造至關重要，美國歷屆政府均與荷蘭協調，限制相關設備出口至中國，促使中國啟動國家級計畫，自主研發類似設備。同時，美國也出現新創公司投入競爭，例如Substrate與xLight均募得數億美元資金，其中xLight更獲得川普政府支持。

此次技術進展為首度對外揭露。艾司摩爾藉由提升EUV光源至1,000瓦功率，強化設備每小時產能。光源功率越高，晶圓曝光時間越短，意味著每小時可處理更多晶圓，進而降低單顆晶片成本。

在晶片製程中，EUV光會照射在塗有光阻劑的矽晶圓上，原理類似攝影曝光。若光源更強，晶圓廠便能縮短曝光時間，加快生產節奏。

艾司摩爾NXE系列EUV機台執行副總裁Teun van Gogh表示，到本世紀末前，每台設備每小時可處理約330片晶圓，高於目前約220片的水準。依晶片尺寸不同，每片晶圓可切割出數十至上千顆晶片。

為達成這項突破，艾司摩爾持續強化其原本已屬全球最複雜設備之一的光源架構。EUV光波長為13.5奈米，設備透過高速噴射熔融錫滴，再以高功率二氧化碳雷射擊中，使其轉為電漿態並產生極紫外光。

隨著全球先進製程競逐升溫，這項光源功率提升若能順利量產，將有助於晶圓廠進一步壓低成本，同時維持EUV技術在先進製程中的核心地位。

來源：路透社

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路透社獨家調查發現，在中國深圳一處高度戒備的實驗室內，中國科學家已完成一台可產生極紫外光（EUV）的半導體設備原型機，這正是華府多年來試圖阻止中國取得的關鍵技術。這套設備於 2025 年初完成，目前正進行測試，體積幾乎佔滿整個廠房樓層。記者黃仁杰／編譯

路透社獨家調查發現，在中國深圳一處高度戒備的實驗室內，中國科學家已完成一台可產生極紫外光（EUV）的半導體設備原型機，這正是華府多年來試圖阻止中國取得的關鍵技術。這套設備於 2025 年初完成，目前正進行測試，體積幾乎佔滿整個廠房樓層。

[caption id="attachment_159503" align="aligncenter" width="1200"] 路透社獨家調查發現，在中國深圳一處高度戒備的實驗室內，中國科學家已完成一台可產生極紫外光（EUV）的半導體設備原型機。(圖／科技島資料照)[/caption]

知情人士透露，該原型機由一支曾任職於荷蘭晶片設備龍頭 ASML 的工程師團隊打造，透過逆向工程方式重建 EUV 技術。雖然該設備尚未成功生產可用晶片，但已能穩定產生極紫外光，顯示中國在先進製程設備上，距離突破西方封鎖的時間點，可能比外界預期更近。

ASML 執行長 Christophe Fouquet 今年 4 月才表示，中國要自行研發 EUV 設備仍需「很多很多年」，但這項首次由路透揭露的原型機，顯示中國可能將先進半導體自主時程提前數年。

EUV 是晶片戰爭的核心技術

EUV 設備被視為當前全球科技競爭的制高點。這項技術可在矽晶圓上刻劃比人類頭髮細上數千倍的電路，是 AI、智慧型手機與先進武器系統晶片不可或缺的核心。迄今為止，全球僅 ASML 一家公司掌握完整 EUV 商業化能力，其設備單價高達 2.5 億美元，客戶涵蓋台積電、英特爾與三星。

ASML 表示，公司從 2001 年打造第一台 EUV 原型機，到 2019 年量產商用設備，歷時近 20 年並投入數十億歐元研發資金。該公司也坦言，外界嘗試複製其技術並不意外，但難度極高。

「中國版曼哈頓計畫」祕密運作六年

知情人士指出，深圳 EUV 計畫是中國政府一項歷時六年的國家級行動，屬於國家安全機密，過去從未對外曝光。該計畫隸屬於中國半導體自立戰略，由中共中央科技委員會主導，最高層決策圈與國家領導人密切掌握進度。

