美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。記者黃仁杰／編譯

美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。

[caption id="attachment_211290" align="aligncenter" width="1500"] 美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM的新型解決方案。（圖／美光提供）[/caption]

隨著AI發展從模型訓練逐步轉向推論應用，記憶體需求正出現結構性變化。過去HBM主要支援大型模型訓練，但在推論場景中，系統對容量的需求快速提升，使記憶體成為下一個關鍵瓶頸。韓媒指出，美光正嘗試透過堆疊GDDR模組，提高整體容量，作為HBM之外的替代方案。

相較於HBM，GDDR原本多應用於遊戲顯卡，受AI需求影響相對有限。不過，美光此次將其導入AI領域，顯示公司正重新分配資源，優先滿足資料中心與企業市場需求。雖然GDDR堆疊在效能上仍難以與HBM匹敵，但其在容量上的優勢，對於推論工作負載具有補強效果。

事實上，美光過去已透過SOCAMM2技術，將LPDDR5X等通用記憶體堆疊至16層，單模組容量可達256GB，為記憶體堆疊提供技術基礎。然而，GDDR在功耗與散熱上的挑戰更高，若採用傳統線焊方式，如何維持訊號穩定與熱管理，將成為關鍵技術門檻。業界推測，美光可能透過調整時脈等方式，在效能與穩定性之間取得平衡。

在HBM市場競爭加劇之際，美光也面臨壓力。公司在HBM4進展上曾因輝達認證進度延後而影響供應布局，反觀三星電子則持續擴大市占。在此情況下，GDDR堆疊若能在成本與供應上展現優勢，有望成為差異化產品，為美光開闢新成長動能。

來源：wccftech

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記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，昨（26）日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮，正式納入其在台先進DRAM製造版圖。台灣美光董事長盧東暉表示，首批機台已於3月23日進駐，預計今 （2026）年底台灣團隊規模將達1.5萬人，其中銅鑼廠將釋出約1000個職缺，成為擴大人才布局的重要據點。記者黃仁杰／台北報導

記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，昨（26）日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮，正式納入其在台先進DRAM製造版圖。台灣美光董事長盧東暉表示，首批機台已於3月23日進駐，預計今 （2026）年底台灣團隊規模將達1.5萬人，其中銅鑼廠將釋出約1000個職缺，成為擴大人才布局的重要據點。

[caption id="attachment_210942" align="aligncenter" width="2560"] 記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，26日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮。（圖／苗栗縣政府提供）[/caption]

此次揭牌典禮由行政院長卓榮泰、經濟部長龔明鑫、國科會主委吳誠文等人出席，並與供應鏈夥伴共同見證。盧東暉指出，從2025年11月與力積電洽談，到2026年2月完成交易簽署，再到3月完成產權轉移，整體歷時僅約12週，展現團隊在大型晶圓廠整合上的執行效率。

強化台灣先進DRAM布局 銅鑼納入大台中廠區

盧東暉表示，銅鑼廠未來將納入台灣美光「大台中廠區」一環，進一步強化在先進DRAM製造與封裝領域的布局，特別是在高頻寬記憶體（HBM）產品上持續維持領先地位。他也強調，晶圓廠從空間轉化為產能，需仰賴完整產業生態系支持，包括設備、材料與工程廠商的協同合作。

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目前美光在台據點涵蓋桃園、苗栗銅鑼、台中與台南，其中桃園、銅鑼與台中以DRAM製造為主，台南則負責後段封測，形成完整記憶體製造鏈。

投資累計破1.4兆 帶動苗栗成半導體新節點

根據公司統計，截至今年1月，美光在台累計投資已超過新台幣1.4兆元。行政院長卓榮泰表示，台灣已成為美光全球最重要的DRAM與HBM生產基地，此次銅鑼廠啟用，不僅是企業擴產里程碑，也將帶動區域產業升級。

