聯發科日前公布2025年第四季合併、全年營收達，雙創歷史新高，成績亮眼。聯發科總經理暨營運長陳冠州今（6）日於媒體說明會表示，今（2026）年將雙倍投入AI客製化晶片（ASIC），全年營收上看10億美元，在涵蓋訓練與推理、雲端與終端、效能與功耗的系統級整合背景下，聯發科視ASIC為下一階段AI產業競爭的關鍵切入點。記者黃仁杰／台北報導

聯發科日前公布2025年第四季合併、全年營收達，雙創歷史新高，成績亮眼。聯發科總經理暨營運長陳冠州今（6）日於媒體說明會表示，今（2026）年將雙倍投入AI客製化晶片（ASIC），全年營收上看10億美元，在涵蓋訓練與推理、雲端與終端、效能與功耗的系統級整合背景下，聯發科視ASIC為下一階段AI產業競爭的關鍵切入點。

[caption id="attachment_206720" align="aligncenter" width="1477"] 聯發科總經理暨營運長陳冠州表示，今（2026）年將雙倍投入AI客製化晶片（ASIC），全年營收上看10億美元。（圖／記者黃仁杰攝影）[/caption]

AI運算模型訓練與推理的需求差異日益擴大，單一通用晶片已難以同時滿足效能、功耗與成本的最佳化需求。陳冠州指出，在晶片無法再單純依靠微縮製程持續提升效能的情況下，產業逐步轉向以Chiplet、先進封裝與高速互連為核心的系統級設計，讓晶片依照實際應用需求進行模組化與客製化配置。這樣的發展趨勢，也讓客製化ASIC在AI時代重新成為半導體產業的核心價值。

而AI算力需求的快速成長，正在放大半導體產業前景。隨著雲端服務供應商持續加碼AI基礎建設，龐大的資本支出中，有相當比例直接投入先進晶片與系統架構。這類需求不僅追求極致效能，更重視功耗效率、資料傳輸效率與整體系統成本（TCO）。

陳冠州表示，透過針對特定工作負載設計的ASIC，雲端業者能在相同功耗與空間條件下，獲得更高的運算密度與更穩定的效能表現，也能降低長期營運成本，因此將資料中心客製化晶片視為AI時代的重要成長引擎。

AI算力需求使先進製程與先進封裝產能持續緊繃，供需失衡不僅推升成本，也迫使晶片設計公司必須更精準地配置資源。在此環境下，客製化晶片的價值進一步凸顯。

陳冠州指出，在客製化晶片的布局上，聯發科並非只著眼於單一運算核心，而是從整體系統架構出發，涵蓋算力、資料傳輸與記憶體三大關鍵環節。

在算力方面，透過先進製程與2.5D、3.5D等先進封裝技術，提升單位面積的運算效能；在互連方面，長期投入高速傳輸技術，並逐步由電連接走向光通訊，以解決資料無法即時送達運算單元的瓶頸；在記憶體方面，則聚焦高頻寬、低功耗且可依系統需求客製化的記憶體架構，確保整體系統效率。

此外在產能投資方面，陳冠州表示，在與台積電的長期策略合作上，不管是兩奈米或是S14先進製程，聯發科都在首批採用名單內，今年就會有相關的產品推出；互連頻寬技術升級上，未來預計將銅線傳輸轉為3.2T的矽光子引擎，也專注於更低功耗的客製化HBM，整體而言對AI ASIC的年度投入將加倍。

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行政院以「AI新十大建設」布局數位基礎、關鍵技術與智慧應用，強化臺灣在新一一代運算架構的競爭力。國家科學及技術委員會（國科會）今（19）日於新竹舉辦「臺灣矽光子 CPO-AI 生態鏈座談會」，聚集國內矽光子、共封裝光學 （Co-Packaged Optics，CPO）、半導體製造、先進封裝、光電、網通與伺服器系統等領域的領導廠商及頂尖學研團隊，共商下一代AI運算架構未來發展方向。總統賴清德亦親自出席並表示，臺灣完整的半導體、光電供應鏈基礎，將有利於矽光子與CPO技術發展。記者黃仁杰／新竹報導