多名人士形容，這項計畫的規模與保密程度，堪比美國二戰時期研發原子彈的「曼哈頓計畫」。目標非常明確，就是打造一套「完全由中國製造」的先進晶片生產設備體系，將美國與西方國家徹底排除在供應鏈之外。

華為成為關鍵協調中樞

在整個計畫中，華為扮演核心整合角色，負責串聯全中國的設計公司、研究機構與設備供應商，動員數千名工程師。知情人士透露，華為創辦人任正非會定期向中國高層簡報進度。

為維持高度保密，華為半導體團隊多數成員需長期駐點工作，平日不得返家，部分團隊甚至限制手機使用。不同團隊彼此隔離，成員往往只知道自己負責的任務，無法掌握全貌。

前 ASML 工程師是突破關鍵

知情人士指出，深圳原型機得以成功運作，關鍵在於一批退休或離職的前 ASML 華裔工程師。他們熟悉 EUV 光源、系統整合與製程細節，是逆向工程不可或缺的關鍵角色。

其中一名工程師受聘時，甚至配發假名身分證，在廠區內只能使用化名，凸顯計畫的高度隱密性。部分現任 ASML 的中國籍員工也表示，近年曾遭華為獵才單位接觸。

技術仍落後 但時程大幅提前

知情人士坦言，中國原型機在光學精度與穩定性上，仍明顯落後 ASML，特別是無法取得德國蔡司（Zeiss）生產的高階反射鏡，是目前最大瓶頸。不過，中國透過拆解舊型 ASML 設備、二手市場採購零組件，以及國內研究機構補位，已讓設備具備實驗運作能力。

官方目標是 2028 年以該原型機產出可用晶片，但內部評估認為 2030 年較為現實，即便如此，仍比市場原先預估的「至少十年」大幅提前。

西方封鎖效應正在失效

美國自 2018 年起施壓荷蘭，阻止 ASML 向中國出售 EUV 設備，並於 2022 年擴大管制範圍，連較舊的 DUV 設備也納入限制。然而，路透調查顯示，中國正透過回收舊機、轉手採購與零組件拆解，逐步削弱出口管制的實際效果。

一名半導體分析師指出，只要中國能讓 EUV 光源穩定、功率足夠且污染可控，「剩下的只是時間問題」。他直言，中國最大的優勢在於，商用 EUV 已存在，並非從零開始。

來源：路透社

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台積電近期釋出了一段亞利桑那州鳳凰城的Fab 21廠區影片，其中最引人注目的無疑是艾司摩爾（ASML）的Twinscan NXE極紫外光（EUV）微影設備，這些機台正是製造輝達Blackwell B300處理器等最複雜電路的關鍵核心。記者孫敬／編譯

台積電近期釋出了一段亞利桑那州鳳凰城的Fab 21廠區影片，影片中展示了數百台高科技設備，有條不紊地為多家美國公司製造晶片，其中最引人注目的無疑是艾司摩爾（ASML）的Twinscan NXE極紫外光（EUV）微影設備，這些機台正是製造輝達Blackwell B300處理器等最複雜電路的關鍵核心。

延伸閱讀：美光證實退出中國伺服器市場 聚焦海外AI需求填補營收缺口

[caption id="attachment_195970" align="aligncenter" width="1920"] 台積電釋出的影片可以清楚看到Twinscan NXE極紫外光（EUV）微影設備。（圖／台積電）[/caption]

台積電罕見公開廠房內的作業流程

這段影片深入瞭解Fab 21第一階段工程，該廠區正逐步提升N4和N5製程技術（4奈米和5奈米等級）的產量。鏡頭帶領觀眾穿越一座座黃光無塵室，透過黃色濾光片過濾短波長光線，防止光阻材料意外曝光。

影片的開場展現台積電著名的銀色高速公路 ，即自動化物料搬送系統（AMHS），由高架軌道組成，運送著搭載300mm晶圓的FOUP傳送盒。數百個前開式晶圓傳送盒（FOUP）傳送盒在軌道上運行，反映在高效能製造（HVM）環境中，維持週期時間所必需的嚴謹物流管理。

