編譯／施毓萱 碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將 …

編譯／施毓萱

碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率半導體（power semiconductor）投資浪潮將會持續增長，其增長程度預期會創下紀錄。這兩種功率半導體將會刺激最新的應用，特別在純電動車（BEV）、家用電子產品充電器以及數據中心與能源基礎設施的應用上。

碳化矽市場將在2025年超過25億美元，而氮化鎵市場價值也將在2027年來到20億美元。各家企業正在持續加強對碳化矽與氮化鎵投資來滿足未來需求。

第三代半導體龍頭Wolfspeed將在北卡羅來納州為了200毫米的碳化矽晶圓，建立一個碳化矽材料工廠；氮化鎵功率型積體電路製造商Navitas以1億美元收購碳化矽先驅Genesic，這讓Navitas成為下一代功率型積體電路製造商，同時也擁有氮化鎵與碳化矽生產線。

雖然兩者在最初的成本相對來說會較高，但這些半導體擁有更多優勢。碳化矽目前在電動車市場中已經成熟，雖然比傳統的矽成本更高，但所提供的效率卻值回票價。

雖說如此，晶片公司目前還是會面臨新技術上的挑戰，其中包括足夠晶片產量與降低晶片缺陷率的問題。目前則有一種趨勢是，重新透過就有技術的傳統工廠來轉換為製造這些功率器件。

總而言之，雖然現在還面臨技術上的挑戰，但碳化矽與氮化鎵的應用已成為趨勢。

資料來源：DesignNews

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