行政院以「AI新十大建設」布局數位基礎、關鍵技術與智慧應用，強化臺灣在新一一代運算架構的競爭力。國家科學及技術委員會（國科會）今（19）日於新竹舉辦「臺灣矽光子 CPO-AI 生態鏈座談會」，聚集國內矽光子、共封裝光學 （Co-Packaged Optics，CPO）、半導體製造、先進封裝、光電、網通與伺服器系統等領域的領導廠商及頂尖學研團隊，共商下一代AI運算架構未來發展方向。總統賴清德亦親自出席並表示，臺灣完整的半導體、光電供應鏈基礎，將有利於矽光子與CPO技術發展。

[caption id="attachment_201667" align="aligncenter" width="1477"] 賴清德致詞表示，台灣在切入矽光子與CPO技術具有產業優勢。（圖／記者黃仁杰攝）[/caption]

賴清德致詞表示，隨著 AI 模型規模複雜度呈指數成長，未來真正決定競爭力的，將不再是晶片運算速度，還要看運算過程資料能否以低能耗高速交換，以及運算架構能否持續擴張，矽光子與 CPO 正是突破這項結構性瓶頸的核心關鍵技術。臺灣長期在半導體與光電領域所累積的完整供應鏈，在此時正可展現其戰略優勢，切入矽光子與 CPO 核心關鍵技術，並具備成為國際標準制定者的潛力。

國科會主委吳誠文表示，全球運算架構正從「提升晶片效能」轉向「強化整體系統效率」，其關鍵正是矽光子與 CPO，而這涉及材料、製程、封裝、光電介面到系統架構等多層次技術，屬高度整合工程，任何單一機構皆無法獨立完成。臺灣雖在光電材料、奈米製程、封裝測試與模組整合等面向已累積深厚能量，但多為分散的個別技術突破；下一階段的關鍵任務，是讓這些能量得以系統化串接，形成具持續演進能力的研發網絡。

吳誠文指出，上週啟用的算力中心已經用到矽光子的產品，未來希望達成矽光網路的算力設備，台灣是最有可能創建全光網路的國家，矽光子技術台灣領先全球，從早期的光電運用到現在精細的矽光子元件，將來還會跨海與日本的資料中心連結，做到智慧城市運用，完全是受惠台灣產業的實力，吸引了國際重要的公司來台灣，不只是半導體，也能讓周邊產業藉由半導體的實力站上國際舞台，相關設備、量測、工具機將來都有可能在矽光子、資料中心、機器人各式各樣產品得以站上國際舞台，我們未來將不是只有台灣隊，而是國際的領導者，政府將繼續支持產業界的發展，因為科技就是台灣的國力。

在資料中心、超級電腦與 AI 加速器快速部署的時代，傳統銅線連接技術已無法支撐高速資料傳輸需求。全球科技領導者因此大舉投入矽光子與CPO，讓 AI 運算不再被電互連限制，能以更高頻寬、更低延遲、更低耗能，把 GPU 叢集擴大到前所未有的規模，是未來 AI 超級電腦的核心底層架構。

面對技術演進需求，人才布局亦須同步推動。矽光子與 CPO 涉及多項專業，國科會表示，將透過跨核合作、法人研訓平台擴充及深化國際合作等方式，強化培首具路識签合能力的新型態工程人才，使盡灣在全球非局中維持長期創新優勢。

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為朝向AI智慧國家努力，行政院推動「AI新十大建設」方案。在國家科學及技術委員會主導下，位於臺南南部科學園區的「國網雲端算力中心」於今（12）日正式啟用。國網雲端算力中心兼具大型AI/HPC算力基地與國際電信節點功能，為我國推動「AI新十大建設」與「大南方新矽谷」科技戰略的重要支點，象徵臺灣在全球數位競爭中強化科技自主與算力韌性，啟動主權AI新篇章。記者黃仁杰／台北報導