苗栗縣長鍾東錦指出，縣府已將本案列為重點投資專案，從土地、水電、交通到人才媒合全面協助，並同步推動園區聯外道路與基礎建設，強化投資環境。隨著美光進駐，苗栗將與新竹形成產業互補，逐步建構「北有先進封測、南有先進記憶體」的雙核心半導體聚落。

預估創造2500職缺 推動在地人才與產業升級

地方政府預估，銅鑼廠未來可望創造約2500個就業機會，涵蓋高階工程與在地職缺，不僅有助青年留鄉，也將帶動供應鏈與周邊產業發展。

盧東暉表示，從台南廠擴建到銅鑼廠啟用，美光台灣團隊展現高度執行力，未來將持續支援AI產業發展，並鞏固台灣在全球記憶體產業中的關鍵地位。

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美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。不過，由於市場對其表現早有高度期待，股價在盤後交易中反而小幅回落。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。不過，由於市場對其表現早有高度期待，股價在盤後交易中反而小幅回落。

[caption id="attachment_210055" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。（圖／AI生成）[/caption]

根據財報，美光本季營收達238.6億美元，遠高於市場預估的200.7億美元；調整後每股盈餘為12.20美元，也明顯優於預期的9.31美元。相較去年同期的80.5億美元，營收呈現爆發性成長。

這波成長動能主要來自AI需求快速升溫。隨著輝達（Nvidia）GPU大量用於生成式AI，每一代晶片所需記憶體容量持續增加，推升整體市場出現供給吃緊。美光與三星、SK海力士等業者同步擴產，以應對需求。

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展望下一季，美光預估營收將達335億美元，較去年同期成長超過200%，每股盈餘預估約19.15美元，雙雙大幅優於市場預期。執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，AI帶動的記憶體需求、供給結構性緊縮，以及公司執行力，是推升業績與展望的關鍵。

在產品結構方面，美光正積極轉向高頻寬記憶體（HBM），這類產品已廣泛應用於AI晶片，且具備更高毛利。帶動公司毛利率從去年同期的36.8%大幅提升至74.4%，較上一季的56%也顯著成長。

獲利方面，本季淨利達138億美元（每股12.07美元），遠高於去年同期的15.8億美元。細分業務中，雲端記憶體營收年增逾160%至77.5億美元，手機與PC相關業務更從22.4億美元大幅跳升至77.1億美元。

值得注意的是，記憶體產業過去多屬低毛利、短約型市場，但隨著AI需求確定性提高，近期業者已開始簽訂長期合約，以確保未來產能供應。

美光指出，AI發展將使運算架構愈發依賴記憶體，公司將是這波趨勢的主要受惠者之一。目前已在第一季啟動針對輝達下一代Vera Rubin平台的HBM4量產，並預計2027年導入進階HBM4e產品。

為因應長期需求，美光也將大幅提高資本支出，預計2027年投入將顯著增加，其中建廠相關支出將超過100億美元。目前公司正於美國愛達荷州與紐約州建設大型晶圓廠，愛達荷廠預計2027年中投產，紐約廠則預計2028年下半年開始出貨。

整體而言，隨著AI需求持續推升記憶體用量，美光不僅營運大幅翻升，也正加速擴產布局，試圖在這波AI浪潮中鞏固關鍵供應地位。

來源：CNBC

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美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。

[caption id="attachment_209717" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。（圖／AI生成）[/caption]

此次量產產品涵蓋多項次世代規格，其中HBM4被視為AI運算的核心關鍵，美光也藉此強化與輝達在AI生態系的合作關係。

HBM4頻寬突破2.8TB/s 效能與能效同步提升

美光表示，HBM4 36GB 12層堆疊（12H）產品已於2026年第一季開始量產，資料傳輸速度超過每pin 11Gb/s，整體頻寬達2.8TB/s以上，相較前一代HBM3E，頻寬提升約2.3倍，能源效率也提升超過20%。

