三星過去的 Exynos 晶片曾因「過熱降頻」惡名昭彰，如今情勢可能大不同。外媒報導指出，隨著 Exynos 2600 導入全新的 Heat Pass Block（HPB）散熱封裝技術，三星成功大幅改善處理器的熱管理表現，平均降溫幅度甚至可達三成，讓其他晶片大廠開始重新審視這項技術的潛力。記者黃仁杰／編譯

三星過去的 Exynos 晶片曾因「過熱降頻」惡名昭彰，如今情勢可能大不同。外媒報導指出，隨著 Exynos 2600 導入全新的 Heat Pass Block（HPB）散熱封裝技術，三星成功大幅改善處理器的熱管理表現，平均降溫幅度甚至可達三成，讓其他晶片大廠開始重新審視這項技術的潛力。

[caption id="attachment_201025" align="aligncenter" width="1200"] 隨著 Exynos 2600 導入全新的 Heat Pass Block（HPB）散熱封裝技術，三星成功大幅改善處理器的熱管理表現。(示意圖／123RF)[/caption]

Exynos 2600 採用的 HPB 做法與過往大不同。傳統設計是將 DRAM 疊在 SoC 上方，但三星這次改為在處理器頂部直接放置銅製散熱塊（HPB），並將 DRAM 移到側邊。由於散熱結構直接接觸晶片本體，熱能可以更有效率地導出，使晶片在高負載下不易積熱，這也是降溫效果能突破以往瓶頸的關鍵。

南韓《ET News》進一步指出，三星計畫將 HPB 封裝技術開放給其他客戶，包括 高通（Qualcomm）與蘋果（Apple）。雖然兩家公司多年前已全面轉向台積電（TSMC）生產核心處理器，但在散熱需求與封裝創新的競爭下，外界認為兩者確實可能引進此一技術。

高通最新的 Snapdragon 8 Elite Gen 5 近期也被抓到「高功耗過熱」問題，實測顯示這款晶片在同一基準測試下的整板功耗高達 19.5W，明顯高於蘋果 A19 Pro 的 12.1W。外界認為，高通的問題主要來自其六顆高性能核心的高時脈設定，使熱密度飆升。

值得注意的是，曝光的內部測試資料顯示，Exynos 2600 的主核心時脈僅比 Snapdragon 8 Elite Gen 5 的性能核心高約 4.6%，兩者性能接近，但三星在散熱上卻率先突破，因此也讓外界更看好 HPB 封裝能成為高通未來改善晶片散熱的重要方案。

三星是否能藉由散熱封裝技術創造新的競爭力，甚至讓蘋果與高通重新採用其設計理念，正成為業界關注焦點。

來源：wccftech

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