隨著記憶體大廠在 HBM4 時代加速導入客製化邏輯層，晶圓代工領導者台積電也同步端出更多技術突破。德國媒體 HardwareLUXX 報導，台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程，並把電壓從 0.8 伏特降至 0.75 伏特；台積電表示，該製程將帶來「較現行 DRAM 製程約 2 倍的能源效率」。記者黃仁杰／編譯

隨著記憶體大廠在 HBM4 時代加速導入客製化邏輯層，晶圓代工領導者台積電也同步端出更多技術突破。德國媒體 HardwareLUXX 報導，台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程，並把電壓從 0.8 伏特降至 0.75 伏特；台積電表示，該製程將帶來「較現行 DRAM 製程約 2 倍的能源效率」。

[caption id="attachment_94086" align="aligncenter" width="1200"] 台積電正在開發的客製化 HBM4E（C-HBM4E）將採用 N3P 製程。（圖／科技島資料照）[/caption]

報導指出，這些內容來自台積電於上週在阿姆斯特丹舉行的 OIP（Open Innovation Platform）生態系論壇簡報。除了客製化版本外，HBM4 時代的基底（base die）本身也會因更先進製程而迎來重大升級。與 HBM3E 使用標準 DRAM 製程不同，台積電計畫以 N12 製程打造 HBM4 基底晶片，將操作電壓從 1.1 伏特降至 0.8 伏特。HardwareLUXX 指出，此舉預期可帶來約 1.5 倍的效率提升。

更引人注目的是，C-HBM4E 不僅升級至 N3P 製程，其基底晶片還將整合記憶體控制器——這些元件以往通常位於與 HBM 相連的主晶片（如 GPU、TPU）上——這意味著 PHY（實體介面）也將採用客製化方案。

在市場需求方面，台積電已開始承接多家客製化 HBM 邏輯層訂單。Tom’s Hardware 報導，Micron 已委託台積電負責其 HBM4E 的基底邏輯晶片，目標於 2027 年投入量產。另一家關鍵合作夥伴 SK hynix 也被韓國經濟日報引述，將於明年下半年推出首款客製化 HBM4E。

根據韓國金融時報（Korea Financial Times）的消息，SK hynix 將採用台積電 12 奈米製程打造主流伺服器用基底晶片，而針對 NVIDIA 旗艦 GPU 與 Google TPU 等高階需求，則會升級至 3 奈米等級的客製版本。

來源：trendforce

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台積電最新3奈米（N3P）製程相較於前代，效能提升與功耗節省的幅度有限，但根據台灣媒體報導，高通與聯發科兩大手機晶片巨頭，卻必須支付更高的代工費用來取得此製程的產能。記者孫敬／編譯

儘管台積電最新3奈米（N3P）製程相較於前代，效能提升與功耗節省的幅度有限（同功耗下效能提升5%，同頻率下功耗節省5-10%），但根據台灣媒體報導，高通與聯發科兩大手機晶片巨頭，卻必須支付更高的代工費用來取得此製程的產能。

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[caption id="attachment_163765" align="aligncenter" width="1200"] 台積電2奈米價格恐比3奈米來的更高。（圖／科技島資料照）[/caption]

未來價格更驚人！台積電2奈米晶圓恐再漲50%，產能成新戰場

報導指出，聯發科為此製程支付了高達24%的溢價，而高通也付出了16%，雖然中並未明確說明這些漲價幅度是與其直接前代晶片（如驍龍8 Elite或天璣9400）相比，但業界人士透露，3奈米（N3P）晶圓的價格相較於N3E製程已上漲約20%。這意味著即使是蘋果，也可能同樣需要支付漲價後的費用。不過，由於蘋果只在其自家設備上使用A19與A19 Pro晶片，在產能調度上較具優勢，其他手機競爭對手們則將面臨更嚴峻的挑戰。

對高通與聯發科而言，向台積電支付最高達24%的費用增長，預期將轉嫁給手機製造夥伴，這可能迫使手機品牌廠提高旗艦機種的定價。然而同一份報導的預估，台積電2奈米晶圓的價格預計將比3奈米再貴50%。

即使願意支付更高的費用，高通和聯發科也未必能獲得足夠的2奈米晶片供應。因為有傳聞指出，蘋果已經預先鎖定了台積電2奈米初期超過一半的產能。

資料來源：Wccftech

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