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此外，美光也展示更高容量版本HBM4，已向客戶提供48GB 16層堆疊（16H）樣品，相較36GB版本容量再提升33%，顯示HBM堆疊技術持續進化。

首款PCIe Gen6 SSD量產 鎖定AI資料中心需求

在儲存方面，美光同步推出業界首款進入量產的PCIe Gen6資料中心SSD「Micron 9650」，專為AI訓練與推論工作負載設計，並優化於輝達BlueField-4 STX架構。

該產品最高可達28GB/s連續讀取速度，隨機讀取效能達550萬IOPS，在效能與功耗比上較PCIe Gen5產品提升一倍，特別適合高頻寬、低延遲的AI應用場景。

SOCAMM2記憶體支援高密度AI運算

美光也同步量產容量達192GB的SOCAMM2記憶體模組，應用於輝達Vera Rubin NVL72系統與Vera CPU平台。該模組主打低功耗與高容量設計，每顆CPU最高可支援2TB記憶體容量與1.2TB/s頻寬，滿足AI與高效能運算（HPC）需求。

美光強化AI記憶體布局 深化與輝達合作

美光高層表示，下一世代AI發展將仰賴計算與記憶體的高度整合設計，而HBM4將成為推動AI運算的核心引擎。透過與輝達的緊密合作，雙方可從架構初期就同步優化運算與記憶體效能。

隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬、容量與能效的重要性快速提升，美光此次同步推進HBM4、Gen6 SSD與SOCAMM2量產，也顯示AI基礎設施競爭正從單一晶片，延伸至整體系統與生態系的整合能力。

來源：wccftech

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應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係，將共同開發下一代記憶體晶片技術，以支援人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求。記者黃仁杰／編譯

應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係，將共同開發下一代記憶體晶片技術，以支援人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求。

[caption id="attachment_209023" align="aligncenter" width="1536"] 應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係。（圖／A生成）[/caption]

兩家公司將成為應用材料新設研究中心 Equipment and Process Innovation and Commercialization（EPIC）Center 的創始合作夥伴，協助推動新一代記憶體晶片的製程與設備技術研發。

應用材料表示，EPIC Center預計投入50億美元進行半導體設備研發投資，相關資本支出將隨客戶專案逐步擴大。隨著全球科技企業加速建置AI基礎設施，市場對記憶體晶片的需求持續攀升，也推動產業加快技術開發。

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目前，包括 OpenAI、Google 與 Microsoft 等科技巨頭正大舉投資AI資料中心。市場預估，今年全球AI基礎設施投資金額將至少達到6,300億美元，進一步帶動記憶體需求。

在AI運算需求推動下，全球三大記憶體製造商三星電子、SK海力士與美光近期均表示產能面臨壓力，難以完全滿足市場需求。

依照合作規劃，應用材料與美光將專注於推動DRAM、高頻寬記憶體（HBM）以及NAND技術發展，結合EPIC Center與美光位於美國愛達荷州博伊西（Boise）的研發中心資源。

與SK海力士的合作則將聚焦於記憶體材料技術、製程整合以及3D先進封裝，用於下一代DRAM與HBM產品開發。

應用材料早在2023年便宣布將建設EPIC Center，當時預計投資規模約40億美元，並規劃於今年啟用。如今隨著AI產業需求快速擴張，公司也進一步擴大相關投資規模。

來源：路透社

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記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB，被稱為「全球首款」達到此容量規格的產品，主打更高效能與更低功耗，鎖定快速升溫的 Agentic AI（代理式 AI）應用浪潮。記者黃仁杰／編譯

記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB，被稱為「全球首款」達到此容量規格的產品，主打更高效能與更低功耗，鎖定快速升溫的 Agentic AI（代理式 AI）應用浪潮。

[caption id="attachment_208269" align="aligncenter" width="2560"] 記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB。（圖／美光提供）[/caption]