為朝向AI智慧國家努力，行政院推動「AI新十大建設」方案。在國家科學及技術委員會主導下，位於臺南南部科學園區的「國網雲端算力中心」於今（12）日正式啟用。國網雲端算力中心兼具大型AI/HPC算力基地與國際電信節點功能，為我國推動「AI新十大建設」與「大南方新矽谷」科技戰略的重要支點，象徵臺灣在全球數位競爭中強化科技自主與算力韌性，啟動主權AI新篇章。

[caption id="attachment_201064" align="aligncenter" width="2560"] 位於臺南南部科學園區的「國網雲端算力中心」於今（12）日正式啟用。(圖／國科會提供)[/caption]

總統賴清德致詞指出，臺灣不能永遠依循國外廠商訂定的系統規格，更要鼓勵臺灣的廠商發展我們自己的算力系統架構，從專用積體電路晶片，到超級電腦內部網路的設計，使用臺灣廠商研發的運算、儲存設備，以及通訊網路的交換器等，搭配臺灣的矽光子技術發展，以後能夠使用全光的網路來連結台灣的資料中心。

賴清德同時宣布宣布，國研院國網中心要和日本的 NTT 以及中華電信合作，引進下世代全光網路技術，以光通訊全面取代銅線網路，大幅降低能源消耗並提高資料傳輸速度。

國科會主委吳誠文則指出，至2029年，國研院國網中心的算力將擴展至23MW，涵蓋南科的國網雲端算力中心與預計同年啟用的臺南沙崙智慧創新算力中心，形成南臺灣科技廊帶的雙算力核心。

國研院國網中心主任張朝亮表示，國網雲端算力中心具備15MW電量，未來預計於2029年啟用具備120M電量規模的沙崙智慧創新算力中心，這兩座國家級設施不僅將支援生成式 AI 訓練、氣候模擬、生命科學、半導體研發等高階科研應用。

此外，該中心內部署由「晶創臺灣方案」支持、國內廠商合力建置、最新型的「晶創26（Nano4）」超級電腦，面對AI時代的全球競爭，臺灣致力成為具備自主、可信與韌性的AI科技國家。

在國科會發起下，「臺灣算力聯盟」也在今日正式成立。由國研院國網中心籌組，成功匯集交通部中央氣象署、超微、友崴超級運算 Ubilink.AI、緯謙科技、輝達、鴻海科技集團亞灣超算等跨部會與產業夥伴，形成政府部門與民間企業共構臺灣算力生態的戰略聯盟。未來將聚焦算力協調與媒合、機房與基礎資源合作、人才培育以及開源軟體推廣，共同推動臺灣邁向新一代算力發展階段。

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矽光子（Silicon Photonics）利用光子代替電子作為訊號傳輸載體，將光學元件與電子電路高度整合於同一矽晶片上，帶來高速、低功耗與高整合度的突破。記者孫敬／台北報導

隨著人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）及資料中心需求的爆炸式成長，半導體產業正面臨前所未有的挑戰。傳統電子訊號在高速、大量資料傳輸時，因銅線導體的物理限制，頻寬飽和、功耗過高、訊號衰減等問題日益嚴重，摩爾定律的效益也逐漸趨緩，矽光子技術因此成為解決這些瓶頸的關鍵方案。

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[caption id="attachment_151655" align="aligncenter" width="1200"] 矽光子已有多個半導體大廠投入研發、量產。（圖／科技島圖庫）[/caption]

矽光子技術的崛起與產業背景

矽光子（Silicon Photonics）利用光子代替電子作為訊號傳輸載體，將光學元件與電子電路高度整合於同一矽晶片上，帶來高速、低功耗與高整合度的突破。這項技術不僅能提升資料中心內部及伺服器間的傳輸速率，也為AI運算與未來晶片間通訊開啟全新可能。

矽光子技術的發展得益於成熟的矽基半導體製程，尤其是SOI（Silicon-On-Insulator）晶圓的應用，使得光波導、調變器、光偵測器等光學元件能夠在矽晶圓上微縮製造，實現與電子元件的無縫整合。全球半導體產業鏈，包括台積電、日月光、聯鈞等台灣廠商，以及Intel、Cisco、Broadcom等國際大廠，均積極投入矽光子技術的研發與量產，國際半導體產業協會（SEMI）也成立矽光子產業聯盟，整合產業、學術與政府資源，推動標準制定與技術創新，並預估到2030年市場規模將達數十億美元，年複合成長率超過20%。