魏哲家透露台積電將加速升級N2製程

影片的核心聚焦ASML的EUV掃描機（很可能是Twinscan NXE:3600D），以類似於電影《奧本海默》的風格，描繪了在晶圓列印電路圖案的過程。EUV微影技術利用雷射產生的電漿，從錫液滴中發出波長13.5奈米的極紫外光，在腔室中可見到紫色電漿點燃的畫面。光線隨後照射到晶圓上，為當前製程節點單次曝光，即可創建解析度低至約13奈米半間距的複雜圖案。

影片同時展示EUV技術的挑戰，例如疊對準確度必須控制在數奈米內（NXE:3600D的要求為1.1奈米），以及傳統光學元件無法用於EUV光線，需要使用反射鏡等問題。雖然影片並未展示晶圓載物台和光罩護膜等細節，但EUV關鍵設備已確實導入台積電Fab 21廠。目前，Fab 21第一階段主要為蘋果、超微（AMD）和輝達等（NVIDIA）公司提供N4和N5製程晶片。

[embed]https://twitter.com/BourbonCap/status/1964721327463714918[/embed]

台積電董事長魏哲家上週向分析師與投資人透露，由於客戶對AI相關需求強勁，台積電正準備在亞利桑那州加速升級技術至N2及更先進的製程，涵蓋目前正在建造中的Fab 21第二階段，該廠區原計劃生產N3製程，現在將擁有生產N3和N2系列製程晶片的能力，而這原是為第三階段所規劃的。

魏哲家進一步指出，公司即將取得附近第二塊大型土地，以支持目前的擴建計畫，並為未來幾年強勁的AI相關需求提供更大的靈活性。台積電目標在亞利桑那州擴大成為一個獨立的超大晶圓廠（Gigafab）聚落，以支持智慧型手機、AI 和高效能運算等領域領先客戶的需求。按照台積電的定義，月產能超過 10 萬片晶圓的廠區即稱為超大晶圓廠。

資料來源：Tom's Hardware

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台積電預計將於2025年年底在中科（台中科學園區），動土興建1.4奈米（A14）製程晶圓廠，但量產預計要等到2028年下半年。記者孫敬／編譯

根據台灣媒體報導，台積電預計將於2025年年底在中科（台中科學園區），動土興建1.4奈米（A14）製程晶圓廠，但量產預計要等到2028年下半年。這個製造時程與先前預期一致，台積電內部透露，A14製程有望降低30%的功耗。

延伸閱讀：迎接Rubin Ultra時代！輝達發表Kyber機架伺服器 功耗效率提升150%

[caption id="attachment_130204" align="aligncenter" width="1024"] 台積電104奈米量產還要等到2028年。（圖／科技島資料照）[/caption]

台積電疑棄ASML的EUV設備改採多重圖案化技術

1.4奈米製程的研發工作目前正在台積電新竹廠區進行，同時，台中廠區的招聘作業也已展開。今年8月，中科廠區已有三座廠房獲得施工許可。為實現其1.4奈米計劃，台積電的初期投資金額可能達新台幣1.5兆元（約490億美元）。其中很大一部分資金，很可能將用於2027年採購30台極紫外光（EUV）微影設備。

金融分析師Dan Nystedt透過X平台指出，台積電預計不會採購艾司摩爾（ASML）最新的高數值孔徑EUV（High−NA EUV）設備，因為這些機台單價高達4億美元，對台積電來說是一筆極為昂貴的投資。台積電先前曾表示，現有的EUV硬體能力已足以應付1.4奈米晶圓的大規模生產。

因此，這家台積電很可能將轉而採用複雜的多重圖案化（Multi−Patterning）技術，這與中芯國際（SMIC）用於開發5nm製程的方式相似。這種替代方案的缺點是耗時且成本高昂，初期無法保證滿意的良率，這將迫使台積電必須試錯逐步完善1.4奈米製程。

台積電與中芯國際之間最大的區別在於，前者已經擁有專門的EUV設備來實現這種複雜的製造方式。鑑於大規模量產的時間點仍在數年之後（2028年下半年），台積電擁有充裕的時間來完善這個尖端製程節點。

https://twitter.com/dnystedt/status/1977920705351279055

資料來源：wccftech

這篇文章 台積電1.4奈米廠年底動工！2028下半年量產、1.5兆新台幣投資聚焦EUV機台 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。

