碳化矽（SiC）技術供應商格棋化合物半導體，2日宣布將在2025年第4季興櫃，本週已向關鍵客戶遞送最新12吋SiC晶棒樣品進行驗證，預計最快9月會有初步結果。記者孫敬／台北報導

碳化矽（SiC）技術供應商格棋化合物半導體，2日宣布將在2025年第4季興櫃，本週已向關鍵客戶遞送最新12吋SiC晶棒樣品進行驗證，預計最快9月會有初步結果。

格棋表示若進展順利，在目前公司6吋和8吋晶錠、晶棒、晶圓及非規格品機台皆可共用的優勢，預估第四季在日韓客戶放量、跟2到3間客戶成功簽訂長期合約（LTA）後，2026上半年將進一步擴大8吋及12吋產能，8吋產能預期翻倍，以滿足市場需求。

隨著全球半導體產業邁向非紅供應鏈，經「驗明正身」非中國背景的台灣本土半導體新創公司格棋，也跟中科院達成合作，採不打價格戰「非規格品」市場策略，持續深化台灣、日本、韓國、北歐與歐洲市場客戶。

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[caption id="attachment_190380" align="aligncenter" width="2560"] 左起：格棋化合物半導體業務處處長吳義章、董事長張忠傑、人資長賴雅玲。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

6吋、8吋到12吋，格棋碳化矽技術的升級與布局

面對全球仍陷入川普政府關稅風暴，加上碳化矽龍頭Wolfspeed破產、台積電退出氮化鎵（GaN）代工業務等眾多變因，格棋除握有非中供應鏈身分及原物料免課徵關稅條件，在日本電動車市佔持續成長，以及碳化矽漸漸從功率元件、車用、儲能相關領域，跨向如AR眼鏡鏡片、3D IC封裝等高功率、高頻和高溫應用，格棋將乘著高量產和高良率的6吋平台，結合已完成前期驗證的8吋晶種長晶與熱場模組設計，陸續依客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。

「我們主打的不是價格戰，我們提供人家不願提供或無法提供的獨特技術路線與非規格品需求，這使我們在非規格品的開發上具有更大的技術優勢。」格棋董事長張忠傑分享日本客戶主打車用、雷達及通訊領域，現有7家客戶，其中5家為知名車廠或商社，因日本市場普遍認為現階段是投入碳化矽最佳時機，待2027到2028年8吋晶圓技術成熟時，採用碳化矽的電動車款將大量問世。

張忠傑認為至少未來五年內，碳化矽會是日本電動車推動的主要基盤材料，韓國則專注長晶基礎片，今年底或明年上半年，日韓客戶的放量將大於台灣的市場需求。

[caption id="attachment_190381" align="aligncenter" width="2560"] 格棋化合物半導體董事長張忠傑。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

格棋拓展多元應用，從電動車到高階散熱與3D封裝

端看格棋目前的產能配置，現已有100台6吋長晶爐，每月約可生產5000片晶圓；20台8吋長晶爐，每月約可生產1000片晶圓；1台12吋長晶爐用於研發和測試，近日則提交碳化矽樣品予關鍵客戶進行平整度驗證。

格棋業務處處長吳義章指出，12吋碳化矽晶圓現今主要應用於散熱載板，特別是在AI運算對熱能移除有巨大需求的情況下，而高純度碳化矽的熱導率K值可達到400至500，遠高於現在多數使用的陶瓷基板（如氧化鋁、氮化鋁）的200至230 K值，因此能有效提升散熱效率，防止晶片因過熱使效能下降。

至於3D IC封裝，吳義章直指碳化矽也應用於高階3D IC封裝的散熱。目前討論的兩種應用方向，首要是導電型的SiC進行測試，下一步才會投入半絕緣型的矽中介層（Silicon Interposer）是否能導入SiC做嘗試。

展望後市，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區域合作計畫，未來將依據業務拓展進程設立技術服務據點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化矽在全球高功率應用的落地進程。

[caption id="attachment_190379" align="aligncenter" width="2560"] 格棋化合物半導體業務處處長吳義章。（圖／孫敬拍攝）[/caption]

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格棋宣布與中科院合作，共同加強高頻通訊技術領域應用，也攜手日本三菱綜合材料商貿株式會社，擴大日本民生用品與車用市場布局。

記者／孫敬 Archer Sun

碳化矽（SiC）長晶技術供應商格棋化合物半導體，近日舉辦桃園中壢新廠啟用典禮，並宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，共同加強高頻通訊技術領域應用，也攜手日本三菱綜合材料商貿株式會社（Mitsubishi Materials Trading Corporatio），擴大日本民生用品與車用市場布局。

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新廠2024年第四季有望滿產，硬體設備也將有新一波更新

格棋化合物半導體董事長；身兼電池芯廠格斯科技董事長的張忠傑指出，格棋自8年前開始研究碳化矽長晶，新廠預估2024年年底將擴建20台8吋長晶爐、百台6吋長晶爐，6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，預計2024年第四季有望滿產，現已向國內外供應商提供樣品驗證。

8吋長晶爐的規畫約落在2025年年底，目標為200台，合計2028年的產能計算，6吋與8吋長晶爐將達到千餘台，但後續還需觀察市場的反應來做配比。

創立於2022年的格棋，營運團隊主要來自2023年5月登錄興櫃的格斯科技（GUS Technology）。格棋專注於化合物半導體長晶工藝技術研發及製造，包含晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術以及原料控制和熱處理技術，核心技術可有效提升晶體品質，降低缺陷密度，提供高可靠性的碳化矽晶圓。

與中科院的合作的「半絕緣碳化矽長晶技術」」專利授權中，格棋將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。

三菱綜合材料商方面的合作，聚焦電動車、綠能、功率半導體，並由三菱綜合材料商向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋主要任務為整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠、晶圓與磊晶片，共同開拓日本市場，將產品打向國際。

格棋技術長葉國偉博士強調，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及 5G 通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。公司目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。

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