[caption id="attachment_181195" align="aligncenter" width="2048"] 由上至下，底層晶圓代工由台積電為代表、第二層磊晶成長為隆達電、第三層封裝測試為日月光、第四層光學模組設計為亞加西亞通訊，最後矽光子技術應用則是Intel、Cisco和Broadcom。（圖／AI生成）[/caption]

矽光子的核心原理與系統整合

矽光子技術的基礎是利用矽晶圓製作光波導，將光訊號導引於晶片內部，取代傳統銅線傳輸。光波導的高折射率（約3.5）使光能有效束縛於矽晶片中，尤其適用於1.3至1.55微米的紅外波段光訊號。光調變器負責將電子訊號轉換成光訊號，透過改變光的強度或相位來編碼資訊；光偵測器則將接收到的光訊號轉回電訊號，供後端電子電路處理。

[caption id="attachment_181197" align="aligncenter" width="2048"] 矽晶片內光波導、調變器與鍺光偵測器的核心組件分布。（圖／AI生成）[/caption]

由於矽本身是間接能隙材料，無法直接產生雷射光，矽光子技術採用異質整合（Heterogeneous Integration）方式，將III-V族半導體雷射晶片（如砷化鎵GaAs或磷化銦InP）與矽晶圓結合，克服矽材料的發光限制。這種整合製程技術要求極高的材料兼容性與製程精度，目前業界已能實現雷射晶片與矽基板的高效結合，雷射調變速度可達數十GHz，損耗控制在低於1 dB/cm的水平，功耗顯著降低。

另外，共同封裝光學（Co-Packaged Optics, CPO）技術是矽光子系統整合的另一突破，CPO將光電模組與處理器晶片緊密封裝，將電訊號轉換為光訊號的環節提前，縮短電子訊號傳輸距離，降低延遲與功耗。Intel、Cisco等大廠已在資料中心伺服器中實現CPO技術，顯著提升系統整體效能。這種高度整合的設計不僅提升了傳輸速率，也降低了系統散熱壓力。

[caption id="attachment_181202" align="aligncenter" width="2048"] 電訊號轉光訊號再回電訊號的完整光電轉換過程。（圖／AI生成）[/caption]

此外，矽光子技術與成熟的CMOS製程兼容，能利用現有半導體製造設備實現大規模量產，降低成本，並促進光子積體電路（PIC）與電子積體電路（EIC）的深度整合。這使得矽光子不僅適用於資料中心短距離高速通訊，也具備未來晶片間光學互連的潛力，有望取代印刷電路板上的銅導線，實現晶片級高速光互連。

矽光子技術挑戰與未來發展趨勢

儘管矽光子技術具備顯著優勢，其商用化與大規模部署仍面臨多重挑戰。首先，光源的異質整合製程極其複雜，材料間熱膨脹係數差異及界面缺陷，影響雷射穩定性與壽命，是技術瓶頸之一。其次，光波導與外部光纖的精密對準要求極高，封裝過程中的奈米級對位誤差會導致訊號損耗，增加良率與成本壓力。此外，高密度光子元件中的熱管理依然嚴峻，局部熱點可能影響元件性能與系統穩定性。

封裝與測試技術的成熟度直接影響矽光子產品的市場推廣速度，由於光子元件與電子元件需在極小空間內精密整合，封裝過程複雜且成本高昂，如何實現高良率、低成本的封裝成為產業關注焦點。維護與維修的便捷性亦是未來需考量的問題，特別是在伺服器模組層級，光子元件的更換與故障排除相較電子元件更具挑戰。

