三星電子預估，今（2026）年第一季營運表現將大幅優於市場預期，受惠AI基礎設施需求強勁，帶動記憶體供給吃緊與價格上漲，單季獲利甚至超越去年全年水準。記者黃仁杰／編譯

三星電子預估，今（2026）年第一季營運表現將大幅優於市場預期，受惠AI基礎設施需求強勁，帶動記憶體供給吃緊與價格上漲，單季獲利甚至超越去（2025）年全年水準。

[caption id="attachment_208694" align="aligncenter" width="1995"] 三星電子預估，今（2026）年第一季營運表現將大幅優於市場預期，單季獲利甚至超越去（2025）年全年水準。圖為三星NAND。（圖／科技島資料照）[/caption]

三星預估1至3月營業利益達57.2兆韓元（約379億美元），遠高於市場預期的40.6兆韓元，並較去年同期的6.69兆韓元暴增逾8倍，創下歷史新高，也大幅超越去年第四季約20兆韓元的紀錄。

隨著AI資料中心建設加速，記憶體需求暴增，三星成為主要受惠者之一。供應緊張也使智慧型手機、PC與遊戲主機所使用的傳統晶片出現排擠效應，記憶體價格在第一季幾乎翻倍。市調機構TrendForce預估，本季DRAM合約價格仍將上漲超過50%。

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分析指出，客戶預期價格持續走高，提前拉貨推升成交價格，是三星獲利優於預期的主因之一。

在業務結構方面，分析師估計三星半導體部門貢獻約54兆韓元營業利益，占整體獲利高達95%；手機業務則貢獻約4兆韓元，主要受惠於低成本庫存支撐，但隨著記憶體與零組件價格上升，加上中東戰事推升成本，第二季利潤可能承壓。

三星同時預估第一季營收將年增68%，達133兆韓元。消息激勵股價早盤上漲4.6%，優於大盤表現。

不過，市場對後續成長動能仍存疑。隨著能源價格上升與供應鏈不確定性增加，AI資料中心需求可能放緩，加上記憶體價格漲勢可能接近高點，產業已逐步進入循環後段。TrendForce也指出，近期DRAM現貨價格已出現回落跡象，顯示終端需求難以完全消化高價。

此外，Google近期推出的記憶體節省技術「TurboQuant」，亦對市場情緒造成影響，使記憶體股出現修正。自2月底戰事升溫以來，三星股價一度回落約11%，不過今年以來仍累計上漲約61%。

在高頻寬記憶體（HBM）領域，三星也逐步追趕SK海力士，最新HBM4產品進展加快，並受惠AI推論需求帶動傳統記憶體回溫。另一方面，美光近期同樣因AI需求與供給緊張，繳出優於預期的財測。AI熱潮持續推升記憶體產業景氣，但隨著價格高檔與需求變數增加，後續成長動能仍需觀察。

來源：路透社

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