三星（Samsung）的晶圓代工業務在2奈米製程上取得重大突破，其第一代2奈米環繞式閘極（GAA）良率傳出已達到30%。記者孫敬／編譯

根據外媒報導，三星（Samsung）的晶圓代工業務在2奈米製程上取得重大突破，其第一代2奈米環繞式閘極（GAA）良率傳出已達到30%，儘管並非理想，但已遠優於之前3奈米製程所面臨的困境。隨著旗艦晶片Exynos2600預計於9月底開始量產，顯示三星已準備好大規模生產，而不會產生巨大虧損。

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[caption id="attachment_125262" align="aligncenter" width="1024"] 三星Exynos2600晶片即將投入量產。（圖／科技島資料照）[/caption]

10核心CPU加持！Exynos2600實測跑分追平高通，更導入專屬散熱技術

在技術競爭力方面，2奈米GAA（代號SF2）製程相較於3奈米GAA，性能提升12%、功耗效率25%提升，以及5%的晶片面積縮減。此外，Exynos2600也將採用BSPDN（背面供電）技術，以進一步改善功耗表現。

雖然三星的晶圓代工聲譽曾因過往事件受損，如果Exynos2600成功上市，將有機會吸引流失的客戶回流，並開始向三星下單。此前，特斯拉已與三星簽訂一筆高達165億美元的晶片代工協議，顯示市場對三星的信任度正逐步恢復。

Exynos2600的CPU據稱將採用10核心配置，包含1個3.80GHz的高性能核心、3個3.26GHz的高功率核心，以及6個2.76GHz的效率核心。即使先前的測試分數不佳，但最新的Geekbench6跑分結果顯示，在多核心效能上，Exynos2600已能追平降規版的高通Snapdragon8 Elite Gen5。

為了解決核心數增加可能帶來的功耗與發熱問題，三星在Exynos2600上首次採用HPB（Heat Pass Block）技術，此技術將作為晶片散熱片，有效降低與周圍DRAM晶片產生的熱量，而Exynos2600也可能保留使用FOWLP（Fan-out Wafer Level Packaging）封裝技術，進一步提升散熱效能並確保性能穩定。

在市場策略上，三星Galaxy S Ultra系列旗艦機，過去三年全面採用高通晶片。然而，有分析師推測，隨著Exynos2600進入量產，三星可能會在下一代Galaxy S26 Ultra上，重新採用雙晶片供應策略，讓部分市場消費者也能體驗到Exynos2600的效能。

資料來源：Wccftech

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