SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。執行長郭魯正並預期，目前記憶體晶片供應短缺的情況可能一路延續至2030年底。記者黃仁杰／編譯

SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。執行長郭魯正並預期，目前記憶體晶片供應短缺的情況可能一路延續至2030年底。

[caption id="attachment_270431" align="aligncenter" width="1536"] SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。（圖／AI生成）[/caption]

SK海力士在印第安納州投資超過40億美元，隨著AI基礎設施投資持續推升HBM需求，公司希望將生產據點拉近輝達、微軟與Google等美國主要客戶。郭魯正表示，該基地未來年產能最終可達數十萬片晶圓規模。

2028年啟用無塵室 2029年HBM4E量產

SK海力士位於西拉法葉（West Lafayette）普渡研究園區（Purdue Research Park）的據點，預計2028年下半年啟用無塵室，2029年第3季開始量產HBM4E，並希望在2030年前將當地打造為公司在美國的重要HBM生產基地。

該基地將設置下一代HBM封裝產線以及AI半導體研發設施，並與SK海力士南韓生產基地密切整合。

依照規畫，先進晶圓仍將在南韓生產，再運往印第安納州進行封裝與測試，最後供應美國客戶。

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SK海力士表示，隨著各國競相擴建AI基礎設施，印第安納州據點將串聯南韓與美國生產體系，不僅有助穩定美國半導體供應鏈，也將強化AI時代的經濟與安全韌性。

記憶體缺貨看到2030年底

對於目前記憶體景氣，郭魯正表示，現階段尚未看到明確的反轉跡象，預期供應短缺將持續至2030年底。

他認為，即使未來需求成長放緩，也較可能是增速趨緩，而非需求大幅下滑，因此並不擔心2030年之後的市場展望。

HBM透過垂直堆疊多層DRAM，提高資料傳輸速度並降低功耗，已成為AI加速器的重要零組件。由於HBM必須與AI處理器高度整合，技術門檻高於傳統記憶體，也讓供應商擁有較高的議價能力。

Counterpoint Research統計顯示，2026年第1季SK海力士以營收計算占全球HBM市場58%，大幅領先三星電子與美光，後兩者市占率均為21%。

印第安納投資估創造7千個工作機會

SK海力士預估，印第安納州廠區與相關供應鏈投資將在當地創造約7,000個直接與間接工作機會。

美國政府已於2024年12月依《晶片法案》（CHIPS Act），敲定向SK海力士提供4.58億美元補助，以及最高5億美元貸款。

另一方面，SK海力士本月稍早也批准至2031年在南韓投入約54.3兆韓元、約383億美元，其中35.2兆韓元將用於龍仁與清州半導體生產基地的後續建設。

至於旗下NAND Flash業者Solidigm赴美上市計畫是否已經撤回，郭魯正表示，目前相關方案仍在討論，尚未決定放棄美國IPO計畫。

來源：路透社

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南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）加速布局美國AI供應鏈，8月27日在美國印第安納州舉行超過40億美元新廠動工儀式，預計2029年第三季開始量產下一代高頻寬記憶體（HBM4E）。記者林育如／編譯

南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）加速布局美國AI供應鏈，8月27日在美國印第安納州舉行超過40億美元新廠動工儀式，預計2029年第三季開始量產下一代高頻寬記憶體（HBM4E）。

[caption id="attachment_268103" align="alignnone" width="812"] 南韓記憶體大廠SK海力士在美國印第安納州舉行超過40億美元新廠動工儀式。（圖／AI生成）[/caption]

SK海力士CEO：供應緊張恐延續至2030年底

SK海力士執行長郭魯廷（Kwak Noh-jung）表示，人工智慧（AI）投資持續推升高頻寬記憶體需求，目前尚未看到記憶體需求明顯下滑的跡象。他預期，即使未來市場成長速度放緩，也較可能是增速降低，而非需求大幅下滑，全球記憶體供應緊張情況可能持續至2030年底。

印第安納成美國重要HBM基地　2030年擴大AI記憶體布局

SK海力士新廠位於印第安納州西拉法葉（West Lafayette）的普渡研究園區，預計2028年下半年開始無塵室運作，廠內將設置新一代HBM封裝產線，以及AI半導體研發設施。SK海力士預期，到2030年，印第安納州將成為公司在美國的重要HBM生產基地。

