據傳，晶圓代工大廠力積電將於2024年上半年與日本東北大學創辦的研究半導體技術的企業Power Spin進行合作，力積電將接受Power Spin的技術來進行研究，其目標為量產磁性隨機記憶體（MRAM），盼未來能在生成式AI的數據中心使用。

記者／潘冠霖

據傳，晶圓代工大廠力積電將於2024年上半年與日本東北大學創辦的研究半導體技術的企業Power Spin進行合作，力積電將接受Power Spin的技術來進行研究，其目標為量產磁性隨機記憶體（MRAM），盼未來能在生成式AI的數據中心使用。

MRAM理論上可將耗電量降至現有記憶體的百分之一，且可高速讀寫，即使切斷電源，數據也不會消失，另外，MRAM還有數據保存性能出色的特點。不過MRAM的製造成本較高，而且與現有記憶體相比，還存在耐用性及可靠性等課題。

更多新聞：台積電首間海外廠落成　熊本廠24日開幕典禮

外媒報導指出，東北大學長年來持續研究MRAM，而新創Power Spin則是以半導體技術研發為主，力積電將在今年上半年和東北大學及Power Spin合作，合作模式將由Power Spin提供MRAM IP給力積電，力積電則在推動研究、試產後，目標在2029年開始量產MRAM，未來期待產品可應用於生成式AI用資料中心。

據報導，美國半導體大廠Everspin Technologies早已量產MARM產品，而Power Spin首席技術長遠藤哲郎(東北大學教授)指出，2022年MRAM市場規模已達300億日圓。

這篇文章 力積電布局日本　攜日企盼量產MRAM 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。

因應MRAM需求高寫入效率、低電阻，以及為追求低損傷的磁性多層膜蝕刻技術，讓陣列晶片達高良率、高穩定度，材料選 …

因應MRAM需求高寫入效率、低電阻，以及為追求低損傷的磁性多層膜蝕刻技術，讓陣列晶片達高良率、高穩定度，材料選擇堪稱關鍵；陽明交大攜手工研院合作共同開發先進磁阻式記憶體(MRAM)，成果皆發表在VLSI超大型積體技術及電路國際會議。

陽明交大材料所曾院介教授、電子所侯拓宏教授協助工研院開發新穎自旋軌道磁矩磁阻記憶體(SOT-MRAM)，藉反鐵磁材料產生偏置場，從而穩定自由層磁矩方向，並透過自旋軌道力矩改變偏置場方向，使記憶位元的0與1都能更加穩定，熱穩定性大幅上升，更適合於高溫環境下應用。這個SOT-MRAM規格擁有0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫高耐受度的特性。

MRAM 屬於非揮發性記憶體技術，是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，斷電時，所儲存的資料不會消失，其耗能低、讀寫速度快、兼具處理與儲存資訊功能，且資料保存時間長，適合需要高性能的場域。MRAM被期待可於5G、大數據、AI人工智慧與物聯網科技、航太領域、量子電腦以及車用電子等前瞻應用扮演關鍵角色。

自旋電子學(spintronics)是MRAM核心知識，且是奈米級電子學的一個新興領域，需要電子、材料、物理跨域人才投入；曾院介教授強調，台灣擁有很多半導體專家，但自旋電子學專家卻非常稀少，主要原因就在於它的跨領域特性，要懂「電」又要懂「磁」，同時要了解在不同材料系統下兩者的交互影響，跨入的門檻相對較高，期許陽明交大學子投入此領域深耕，凸顯自己在半導體專業上的特殊性。（記者／白水堯）

這篇文章 陽明交大攜手工研院 開發磁性記憶體技術 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。

在經濟部的支持下，我國工研院於今（15日）宣布，將與台積電合作開發SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性記憶體）陣 …

在經濟部的支持下，我國工研院於今（15日）宣布，將與台積電合作開發SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性記憶體）陣列晶片。在運算當道的年代，三星與台積電在MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）的競爭，逐漸走向白熱化。

什麼是MRAM？

過去的傳統架構中，處理器（CPU）會從記憶體內，存取已儲存的資料，並進行運算處理。在一來一往的讀寫過程中，資料會徘徊在處理器和記憶體之間，造成延遲、高耗能等情況產生，影響到運算效率。

2018年，台積電董事長劉德音就談過記憶體內運算（in-memory computing），即將邏輯晶片、記憶體進行異質整合，提升運算效能。事實上，許多研究機構都在嘗試用不易耗損的新型記憶體開發此技術，但當中並不包含當前被廣泛應用的NAND（快閃記憶體）。

MRAM為一種非揮發性記憶體，兼具耗能低、讀寫速度快等優點，以及微縮至22奈米以下的潛力，相當適合應用在嵌入式記憶體的領域。

清華大學張孟凡教授所的團隊使用MRAM，成功開發全球第一片非揮發記憶體內運算電路晶片。根據媒體報導，相關論文發布後，三星也在今年一月發布類似論文，實驗晶片則搶在台積電前公布，較勁意味濃厚。

MRAM已是三星、台積電先後投入研究的記憶體產品，但是否將改變現有市場狀況，促使板塊轉移，還需持續觀察。

工研院攜手台積電，為下一代技術持續邁進

本次工研院攜手台積電共同發表的SOT-MRAM技術，能在低電壓、電流的情況下，達到0.4奈秒的高速寫入，並具備7兆次的耐受度。

該項技術未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。工研院電子與光電系統所所長張世杰樂觀的表示：「MRAM兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。」

另外，國立陽明交通大學也在今日的VLSI上，共同發表新磁性記憶體的高效能運作技術。透過優化STT-MRAM（自旋轉移矩磁性記憶體）的膜層和元件，提高寫入速度，降低延遲、電流，並拉長使用壽命。

最重要的是，STT-MRAM能在127度到零下269度的範圍內，穩定且高效運作，這也是工作溫度橫跨近400度的STT-MRAM，第一次在實驗中被驗證。未來可應用於量子電腦、航太等產業當中。

文：邱品蓉 / 責任編輯：侯品如

※本文授權轉載自數位時代

→join高薪科技職缺

這篇文章 擊敗三星有望？工研院攜手台積電，發表最新MRAM記憶體技術 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。