為突破這些瓶頸，國際與台灣產業界積極推動跨領域合作，成立專案小組聚焦系統設計、異質整合、先進封裝與製程自動化等關鍵技術。新材料的研究，如氮化矽、鈮酸鋰及石墨烯等，也被視為提升調變速度與降低功耗的潛力方向。設計自動化工具的進步亦有助於提升矽光子晶片設計效率與良率。

展望未來，隨著技術成熟與標準化推進，矽光子將在資料中心、AI運算、5G/6G通訊、車用LiDAR、生醫感測等多個領域實現廣泛應用，推動半導體產業進入光子互連的全新時代。

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資誠（PwC）8日發布一份針對企業領袖的報告指出，到2035年，全球約有32%的半導體生產恐面臨因氣候變遷導致的銅供應中斷風險，這個比例將是現今的4倍。記者孫敬／編譯

資誠（PwC）8日發布一份針對企業領袖的報告指出，到2035年，全球約有32%的半導體生產恐面臨因氣候變遷導致的銅供應中斷風險，這個比例將是現今的4倍。

PwC指出，銅是晶片製造中不可或缺的關鍵材料，每顆晶片內部數十億計的微小電路都需使用銅線。儘管目前正積極研究替代材料，但就價格與性能而言，尚無任何材料能與銅匹敵。

延伸閱讀：IBM推新Power11伺服器 主打高效AI推論、穩定性挑戰資料中心市場

[caption id="attachment_181481" align="aligncenter" width="1920"] PwC報告點出全球半導體將受氣候變遷影響。（圖／PwC）[/caption]

全球半導體供應鏈拉警報：乾旱危機威脅銅礦生產，成本衝擊恐重演

全球最大的銅生產國智利，目前已飽受水資源短缺之苦，導致銅產量增長趨緩。PwC示警，到了2035年，供應晶片產業的17個國家中，絕大多數將面臨乾旱風險。這波氣候危機將波及中國、澳洲、秘魯、巴西、美國、剛果民主共和國、墨西哥、尚比亞和蒙古等主要銅礦生產國，意味著全球沒有任何一個晶片製造區域能倖免於銅供應中斷的風險。

報告內容提到，上次全球晶片短缺事件，肇因於疫情引爆的需求激增與工廠停工，當時曾癱瘓汽車產業，並導致其他高度依賴晶片的產業生產線停擺。PwC專案負責人伯姆（Glenn Burm）引用美國商務部數據表示，那次晶片荒造成美國經濟損失一個百分點的GDP成長，德國更達2.4%。

PwC強調，如果材料創新無法適應氣候變遷的挑戰，且受影響國家未能發展出更穩定的水資源供應，這項風險將隨著時間不斷增長。報告中更語出驚人地表示：「無論全球碳排放減排速度多快，到了2050年，每個國家約有一半的銅供應都將面臨風險。」

智利銅產量告急：缺水問題日益嚴峻，海水淡化能否解套？

以全球最大銅礦生產國智利為例，PwC估計其目前已有25%的銅產量面臨中斷風險。這項風險在未來十年內將攀升至75%，而到了2050年，更可能介於90%至100%之間。面對日益嚴峻的水情，智利和秘魯已採取積極措施來確保水資源供應，例如提高採礦效率和興建海水淡化廠。

PwC認為，這些措施值得借鑑，但也同時提醒，海水淡化可能無法成為所有國家的通用解決方案，特別是對於那些缺乏大型海水資源的內陸國家而言。

資料來源：Reuters

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日本半導體製造商Rapidus，自去年底安裝艾司摩爾（ASML）的EUV及DUV微影機台後，今年4月更在北海道千歲的工廠啟動新一代2奈米晶片的試產，目標在2027年實現大規模量產。記者孫敬／編譯

日本半導體製造商Rapidus，自去年底安裝艾司摩爾（ASML）的EUV及DUV微影機台後，今年4月更在北海道千歲的工廠啟動新一代2奈米晶片的試產，目標在2027年實現大規模量產。然而，針對Rapidus是否有潛力成為領先的晶片製造商，前英特爾（Intel）執行長、現為創投公司Playground Global合夥人的季辛格（Pat Gelsinger）表示，儘管樂見日本為推動Rapidus進入市場所做的努力，但Rapidus需要一些獨特的差異化技術，否則這樣追趕執行力強勁的台積電，會是一條非常艱難的道路。

