本集節目深入淺出地解析半導體核心技術。首先介紹 MOSFET 的基本結構與運算原理，說明其透過閘極控制電子流動來產生數位訊號中的 0 與 1。接著探討「製程線寬」即為閘極長度，隨著製程縮小至 20 奈米以下，為了解決漏電問題，技術從平面結構演進至立體式的 FinFET。本集節目深入淺出地解析半導體核心技術。首先介紹 MOSFET 的基本結構與運算原理，說明其透過閘極控制電子流動來產生數位訊號中的 0 與 1。接著探討「製程線寬」即為閘極長度，隨著製程縮小至 20 奈米以下，為了解決漏電問題，技術從平面結構演進至立體式的 FinFET。最後分析三星宣稱領先的 GAA 與 MBCFET 技術，強調其核心目的皆在於增加接觸面積以強化控制力。作者指出台積電亦有相關研發，三星想以此技術「彎道超車」並不容易。

 📌 本集亮點：

1. MOSFET 工作原理：

透過閘極電壓控制電子流向，將導通與否轉化為電腦運算的 0 與 1

2. 製程線寬定義：

製程奈米數指「閘極長度」，長度越小則晶片體積越小、效能越高

3.FinFET 的必要性：

當製程小於 20 奈米，改用立體魚鰭結構增加接觸面積以防止漏電

4.GAA 技術核心：

將通道改為環繞式，最大化閘極與通道接觸面積以強化控制效果

5. 台積三星競爭：

GAA 並非三星獨有技術，台積電亦有研發，三星難以此輕易超車

這篇文章 曲博彩虹頻道｜台積電能做到3奈米？三星能夠超車台積電嗎？ 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。