中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）宣布，第五代技術平台已正式進入量產，並同步推出兩款24Gb LPDDR5X產品。公司表示，新平台可在降低成本與功耗的同時，提高記憶體密度，進一步強化中國在全球DRAM市場的競爭力。記者黃仁杰／編譯

中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）宣布，第五代技術平台已正式進入量產，並同步推出兩款24Gb LPDDR5X產品。公司表示，新平台可在降低成本與功耗的同時，提高記憶體密度，進一步強化中國在全球DRAM市場的競爭力。

[caption id="attachment_303756" align="aligncenter" width="1672"] 中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）宣布，第五代技術平台已正式進入量產，並同步推出兩款24Gb LPDDR5X產品。（圖／AI生成）[/caption]

DRAM主要作為手機、電腦與其他裝置的短期工作記憶體，用來執行應用程式與各類運算。

關鍵結構間距縮至11.95奈米

長鑫存儲表示，新一代平台進一步縮小儲存資料所需結構之間的距離，讓單一晶片可以容納更多記憶體，同時也提高每片矽晶圓可切割出的晶粒數量。

公司已將記憶體儲存區域的關鍵特徵間距縮小至11.95奈米，約為12奈米等級。

製程方面則採用「四重圖形化」（Quadruple Patterning）技術，透過重複多道製程步驟，製作出更細緻的電路圖形。

長鑫存儲副總裁暨市場中心負責人羅曉東在2026世界製造業大會表示，公司目前的製程能力，已經可與業界最先進的量產節點相提並論。

推出兩款24Gb LPDDR5X

除了新製程平台之外，長鑫也同步公布兩款採用第五代平台製造的24Gb LPDDR5X產品。

LPDDR5X是一種低功耗DRAM，主要應用於智慧手機與其他可攜式電子裝置。

長鑫表示，這兩款產品的單顆容量較上一代同級產品增加50%，目前也已進入量產。

兩款產品採用不同封裝形式，可因應不同智慧手機與可攜式裝置的設計需求。

單片晶圓可產晶粒數增加逾50%

長鑫指出，以8Gb晶片作為基準，第五代平台每片晶圓可生產的毛晶粒數，相較第四代平台至少增加50%。

這裡所指的毛晶粒數，是晶圓完成切割前、尚未排除瑕疵晶粒時的理論晶粒總數，並不等同於最終良率。

長鑫表示，新平台開發過程中大量使用電腦模擬，同時也與中國本土半導體設備商合作，解決多項關鍵製程問題。

中國加速降低對海外半導體技術依賴

長鑫此次宣布第五代DRAM技術平台量產，也正值中國持續推動半導體自主化。

自2022年以來，美國出口管制持續限制中國取得部分先進晶片製造設備與相關軟體，北京則加快建立本土半導體供應鏈，降低對海外技術的依賴。

來源：路透社

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美光已開始向客戶送樣其首批採用全新1γ（1-gamma）製程技術生產的LPDDR5X晶片。記者孫敬／編譯

記憶體大廠美光（Micron）本週在投資人與財經分析師電話會議上宣布，已開始向客戶送樣其首批採用全新1γ（1-gamma）製程技術生產的LPDDR5X晶片。這項新製程導入了極紫外光（EUV）微影技術，不僅預期將帶來更高的效能效率，更重要的是，它標誌著美光已正式開始使用EUV微影技術生產DRAM晶片，此為其DRAM製造上的重要里程碑。

延伸閱讀：受惠HBM與資料中心需求強勁！美光財報與財測雙雙超預期

[caption id="attachment_18558" align="aligncenter" width="1200"] LPDDR5X晶片象徵DRAM邁向了新的高度。（圖／科技島）[/caption]

1γ製程帶來顯著提升：功耗更低、效能更強，並擴展全產品線

美光執行長桑賈伊（Sanjay Mehrotra）表示：「我們在1γ DRAM製程節點上取得了卓越的進展，其良率提升速度超越了我們在1β（1-beta）節點上創下的紀錄。」他進一步指出，本季度公司已完成了數個關鍵產品的里程碑，其中包括首批基於1γ製程的LP5 DRAM合格樣品出貨。

美光的1γ製程技術是該公司第6代10奈米級生產節點，與前一代1β製程技術相比DRAM功耗降低20%，同時提升15%的效能。此外，這項技術還將位元密度提高了30%，這是一項非常顯著的改進。一旦新DRAM晶片的良率達到與1β DRAM裝置相似的水準，這項技術有望轉化為相當程度的生產成本降低。

值得注意的是，美光基於1γ的LPDDR5X晶片並非該公司首款採用此技術的記憶體產品。今年稍早，美光已推出更高效能和更低功耗的16Gb DDR5-9200晶片。然而，美光本週並未提供這些DRAM晶片送樣進度的最新資訊。未來，美光預計將其第6代10奈米級DRAM製程節點應用於其全部記憶體產品組合，包括DDR5、LPDDR5X（現在可支援高達10.7 GT/s）、GDDR7，以及針對資料中心優化的產品。桑賈伊強調：「我們將在整個DRAM產品組合中利用1γ技術，從這項領先技術中受益。」

美光是最後一家採用EUV微影技術進行1γ製造的主要DRAM製造商。儘管美光尚未透露有多少層是透過EUV技術生產，但預計會將EUV保留給那些若不使用EUV將需要耗時多重圖案化（multi-patterning）的最複雜層。1γ製程仍結合了EUV與傳統的深紫外光（DUV）多重圖案化，同時引入了升級的高介電常數金屬閘極（high-k metal gate）和重新設計的後段製程（BEOL）電路。美光目前正在日本生產1γ DRAM，其首台EUV設備已於2024年投入使用，並計劃在日本和台灣擴大EUV產能。

資料來源：Tom's Hardware

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