隨著 AI 應用層持續擴展，推論與長上下文（long-context）運算規模快速放大，記憶體瓶頸問題日益明顯。因此，包括 HBM 在內的 AI 專用記憶體技術成為 DRAM 廠商研發重點。

美光表示，新一代 SOCAMM2 模組容量提升至 256GB，相較上一代 192GB 大幅提升，為 AI 基礎設施建立新的效能基準。該產品將整合至新一代 AI 伺服器與運算設備中，以緩解 AI 工作負載的記憶體限制。

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在架構方面，美光將 LPDRAM 單一晶片容量提升至 32GB。若搭配 8 通道 CPU 架構，可提供 最高 2TB LPDRAM 容量，讓 AI 伺服器能更順暢處理長上下文推論任務。

美光指出，採用 SOCAMM2 後，長上下文推論的 TTFT（Time-to-First-Token）速度可提升 2.3 倍，有助於降低延遲並提升推論效率，特別適合 Agentic AI 工作負載，這類應用通常需要 CPU 主導的獨立運算能力。

SOCAMM2 記憶體模組是 美光與 NVIDIA 合作開發的產品之一。先前已有消息指出，NVIDIA 新一代 AI 基礎設施平台 Vera Rubin 將成為首批採用 SOCAMM2 標準的系統。

在 AI 計算領域中，記憶體容量與延遲已成為關鍵競爭資產。美光也指出，SOCAMM2 可能占用大量 DRAM 產能，甚至可能壓縮部分 GDDR7 等通用型記憶體的供應。

目前 256GB SOCAMM2 模組樣品已出貨給客戶，並預計在 GTC 2026 大會正式展示。

來源：wccftech

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美國記憶體大廠美光（Micron）宣布，將以現金18億美元收購台灣力積電位於苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠，消息激勵力積電股價週一盤中一度大漲近10%，成為市場焦點。記者黃仁杰／編譯

美國記憶體大廠美光（Micron）宣布，將以現金18億美元收購台灣力積電位於苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠，消息激勵力積電股價週一盤中一度大漲近10%，成為市場焦點。

[caption id="attachment_204285" align="aligncenter" width="1536"] 美國記憶體大廠美光（Micron）宣布，將以現金18億美元收購台灣力積電位於苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠。（圖／AI生成）[/caption]

美光上週六表示，已與力積電簽署意向書（LOI），計畫收購其位於苗栗銅鑼的P5廠區。該廠為完整晶圓製造設施，交易完成後，將成為美光擴充DRAM產能的重要據點。

力積電為台灣主要晶圓代工業者之一，產品涵蓋成熟製程與記憶體晶片。美光指出，此次收購可望自2027年下半年起，逐步提升其DRAM晶圓產出能力，以因應全球記憶體需求長期供不應求的市場環境。

美光表示，銅鑼P5廠將為其新增約30萬平方英尺的無塵室空間，這是高階晶片製造不可或缺的關鍵條件，未來將分階段導入產能，支援DRAM生產擴張。

市調機構TrendForce指出，美光收購力積電銅鑼廠，將有助於擴充其先進製程DRAM產能，並可能促使2027年全球DRAM供給預測上修。TrendForce估計，該廠首期產能於2027年下半年開出後，對應的產出規模，將相當於美光2026年第四季全球總產能的逾一成。

美光目前與三星電子、SK海力士並列為全球三大高頻寬記憶體（HBM）供應商，HBM已成為AI伺服器與高效能運算不可或缺的關鍵零組件。美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）先前亦指出，預期記憶體市場緊俏情況將延續至2026年之後。美光股價在2025年全年大漲240%，表現遠超費城半導體指數同期約42%的漲幅。

美光深耕台灣已超過30年，為台灣最大的外國直接投資企業之一，其位於台中的廠區是DRAM與HBM的重要生產基地。力積電也表示，交易完成後，雙方將建立長期晶圓代工合作關係，美光將協助力積電強化特殊型DRAM與先進封裝製程技術。