Rene Haas強調，在半導體產業，無論是晶圓廠（Fab）投資、架構定義或生態系統建立，都需要極漫長的時間。一旦錯過關鍵機會，時間將會懲罰你。記者孫敬／編譯

針對外界對於英特爾（Intel）能否成為台積電有效替代品的激烈辯論，Arm執行長Rene Haas近日在《All In Podcast》節目中直言，英特爾已經在幾個領域受到挫折，導致追趕之路格外艱辛。

Rene Haas強調，在半導體產業，無論是晶圓廠（Fab）投資、架構定義或生態系統建立，都需要極漫長的時間。一旦錯過關鍵機會，時間將會懲罰你。

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[caption id="attachment_194552" align="aligncenter" width="1920"] Arm執行長Rene Haas受訪時直言英特爾會走下坡的關鍵原因。（圖／All-In Podcast）[/caption]

英特爾錯過行動裝置與EUV技術兩大機會

Rene Haas指出，英特爾所受的懲罰主要來自於兩大關鍵時機的錯失。

首先，英特爾完全錯失了行動通訊市場（Mobile Segment）。Rene Haas表示，這項決定性失誤可能發生在2000年代中期，當時英特爾將重心放在消費級PC處理器，未能掌握為蘋果（Apple）iPhone生產低功耗行動晶片的機會。儘管英特爾後續推出了低功耗系統單晶片（SoC）「Atom」系列，但因不足以整合進蘋果產品線導致合作破局。前英特爾執行長歐德寧（Paul Otellini）後來也坦承，這是公司做過最大的錯誤之一。

Rene Haas認為，一旦落後於晶片製造，追趕就會非常、非常困難，因為整個產業的發展週期會將後進者拋在身後。他提到，如今台積電擁有全世界最好的晶圓廠，包括蘋果、輝達（NVIDIA）和超微（AMD）等業界龍頭都選擇在台積電進行晶片製造。

其次，Rene Haas點出英特爾在採用極紫外光（EUV）技術上行動遲緩。EUV是當前製造最微小晶片所依賴的先進技術。Rene Haas觀察大約在十年前，英特爾沒有像台積電那樣以同等的速度進行投資，導致在製程技術上落後。

除了技術層面的失誤，Rene Haa坦言，西方國家尚未訓練出一代人，將製造業工作視為既收入豐厚又享有聲望的職位。在美國，這些工作往往被視為藍領工作，導致人才不願投入。

然而，在台灣，觀念完全相反。Rene Haas 強調：「在台灣，如果你說你為台積電工作，或者你正在努力朝那個方向學習，這是一件極具榮譽和聲望的事情。」

資料來源：Wccftech

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荷蘭政府禁止艾司摩爾（ASML）出售「極紫外光曝光機」（EUV）給中國，中國一旦犯台ASML和台積電都可遠端關閉EUV，國科會主委吳誠文表示認同，以半導體產業智慧製造技術確實可以。

記者／蔡哲明

荷蘭政府禁止艾司摩爾（ASML）出售「極紫外光曝光機」（EUV）給中國，中國一旦犯台，ASML和台積電都可遠端關閉EUV，國科會主委吳誠文表示認同，以半導體產業智慧製造技術確實可以。

全球唯一生產EUV的只有ASML，已在美中科技戰爭扮演最後拼圖，荷蘭政府長期管制ASML科技，為了防止落入敵國之手；美國積極介入荷蘭政府禁止ASML出售EUV，便是擔心對手中國順利取得，將在晶片戰爭中逆勢取勝。

根據報載，荷蘭半導體生產設備製造商ASML及台積電，可讓晶片製造設備EUV停止運作，吳誠文主委參與立法院教育及文化委員會質詢回應，以目前的半導體產業智慧製造技術可以做到。

國科會回應立委關於中國滲透的相關策略，關於列出國家核心關鍵技術清單，吳誠文表示，國科會將以臺灣的國家發展、安全為優先，隸屬自由民主社會的一份子，也會遵循國內政策法令以及國際規範限制，國科會的態度依舊沒有動搖。