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[caption id="attachment_153642" align="aligncenter" width="1200"] 季辛格參加日本半導體活動時，對Rapidus給出建議。（圖／科技島圖庫）[/caption]

不跟台積電直接競爭，Rapidus走客製化與自動化整合

Rapidus執行長小池淳義曾明確表示，公司無意與台積電進行正面大規模生產競爭，因為那屬於台積電的商業模式。Rapidus將專注於為客戶提供高度客製化的高階晶片，而非量產型的通用晶片，並會與客戶緊密合作以達成所需的成果。

為此，Rapidus期望提供一項獨家優勢：將晶圓製造與先進封裝在同一廠區內全自動整合，從而縮短生產週期。不過，這項整合封裝技術不會立即啟動，初期的晶圓試產階段尚不包含封裝服務。Rapidus預計將在今年7月交付首批2奈米樣品，並向早期客戶提供設計工具以協助原型晶片的建構。

美日晶片合作深化，從材料設備到光學互連新技術

季辛格指出，美日合作對未來科技和半導體產業至關重要。他強調Playground Global非常樂意協助日本晶片相關公司取得競爭優勢。

過往Playground投資的案例加州的Ayar Labs，該公司擁有尖端的矽光子（Silicon Photonics）技術，能夠在晶片封裝內部嵌入光學通訊能力。相較於傳統的銅線網路，晶片級光學互連技術能提供更高的能源效率和更快的數據傳輸速度。

Ayar Labs執行長韋德（Mark Wade）表示，未來與Rapidus合作是一種可能的選擇，目前Ayar Labs已與台積電、格羅方德（GlobalFoundries）等大型晶圓代工廠合作，並獲得輝達（NVIDIA）和超微（AMD）的投資，日本電信巨頭NTT Docomo旗下的NTT Docomo Ventures也於去年12月宣布投資Ayar Labs。

此外，Rapidus也在千歲工廠旁設立了「Rapidus Chiplet Solutions」研究中心，專注於後段製程的擴展，包括重新分佈層（redistribution layers）、3D封裝製程、組裝設計工具以及良品晶粒（known-good dies）測試方法的開發。

資料來源：The Japan Times、Tom's Hardware

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台積電近日宣布，將與美國新創公司Avicena合作，共同開發基於Micro LED的光源接收器（PD）。記者孫敬／編譯

台積電近日宣布，將與美國新創公司Avicena合作，共同開發基於Micro LED的光源接收器（PD）。此項合作的目標是利用先進的光通訊技術，取代傳統的銅線連結，為日益增長的GPU通訊需求提供低成本、高效率的數據傳輸解決方案。

延伸閱讀：SEMI攜手台積電、聯發科發起「半導體新銳獎」選拔優秀半導體產業人才

[caption id="attachment_144512" align="aligncenter" width="1200"] Micro LED的光源接收器有望應對大量數據傳輸需求。（圖／科技島圖庫）[/caption]

Micro LED應用拓寬：從顯示器走向高速光通訊

Micro LED因其微小尺寸、高潛在調變速率以及CMOS製程的優異整合性，可被製成高密度陣列，實現並行光通訊。相較於短距離應用的銅線連結，它能擁有更低功耗、傳輸頻寬較佳的優勢。

Avicena專注於開發名為LightBundle的超低能耗光學連結技術。這項基於氮化鎵（GaN）Micro LED陣列的高並行光學互連技術，能整合到各種高效能CMOS積體電路中，相較傳統銅線互連方案，具備低功耗、低延遲、高覆蓋和高頻寬密度等優勢。

當今的LED產業，也意識到Micro LED在非顯示應用中的巨大潛力，紛紛將目光投向光通訊等新市場。例如，台灣的富采控股（Ennostar）已明確表示將致力於打造AI驅動光通訊所需的三大核心光源技術：Micro LED、VCSEL和InP。富采對Micro LED在短距離（10米內）光學傳輸應用抱持樂觀態度，相關產品已與客戶共同開發並進入送樣階段。