美光指出，該筆交易仍須通過相關監管機關審查，預計將於2026年第二季完成交割。

來源：路透社

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記憶體大廠美光（Micron），23日宣布已向客戶送樣192GB SOCAMM2（小型壓縮附加記憶體模組），主要針對其先前發表的LPDRAM SOCAMM設計的功能強化版，在維持相同尺寸規格的前提下，成功將模組容量提升了50%。記者孫敬／台北報導

記憶體大廠美光（Micron），23日宣布已向客戶送樣192GB SOCAMM2（小型壓縮附加記憶體模組），主要針對其先前發表的LPDRAM SOCAMM設計的功能強化版，在維持相同尺寸規格的前提下，成功將模組容量提升了50%。

另外，在即時推論工作負載中，例如生成式AI應用，首個Token生成的時間（TTFT）能大幅縮減超過80%。

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[caption id="attachment_196075" align="aligncenter" width="1078"] SOCAMM2鎖定低功耗記憶體在AI資料中心內的應用版圖。（圖／美光）[/caption]

美光SOCAMM2記憶體容量與能效雙重突破

美光表示，這款192GB SOCAMM2採用美光最先進的1γ (1-gamma) DRAM製程技術，使能源效率提升超過20%、單一模組容量達192GB、傳輸速度為9.6 Gbps，後續量產作業將配合客戶的產品推出時程規劃。

SOCAMM2採用模組化設計，使得全機櫃式AI部署環境可配置超過40TB的CPU直連低功耗DRAM主記憶體，不僅在性能與節能表現有所提升，同時也為資料中心提供了所需的維修便利性，並為未來的容量擴展奠定了可靠的基礎。

[caption id="attachment_196478" align="aligncenter" width="1500"] 美光SOCAMM2產品圖。（圖／美光）[/caption]

相較於同等級的RDIMM，SOCAMM2的能源效率提升逾三分之二 ；同時將高效能濃縮於體積僅三分之一的模組中，有效提升資料中心的空間利用率，並最大化容量與頻寬。SOCAMM採用模組化設計與創新堆疊技術，提高系統維修便利性，有助於液冷伺服器的設計。

美光資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示：「隨著AI工作負載日益複雜且需求更嚴苛，資料中心伺服器必須提高效率，在每瓦功耗下產出更多tokens。美光能確保SOCAMM2模組具備卓越的資料傳輸量、能源效率、大容量，同時保有資料中心所需的頂尖品質。」

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美光（Micron）傳出透過LinkedIn等管道加強人才招募，積極鎖定競爭對手的三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK hynix）的高階技術人才，特別是台灣台中廠區的關鍵職位。記者孫敬／編譯

美光（Micron）傳出透過LinkedIn等管道加強人才招募，積極鎖定競爭對手的三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK hynix）的高階技術人才，特別是台灣台中廠區的關鍵職位。

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[caption id="attachment_196075" align="aligncenter" width="2048"] 美光積極從同業招募高階技術人才。（圖／美光）[/caption]

台中廠成DRAM、HBM重鎮，高薪挖角韓國精英

報導指出，美光的台中廠區不僅是其全球最大的DRAM生產基地，同時也是HBM產品線的重要製造中心。此次美光需補齊的職缺，多集中於HBM製程與先進封裝領域，其中包含多個資深級別的高階職位，更傳出部分資深職位的年度總薪酬（含獎金）開出高達20億韓元（約或15萬美元）。外媒補充，美光這次招募的觸角，也伸向在韓國營運的外國半導體設備及顯示器公司員工。

美光近期在韓國新增了HBM基底晶粒設計工程師（HBM Base Die Design Engineer）的職位，過去HBM的基底晶粒主要負責輸入／輸出和DRAM的基礎功能，然而隨著HBM4世代的技術變革，基底晶粒開始整合記憶體控制器等核心系統半導體功能，目標透過吸引具備系統級設計專業的頂尖工程師，來開發高度客製化的HBM解決方案。