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站在科技浪頭、探索尖端趨勢，【科技島】每日帶給您最新產業新知，並由AI主播為您編輯播報當日熱門科技新聞，讓您 …

站在科技浪頭、探索尖端趨勢，【科技島】每日帶給您最新產業新知，並由AI主播為您編輯播報當日熱門科技新聞，讓您 3 分鐘掌握天下事！

一、外媒認證iPhone SE將成Android殺手

主打小尺寸、平價的蘋果旗下 iPhone SE 系列，一直以來都是果粉入手便宜 iPhone 的最佳選項，市場預測這款產品將在 2025 年帶來與當前版本差異極大的設計與升級，更將換上與 iPhone 14 相同的設計，讓外媒看好有望成為 Android 殺手，甚至在中階價位手機市場大受歡迎。

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二、防止入侵　台積電 EUV 機器配備遠端自毀功能

外傳，如果中國入侵台灣，艾司摩爾和台積電有辦法遠端讓世界上最先進的晶片製造機器癱瘓。報告指出，台積電由ASML製造的EUV 機器安裝了「終止開關」，可以遠端停用機器，不過，台灣國家安全局表示，摧毀台積電設施是不必要的舉動，因為生產高階晶片需要的不只是工廠，還有關鍵零件。

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三、加速企業採用　戴爾和輝達合作創建AI工廠

戴爾宣布擴大與輝達的合作，包括建造一個「AI工廠」。「AI工廠」把兩家公司的硬體和軟體結合，簡化和加速AI採用，能將設置時間縮短86%；黃仁勳把這次合作形容為「AI運算史上進入市場最大的一次」，並重申「無論是氣冷還是水冷，只有戴爾有能力構建計算機網路、記憶體，並與令人難以置信的軟體整合。」

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四、ChatGPT App訂閱率激增

OpenAI 推出最新GPT-4o帶來了眾多改進，包括更快的性能、多模態功能、新的語音模式及上傳截圖和文件的能力等，用戶紛紛湧向GPT-4o。由於GPT-4o只在網頁版免費提供，行動裝置必須升級到 ChatGPT Plus 才能試用，因此許多用戶都開始訂閱ChatGPT Plus，在GPT-4o發布當天，ChatGPT行動營收成長了22％。

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五、10大熱銷手機　蘋果第一Android機王洗牌

今年4月台灣熱銷手機排行榜由iPhone 15 Pro Max 256GB奪冠，第二名是iPhone 15 Pro 256GB，第三名則由三星中階手機Galaxy A55 5G 256GB拿下，這是A55首次進榜，3月在台開賣後擠下霸榜多月的Galaxy A54，成為台灣最熱賣Android機王；OPPO則以8千元有找的A79 5G 128GB買氣迅速爬升，首次進榜排名第7。

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六、科學家發明牛奶蛋白凝膠　減少酒精對肝臟傷害

瑞士科學家發明了一種以蛋白質為基礎的凝膠，將酒精分解過程從肝臟轉移到消化道，並轉化成無害的乙酸，不會產生乙醛，酒精副作用對身體的傷害也就減小；目前這款凝膠只在小鼠身上測試，結果顯示成功降低約56%酒精含量，也減少乙醛累積，證明凝膠可以有效且安全地保護肝臟，有助減少身體負擔。

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站在科技浪頭、探索尖端趨勢，【科技島】每日帶給您最新產業新知，並由AI主播為您編輯播報當日熱門科技新聞，讓您 3 分鐘掌握天下事！

一、摺疊機難產？傳蘋果找上三星

三星、華為等品牌相繼投入摺疊手機，讓市場進入快速成長期，多年來有關摺疊 iPhone 傳聞不斷近日終於出現曙光；知情人士表示，蘋果已經針對摺疊設備開發與三星達成協議，三星極有可能成為 Apple 可摺疊裝置螢幕的供應商，不過蘋果的首款摺疊產品未必是摺疊 iPhone，有傳聞蘋果可能會先推出摺疊 iPad。