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公司表示，此次投資將進一步建立美國先進記憶體供應鏈，並讓生產更接近NVIDIA、微軟（Microsoft）及Google等主要客戶。這項布局也反映AI資料中心持續擴張，帶動市場對HBM等高階記憶體需求快速增加。

資料來源：通寶半導體搶攻Edge AI、機器人市場 SEMICON秀五大晶片技術

HBM不是AI運算晶片　卻是AI伺服器關鍵零組件

值得注意的是，SK海力士在印第安納州布局的核心並非NVIDIA GPU這類AI運算晶片，而是AI加速器高度依賴的HBM高頻寬記憶體。HBM透過垂直堆疊記憶體晶片，提高資料傳輸速度並降低功耗，適合AI應用龐大的運算需求。

目前HBM已成為記憶體產業的重要成長動能。Reuters指出，2026年第一季SK海力士以營收計算占全球HBM市場58%，領先三星電子與美光科技各自21%的市占率。

SK海力士此次在美國擴大投資，除了因應AI記憶體需求，也有助於建立更完整的北美供應鏈。若AI基礎建設投資持續維持高檔，HBM需求可望持續成長，SK海力士提前布局美國產能，也將進一步強化其在全球高階AI記憶體市場的競爭力。

資料來源：Reuters、CNBC

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SK海力士日宣布，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，搶先布局下一波AI晶片升級潮，進一步鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。記者黃仁杰／編譯

SK海力士日宣布，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，搶先布局下一波AI晶片升級潮，進一步鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。

[caption id="attachment_226401" align="aligncenter" width="1536"] SK海力士日宣布，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，搶先布局下一波AI晶片升級潮，進一步鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。（圖／AI生成）[/caption]

SK海力士表示，最新12層堆疊HBM4E每個I/O針腳（Pin）傳輸速度最高可達16Gbps，較前一代產品具備更高頻寬表現，同時能源效率提升超過20%。

目前SK海力士為輝達（NVIDIA）最主要的HBM供應商，在AI記憶體市場占據領先地位。三星電子與美光則持續追趕，希望爭取更多AI晶片客戶訂單。

來源：路透社

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隨著記憶體大廠在 HBM4 時代加速導入客製化邏輯層，晶圓代工領導者台積電也同步端出更多技術突破。德國媒體 HardwareLUXX 報導，台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程，並把電壓從 0.8 伏特降至 0.75 伏特；台積電表示，該製程將帶來「較現行 DRAM 製程約 2 倍的能源效率」。記者黃仁杰／編譯

隨著記憶體大廠在 HBM4 時代加速導入客製化邏輯層，晶圓代工領導者台積電也同步端出更多技術突破。德國媒體 HardwareLUXX 報導，台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程，並把電壓從 0.8 伏特降至 0.75 伏特；台積電表示，該製程將帶來「較現行 DRAM 製程約 2 倍的能源效率」。

[caption id="attachment_94086" align="aligncenter" width="1200"] 台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程。（圖／科技島資料照）[/caption]

報導指出，這些內容來自台積電於上週在阿姆斯特丹舉行的 OIP（Open Innovation Platform）生態系論壇簡報。除了客製化版本外，HBM4 時代的基底（base die）本身也會因更先進製程而迎來重大升級。與 HBM3E 使用標準 DRAM 製程不同，台積電計畫以 N12 製程打造 HBM4 基底晶片，將操作電壓從 1.1 伏特降至 0.8 伏特。HardwareLUXX 指出，此舉預期可帶來約 1.5 倍的效率提升。

更引人注目的是，C-HBM4E 不僅升級至 N3P 製程，其基底晶片還將整合記憶體控制器——這些元件以往通常位於與 HBM 相連的主晶片（如 GPU、TPU）上——這意味著 PHY（實體介面）也將採用客製化方案。

在市場需求方面，台積電已開始承接多家客製化 HBM 邏輯層訂單。Tom’s Hardware 報導，Micron 已委託台積電負責其 HBM4E 的基底邏輯晶片，目標於 2027 年投入量產。另一家關鍵合作夥伴 SK hynix 也被韓國經濟日報引述，將於明年下半年推出首款客製化 HBM4E。

根據韓國金融時報（Korea Financial Times）的消息，SK hynix 將採用台積電 12 奈米製程打造主流伺服器用基底晶片，而針對 NVIDIA 旗艦 GPU 與 Google TPU 等高階需求，則會升級至 3 奈米等級的客製版本。

來源：trendforce

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