三星電子（Samsung）正加速布局下一代DRAM技術。根據韓媒《ZDNet Korea》報導，三星已開始與設備供應商討論1d DRAM生產規劃，目標最快於2027年底啟動量產，進一步搶攻AI時代高頻寬記憶體（HBM）市場商機。記者黃仁杰／編譯

三星電子（Samsung）正加速布局下一代DRAM技術。根據韓媒《ZDNet Korea》報導，三星已開始與設備供應商討論1d DRAM生產規劃，目標最快於2027年底啟動量產，進一步搶攻AI時代高頻寬記憶體（HBM）市場商機。

[caption id="attachment_226460" align="aligncenter" width="1536"] 根據韓媒《ZDNet Korea》報導，三星已開始與設備供應商討論1d DRAM生產規劃，目標最快於2027年底啟動量產，進一步搶攻AI時代高頻寬記憶體（HBM）市場商機。（圖／AI生成）[/caption]

報導指出，1d DRAM是目前記憶體產業最新世代技術節點，相當於美光（Micron）所稱的1-delta製程。三星目前主力DRAM產品仍採用1c製程生產，而1c也是現階段平面DRAM技術中最先進的一代。

三星1c DRAM大量運用極紫外光（EUV）微影技術與金屬閘極結構，並已導入最新HBM4產品。

不過隨著製程微縮逐漸逼近物理極限，1d DRAM將採用全新架構設計，成為DRAM發展的重要分水嶺。與過去將記憶體單元橫向排列的設計不同，1d DRAM首次導入電容垂直堆疊技術，藉此進一步提升記憶體密度。

此外，新架構也將記憶體單元與周邊電路分別製作於不同晶圓，再透過先進製程整合，進一步提高製造複雜度與技術門檻。

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消息人士指出，三星計畫於2027年第二季左右開始導入相關生產設備，若時程順利推進，最快可望於2027年下半年開始試產，並朝量產階段邁進。

市場預期，三星最快將於2026年底前完成量產規劃定案。

隨著AI模型規模持續擴大，高效能運算對HBM需求快速成長，也讓DRAM技術演進的重要性大幅提升。

HBM本質上是透過多層DRAM晶片堆疊而成，因此每一世代DRAM技術進步，都將直接影響下一代HBM產品效能與容量表現。

目前三星的1c DRAM已應用於HBM4產品，業界普遍認為，未來1d DRAM有望成為下一代HBM5E的重要基礎技術。

三星近年也逐步調整HBM發展策略。相較於過去採用較成熟的DRAM節點，公司近年選擇直接將最先進1c DRAM搭配自家4奈米邏輯晶片，打造最新HBM產品，希望提升競爭力並縮小與SK海力士（SK hynix）的差距。

隨著1d DRAM開發進入實質階段，三星也正式加入下一波AI記憶體技術競賽，未來將與SK海力士、美光等競爭對手在HBM5與HBM5E市場正面交鋒。

來源：wccftech

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