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二、Google I/O 2024推出最強 AI助理

Google開發者大會上推出最新AI產品 Project Astra，希望成為通用AI助理，徹底改變人們的生活。Astra擁有更自然的互動節奏，就像是真人對話，除了能透過手機相機識別物體及回答有關程式碼的查詢外，最突出的功能之一是透過分析周圍環境和回憶過去互動，幫使用者找到不見的物品，例如放錯位置的眼鏡。

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三、美國提高中國電動車等多項產品關稅

拜登政府宣布大幅提高從中國進口關鍵產業商品的關稅，恐怕讓中美關係更緊張。白宮指出為了解決中國在技術轉移、智慧財產權和創新方面的不公平貿易行為，將提高鋼鐵、鋁、半導體、電動車、電池、關鍵礦物、太陽能電池、船岸起重機和醫療產品等戰略產業的關稅，預計將影響約 180 億美元的年度進口。

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四、ASML曝光機成本高   台積電考慮不採用

儘管台積電目前嚴重依賴荷蘭艾司摩爾的傳統 EUV 機器，但卻似乎不打算使用ASML下一代高數值孔徑極紫外光High-NA EUV曝光機來開發A16 晶片的製造技術，台積電高層張曉強強調「他喜歡這項技術，但他不喜歡標價。」在決定整合High-NA EUV時，必須在經濟可行性和技術進步之間實現最佳平衡。

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五、馬斯克後悔了！著手召回超級充電團隊員工

才剛解散超級充電團隊兩週，特斯拉執行長馬斯克似乎已經後悔，正在回聘團隊的部分員工，包括特斯拉北美充電總監 Max de Zegher，而馬斯克當初解僱超級充電團隊的決定震驚了投資者、合作夥伴和客戶，尤其是通用、福特和賓士等才剛採用特斯拉充電技術的主要汽車製造商，目前還不清楚有多少員工被召回。

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六、貝佐斯太空公司Blue Origin 將於19日再次展開載人飛行

Blue Origin宣布，將於美東時間19日上午執行最新次軌道太空旅行任務NS-25，預計從德州西部的發射場升空，乘客名單已經公布，包括90歲美國首位非裔太空人候選人Ed Dwight、風險投資家Mason Angel、法國白朗峰啤酒廠創辦人Sylvain Chiron、企業家Kenneth Hess、退休會計師Carol Schaller和飛行員Gopi Thotakura。

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應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

記者/林育如

應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

應材表示，為了最佳化晶片的面積和成本，愈來愈多客戶運用極紫外光雙重圖案化技術 （EUV double-patterning），來轉印比EUV解析度極限更小的晶片特徵（chip features）。EUV雙重圖案化技術，晶片製造商可將高密度的圖案分成兩半，並產生兩個符合EUV解析度極限的光罩；這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結合，然後蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高晶片特徵的密度，但也增加了消耗時間、能源、材料和水的製程步驟，造成晶圓廠和晶圓生產成本的增加。

為協助晶片製造商在持續縮小設計之際，卻不增加EUV雙重圖案化的成本、複雜性以及能源和材料消耗，應用材料公司與一流客戶密切合作，開發了Centura Sculpta圖案化系統。現在，晶片製造商可以轉印單一的EUV圖案，然後利用Sculpta系統在任何選定的方向拉長形狀，以減少特徵之間的空隙並提高圖案的密度。由於最終圖案是透過單一的光罩所產生，不但降低設計的成本和複雜性，也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風險。

應用材料公司表示，Sculpta系統可以提供晶片製造商以下效益，包括：每月10萬片初製晶圓 （wafer starts） 的產能將可節省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節省約50美元的製造成本、每片晶圓可節約能源超過15千瓦時 （kwh）等。

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理Prabu Raja博士表示，新的Sculpta系統充分證明了材料工程的進步，可以補強EUV微影技術，協助晶片製造商最佳化晶片面積和成本，並解決先進晶片製程日益增加的經濟和環境挑戰。Sculpta系統獨特的圖案成形技術，結合了應用材料公司在帶狀離子束 （ribbon beam） 和材料移除技術方面的深厚專業知識，提供了突破性的創新工具。

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