Rapidus近日宣布其2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體，已在北海道千歲市的「創新整合製造（IIM-1）」晶圓廠啟動原型試作。記者孫敬／編譯

日本半導體國家隊Rapidus，這家專注於先進邏輯半導體製造的企業，近日宣布其2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體，已在北海道千歲市的「創新整合製造（IIM-1）」晶圓廠啟動原型試作。隨著首批晶圓開始進行電性特徵量測，這也象徵著日本在先進半導體製程發展上，邁出了關鍵性的一大步。

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[caption id="attachment_183386" align="aligncenter" width="1024"] Rapidus的2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體矽晶圓原型。（圖／Rapdis）[/caption]

IIM-1新典範：全單晶圓與EUV技術雙箭齊發

Rapidus的IIM-1晶圓廠代表著對傳統晶圓代工模式的重大突破，該公司正透過尖端技術，重新定義半導體工廠如何即時思考、學習、適應並優化生產流程，其中包括兩大關鍵技術：

1. 全面導入「全單晶圓前段製程」： 在單晶圓製程中，可以針對單一片晶圓進行調整與檢測，若成功，便能將調整後的參數應用於所有後續的晶圓。單晶圓製程能捕捉到更多數據，進而訓練AI模型以優化晶圓生產並提升良率。Rapidus宣稱，他們是首批將全面單晶圓製程商業化的公司之一，這也是其「快速與統一製造服務（Rapid and Unified Manufacturing Service, RUMs）」的核心理念。
2. 極紫外光（EUV）微影技術： EUV微影技術是實現2奈米半導體的關鍵技術之一。先進的微影製程對於2奈米世代的GAA結構至關重要。Rapidus不僅是日本首家安裝先進EUV設備的公司，更在2025年4月1日，也就是設備於2024年12月交付約三個月後，便成功完成了EUV曝光測試，展現其技術推進的速度與效率。

在不到三年的時間裡，Rapidus已經達成IIM-1廠的階段性目標，從2023年9月的破土動工，到2024年潔淨室完工，以及2025年6月全球超過200台最先進半導體設備的連接上線，這些成就，皆與今日宣布的2奈米GAA電晶體原型試作與電性特徵量測相輔相成。

Rapidus正積極開發與IIM-1廠2奈米製程相容的「製程開發套件（Process Development Kit, PDK）」，並計畫在2026年第一季率先提供給合作客戶，同時準備讓客戶能自行啟動原型試作的環境，目標在2027年正式開始量產2奈米晶片。

資料來源：Rapidus、PR Newswire

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為了加速在美國德州泰勒市新設晶圓廠的建置與量產進度，據媒體報導，多位來自三星總部的半導體精英，正陸續被派往這座位於美國的先進晶圓廠。記者孫敬／編譯

為了加速在美國德州泰勒市新設晶圓廠的建置與量產進度，據媒體報導，多位來自三星（Samsung）總部的半導體精英，正陸續被派往這座位於美國的先進晶圓廠，而這些被派遣的人員，都是在製程、設備、良率和品質方面擁有深厚實力與經驗的專家，還包括了許多負責3奈米以下先進製程的技術人員。

外界預期，這些精銳部隊將在美國廠區內，根據客戶的產品規格，直接進行設備安裝與良率驗證等關鍵工作，務求加快新廠投入營運的腳步。

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[caption id="attachment_66070" align="aligncenter" width="1200"] 三星近期將重點人才移至德州泰勒市新設晶圓廠。（圖／科技島圖庫）[/caption]

三星2奈米GAA製程挑戰良率，盼2026大規模量產

這次三星總部加派人手前往泰勒廠，外界普遍認為，是為了加快新廠的完工速度，因為美國當地可能已有不少企業對三星的代工能力表達興趣，準備下達高利潤的晶片訂單。據悉，三星泰勒廠預計在2026年第一季投產，大規模製造2奈米GAA（閘極全環）晶圓。

儘管目前2 奈米GAA技術的良率大約落在30%，但三星已展現決心，Exynos 2600處理器的2奈米原型量產已經悄悄啟動。更有一份獨立報告指出，三星的目標是在今年底前將2奈米良率提升到70%，更完成了第二代2奈米GAA製程的基本設計。若一切順利，三星甚至有望在兩年內實施第三代2奈米GAA製程（SF2P+）。

資料來源：Wccftech

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Snapdragon 8 Elite Gen 2的其中一個版本，代號「Kaanapali S」，可能將採用三星的2奈米GAA（Gate-All-Around，環繞閘極）技術。記者孫敬／編譯

儘管先前傳出三星在爭奪高通（Qualcomm）Snapdragon 8 Elite Gen 2旗艦晶片訂單上失利，訂單全數由台積電3奈米「N3P」製程獨攬，但最新報導指出，Snapdragon 8 Elite Gen 2的其中一個版本，代號「Kaanapali S」，可能將採用三星的2奈米GAA（Gate-All-Around，環繞閘極）技術。目前，該晶片正處於試產階段。

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[caption id="attachment_140984" align="aligncenter" width="1200"] 三星一揮先前台積電失利陰霾，重拼與高通的合作。（圖／科技島圖庫）[/caption]

Snapdragon 8 Elite Gen 2可能將採雙版本策略

在2025年第一季的財報會議上，三星電子重申其對穩定2奈米GAA良率的信心，並表示將從2025年下半年開始接受訂單。據悉，三星自家的Exynos 2600原型晶片已進入量產階段，目標是在未來數月內將良率提升至50%。這項顯著的進展，可能正是激起高通對三星2奈米GAA技術興趣的關鍵。

根據南韓媒體《Business Post》引述知名爆料者@Jukanlosreve在社群平台X上的貼文，即將推出的Snapdragon 8 Elite Gen 2晶片預計將有兩個版本。其中，基本版據傳將由台積電的3奈米N3P節點進行大規模生產。而另一個版本，即傳聞中的「Kaanapali S」，則將採用三星的2奈米GAA製程。消息指出，三星2奈米GAA的良率近期已超越40%。

值得注意的是，採用三星2奈米GAA製程生產的Snapdragon 8 Elite Gen 2版本，據稱將獨家供應給三星自家的Galaxy S26系列智慧手機。目前，該晶片正在進行測試生產，若三星能順利通過此階段，量產計畫將於2025年下半年啟動，並預計在2026年第一季正式進入大規模生產。儘管目前尚無三星晶圓代工每月可生產的晶圓數量預估，但從近期的進展來看，預計到今年底，產能數字將大幅攀升。

與此同時，台積電已於今年4月1日起開始接受2奈米技術的訂單。儘管台積電在尖端製程競賽中目前仍處於領先地位，但三星電子有望透過其首款2奈米解決方案的問世，在市場上發出強而有力的聲音。

資料來源：Wccftech

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