美光現已向輝達（NVIDIA）供應最新的HBM3E（第五代）產品，但現階段在產能和設計專業方面仍落後於主要競爭對手。為了縮小差距，美光在全球多地擴張DRAM製造基地，包括台灣、美國、日本和新加坡，並將人才招募提升為追趕競爭者的核心策略。美光執行長Sanjay Mehrotra在最近的財報會議上表示，HBM市場規模預計到2030年將達到1,000億美元，並強調HBM的增長速度已超越標準型DRAM，預計明年將持續保持強勁的增長動能。

資料來源：TrendForce

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美光（Micron）計劃停止向中國的資料中心供應伺服器晶片。此決定是因應2023年中國政府以國安風險為由，禁止美光產品用於中國關鍵基礎設施後，相關業務始終未能恢復所致。記者孫敬／編譯

消息人士透露，美國記憶體晶片大廠美光（Micron）計劃停止向中國的資料中心供應伺服器晶片。此決定是因應2023年中國政府以國安風險為由，禁止美光產品用於中國關鍵基礎設施後，相關業務始終未能恢復所致。

美光是第一家被北京當局鎖定制裁的美國晶片製造商，此舉被視為對華盛頓旨在阻礙中國半導體產業技術進步的一系列限制措施的報復。消息傳出後，美光股價應聲下跌約 1%。

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[caption id="attachment_195941" align="aligncenter" width="2048"] 美光宣布退出中國市場，但仍保留部分在中國的業務。（圖／美光）[/caption]

美光戰略調整，保留與海外業務相關的中國客戶

美光向外媒證實，中國資料中心部門確實受到了禁令的影響，並重申公司將遵守業務經營所在地的所有適用法規。內部人士指出，美光仍將繼續向兩家在中國設有業務，但在海外亦擁有重要資料中心營運的客戶供貨，其中一個是筆記型電腦製造商聯想（Lenovo）。此外，美光也將保留在中國的汽車和手機產業客戶，繼續向這個全球第二大經濟體供貨。在美光最近一個會計年度中，來自中國大陸的收入為34億美元，佔總營收的12%。

Emarketer分析師Jacob Bourne指出，美光將轉向亞洲、歐洲和拉丁美洲等其他地區尋求客戶。他進一步解釋，雖然中國是個關鍵市場，但全球對AI的需求正在推動資料中心的擴張，美光正押注能夠在其他市場彌補失去的業務。

美光退出中國，韓廠商成主要受惠者

中國是全球第二大的伺服器記憶體市場，美光禁令意味著該公司錯失了中國資料中心擴張帶來的巨大商機。根據政府採購文件審查顯示，去年中國用於運算的資料中心投資激增9倍，達到247億元人民幣（約34億美元）。在此背景下，美光的退出直接使競爭對手三星電子和SK海力士受益，同時也為中國本土企業長江存儲（YMTC）和長鑫存儲（CXMT）創造了機會。

美光被禁後，輝達和英特爾的晶片也相繼被中方指控存在國安風險，雖然目前尚未演變為正式的監管行動。美光在2023年曾表示產品的安全性沒有問題。

在人力資源方面，根據消息人士得知，美光在中國的資料中心團隊僱用了超過300名員工，但目前尚不清楚將有多少職位受到影響。美光在其他領域也有所縮編，外媒報導該公司在八月裁減通用快閃記憶體（UFS）計畫的數百名員工，因為決定停止開發未來的行動 NAND 產品。不過，美光仍持續擴大在西安的晶片封裝設施。美光在聲明中表示：「我們在中國擁有穩固的營運和客戶基礎，中國對美光和整個半導體產業來說仍然是一個重要的市場。」

資料來源：Reuters

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