不過台積電並非首次涉足Micro LED領域，外界推測台積電正與蘋果合作開發AR設備，預計蘋果即將推出的AR眼鏡將採用Micro LED顯示器。在顯示面板製造商中，友達（AUO）和群創（Innolux）選擇將研發和商業化重心放在Micro LED，大尺寸OLED則投資較少。

市場整體現況，摘要如下

• OLED市場格局： 三星顯示（Samsung Display）和LGD等韓國公司憑藉先發優勢，在OLED技術、專利和產能方面建立領先地位。同時，中國製造商在政府支持下迅速擴大OLED產量，加劇市場競爭並壓縮利潤空間。台灣企業要在OLED領域追趕並獲得利潤有相當大的挑戰。
• 台灣產業優勢： 台灣擁有世界領先的半導體製造能力（以台積電為代表），並在精密工程、自動化和LCD面板生產（如友達和群創）方面積累了豐富的專業知識。
• Micro LED技術契合度： Micro LED的關鍵製造過程，如巨量轉移、鍵合和檢測，與半導體製造（如取放、微影、測試）的流程更為接近，而非OLED的蒸鍍或LCD的填充。這使得台灣公司更容易利用其在半導體和精密製造方面的現有優勢。

資料來源：《TrendForce》

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美國半導體大廠超微（AMD）於近日宣布，正式收購矽光子新創Enosemi，Enosemi總部位於美國矽谷，由Ari Novack與Matthew Streshinsky於2023年創立，兩人皆具備深厚的半導體工程背景，公司專注於開發光子積體電路（Photonic Integrated Circuits, PIC），並已與AMD、GlobalFoundries等大廠合作，授權、設計與製造相關IP產品。記者鄧天心／綜合報導

美國半導體大廠超微（AMD）於近日宣布，正式收購矽光子新創Enosemi，Enosemi總部位於美國矽谷，由Ari Novack與Matthew Streshinsky於2023年創立，兩人皆具備深厚的半導體工程背景，公司專注於開發光子積體電路（Photonic Integrated Circuits, PIC），並已與AMD、GlobalFoundries等大廠合作，授權、設計與製造相關IP產品。

[caption id="attachment_175337" align="aligncenter" width="1024"] 此次收購Enosemi，不僅強化了AMD在光學互連技術的實力，也進一步鞏固其作為AI全棧解決方案供應商的地位。（圖／AI生成）[/caption]

更多新聞：電力設備供應鏈告急！美工業設廠計畫不到一年宣告終止

Enosemi總部位於美國矽谷，由Ari Novack與Matthew Streshinsky於2023年創立，兩人皆具備深厚的半導體工程背景，公司專注於開發光子積體電路（Photonic Integrated Circuits, PIC），並已與AMD、GlobalFoundries等大廠合作，授權、設計與製造相關IP產品。

Enosemi團隊擁有豐富的光子積體電路量產經驗，在併購前，Enosemi僅有16名員工，並獲得15萬美元的創投資金，如今，團隊將正式加入AMD，協助AMD立即擴展在下一代AI系統中，開發與支援各類光子學與共封裝光學解決方案的能力。

AMD資深副總裁Brian Amick在官方聲明中表示，隨著AI模型規模與複雜度不斷提升，傳統以銅線為主的電氣互連方式，已難以滿足下一代AI運算需求，而矽光子學（Silicon Photonics）技術則能利用雷射光與光纖傳輸數據，提供更高頻寬、更低功耗的解決方案。

所謂「共封裝光學」，是指將光學元件與晶片共同封裝，實現晶片間的高速資料傳輸，大幅提升AI系統的運算與網路整合效率，也是各大科技巨頭積極投入的重點領域。

AMD積極整合資源 強化AI生態系

AMD近年來持續透過併購與整合，擴大其在AI領域的產品組合，今年稍早，AMD才以49億美元收購伺服器製造商ZT Systems，強化AI晶片與硬體布局；同時，也整合Xilinx的自適應SoC與AI引擎技術，並收購Silo AI與Mipsology等軟體團隊，打造全方位的AI解決方案。

此次收購Enosemi，不僅強化了AMD在光學互連技術的實力，也進一步鞏固其作為AI全棧解決方案供應商的地位，市場分析認為，這將有助於AMD在與輝達的競爭中取得優勢。

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英特爾今(30)日於Intel Foundry Direct Connect 2025的年度活動上，正式公開14A製程技術細節與先進封裝進展。英特爾執行長陳立武指出，透過14A節點與Foveros Direct (3D堆疊)封裝技術的整合，將為客戶提供「系統級代工解決方案」，目標在2025年實現18A製程量產後，成為世界級的晶圓代工廠，進一步鞏固其在半導體製造領域的領導地位。記者孟圓琦／台北報導

英特爾今(30)日於Intel Foundry Direct Connect 2025的年度活動上，正式公開14A製程技術細節與先進封裝進展。英特爾執行長陳立武指出，透過14A節點與Foveros Direct (3D堆疊)封裝技術的整合，將為客戶提供「系統級代工解決方案」，目標在2025年實現18A製程量產後，成為世界級的晶圓代工廠，進一步鞏固其在半導體製造領域的領導地位。

[caption id="attachment_171393" align="alignnone" width="1852"] 英特爾今（30）日於「Intel Foundry Direct Connect 2025」活動中，分享多個世代核心製程與先進封裝技術的最新進展，並宣布全新生態系計畫與合作夥伴關係，邀請產業領袖共同探討系統級晶圓代工方法如何促進夥伴間的合作。(圖/英特爾官網影片截圖)[/caption]

14A製程導入PowerDirect供電技術 2025年進入風險試產

14A作為18A後繼節點，採用PowerDirect直接接觸供電技術（direct contact power delivery），延續18A的PowerVia背部供電技術的架構，並優化晶片互連密度。根據最新技術文件，PowerDirect透過銅互連層直接供電，可降低電壓降並提升能源效率，適用於高效能運算與AI加速晶片設計。英特爾已向主要客戶提供14A製程設計套件（PDK）早期版本，多家客戶正進行測試晶片設計。陳立武透露，18A目前正處於風險試產階段，預計2025年推出18A-P（效能強化版）與18A-PT（整合Foveros Direct 3D封裝）兩款衍生製程，其中18A-PT的晶片互連距離將縮至5微米以下。

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Foveros-R/B封裝架構問世 混合堆疊突破物理極限

在先進封裝領域，英特爾新增Foveros-R（重佈線層）與Foveros-B（橋接互連）架構，強化異質晶片整合能力。Foveros Direct技術採用銅對銅（Cu-to-Cu）鍵結，第二代銅線間距將從9微米縮小至3微米，提升接點密度與互連頻寬。此技術可混合封裝14A與18A-PT製程晶片，例如將邏輯晶片與高頻寬記憶體（HBM）垂直堆疊，搭配EMIB-T技術滿足AI加速器需求。封測合作夥伴艾克爾（Amkor）將協助量產，提供客製化封裝方案。

美國製造進程加速 Fab 52投產18A製程

亞利桑那州Fab 52晶圓廠已成功投產，完成首批晶圓製造；奧勒岡州廠區預計2025年下半啟動18A量產。此外，新墨西哥州Fab 9工廠專攻3D Foveros封裝，先前已於2024年始大規模生產，預計2025年產能提升四倍。陳立武強調，14A與18A研發均以美國本土為基地，結合「晶圓代工小晶片聯盟」與「價值鏈聯盟」，提供從IP、EDA工具與設計服務解決方案產品組合服務。

生態系聯盟鎖定政府與商用市場 整合競爭對手技術

英特爾亦推出多項新計畫，其中「晶圓代工小晶片聯盟」初期聚焦於政府應用和關鍵商用市場，定義並推動先進技術的基礎架構。此聯盟將為客戶提供有保障且可規模化的路徑，協助客戶針對特定應用與市場，運用可互通且安全的小晶片解決方案進行布署設計。

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