AI熱潮持續推升全球記憶體需求，美國記憶體大廠美光（Micron）最新釋出警訊指出，HBM、DRAM與NAND供應吃緊的情況，恐怕不只延續到2026年，甚至可能再拉長。記者黃仁杰／編譯

AI熱潮持續推升全球記憶體需求，美國記憶體大廠美光（Micron）最新釋出警訊指出，HBM、DRAM與NAND供應吃緊的情況，恐怕不只延續到2026年，甚至可能再拉長。

[caption id="attachment_222820" align="aligncenter" width="1536"] 美國記憶體大廠美光（Micron）最新釋出警訊指出，HBM、DRAM與NAND供應吃緊的情況，恐怕不只延續到2026年。（圖／AI生成）[/caption]

根據摩根大通（JPMorgan）在最新投資報告中轉述，美光管理層於波士頓舉行的全球科技媒體與通訊大會上表示，隨著AI模型對高效能記憶體需求快速升溫，記憶體市場供給短缺仍看不到明顯緩解跡象。

美光認為，HBM、DRAM與NAND擴產難度都相當高，不僅牽涉製程升級，也受到產能與設備限制，因此供應緊繃將持續比市場原先預期更久。

市場分析指出，這波記憶體吃緊，核心關鍵來自AI。

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由於大型AI模型訓練與推論對頻寬需求暴增，HBM已成為AI GPU最關鍵零組件之一，而最新世代HBM容量越做越大，單顆晶片面積也同步放大，導致產出速度難以快速提升。

另一方面，DRAM製程也正往更先進節點推進，美光提到，旗下最新的「1-gamma」製程將成為公司歷來出貨規模最大的DRAM節點，並持續導入EUV極紫外光微影技術量產。

值得注意的是，美光也首度透露HBM4最新進度。美光表示，在AI需求帶動下，HBM4的量產拉升速度將是HBM3的兩倍，推進節奏明顯加快。下一代HBM4E預計在2027年開始進入量產爬坡階段，首批樣品將採用1-gamma DRAM顆粒。

除了HBM外，美光也指出，AI模型的Context Window持續變長，以及推論工作負載快速增加，也帶動企業對SSD需求同步升溫，讓公司在資料中心SSD市場持續擴大市占。

美光強調，目前正與客戶共同開發客製化儲存產品，而非提供標準規格產品，希望更貼近AI資料中心與雲端業者的實際需求。

來源：wccftech

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美光（Micron）宣布，已向主要伺服器生態系夥伴送樣全新256GB DDR5 Registered DIMM（RDIMM）記憶體模組，鎖定AI資料中心與高效能運算（HPC）市場。新產品採用美光最新1-gamma DRAM製程，傳輸速度最高可達9,200 MT/s，較目前市場量產中的主流模組快超過40%。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）宣布，已向主要伺服器生態系夥伴送樣全新256GB DDR5 Registered DIMM（RDIMM）記憶體模組，鎖定AI資料中心與高效能運算（HPC）市場。新產品採用美光最新1-gamma DRAM製程，傳輸速度最高可達9,200 MT/s，較目前市場量產中的主流模組快超過40%。

[caption id="attachment_219145" align="aligncenter" width="1590"] 美光全新256GB DDR5 Registered DIMM記憶體模組，鎖定AI資料中心與高效能運算（HPC）市場。（圖／美光提供）[/caption]

美光表示，這款256GB DDR5 RDIMM採用先進封裝技術，包括3D堆疊與矽穿孔技術（Through-Silicon Via，TSV），透過多顆記憶體晶粒整合，進一步提升容量、頻寬與能源效率。

在功耗方面，美光指出，單條256GB模組相較於兩條128GB模組，運作功耗可降低超過40%，對需要大規模部署大型語言模型（LLM）、代理型AI與即時推論系統的資料中心而言，可進一步提升能源效率。

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美光表示，目前正與多家伺服器生態系合作夥伴進行平台驗證，涵蓋現行與下一代伺服器平台，希望加快產品導入時程，協助客戶建置大規模AI與高效能運算基礎設施。

美光指出，隨著大型語言模型、高核心數CPU與即時AI推論應用快速成長，企業伺服器對更高容量、更高頻寬與更佳能源效率的需求正快速攀升，而新一代256GB DDR5 RDIMM正是為滿足這類需求而設計。

目前，美光1-gamma製程的256GB DDR5 RDIMM已開始向主要伺服器生態系夥伴送樣，進行平台驗證。

來源：wccftech

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即使美股整體表現疲弱，美光股價仍持續走高。美光週一盤中一度大漲9%，成為記憶體晶片族群中的焦點個股。記者黃仁杰／編譯

即使美股整體表現疲弱，美光股價仍持續走高。美光週一盤中一度大漲9%，成為記憶體晶片族群中的焦點個股。

[caption id="attachment_210055" align="aligncenter" width="1536"] 即使美股整體表現疲弱，美光股價仍持續走高。美光週一盤中一度大漲9%，成為記憶體晶片族群中的焦點個股。（圖／科技島資料照）[/caption]

當天標普500指數（S&P 500）幾乎持平，市場受到能源價格上升，以及美國與伊朗局勢升溫影響，整體投資氣氛偏向保守。不過晶片股表現相對強勢，英特爾一度上漲超過6%，高通盤中也曾上漲超過12%。

美光近期漲勢尤其明顯。統計顯示，美光在最近15個交易日中有11個交易日上漲，自3月底以來，股價已翻倍成長。

市場認為，推動這波記憶體股行情的核心因素，在於AI需求快速成長，加上記憶體供應持續吃緊，可能替整個半導體產業帶來超額獲利。

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Seaport Research Partners分析師Jay Goldberg指出，隨著AI加速器與推論硬體需求快速攀升，半導體企業營收有望明顯受惠。若市場採用速度超出預期，記憶體、邏輯晶片與網通晶片廠商都可能迎來「意外之財」。

分析師近期也開始頻繁提及「超級循環（Supercycle）」，認為這波記憶體景氣循環可能延續至明年之後。報導指出，目前晶片製造商正與客戶討論擴產與增加供應的合作方案。

FactSet數據顯示，除了美光外，SanDisk與博通也預估2026年毛利率將超過75%。

記憶體股的強勢表現，也讓相關產業與整體大盤走勢逐漸脫鉤。追蹤記憶體產業的DRAM ETF，週五單日上漲約13%，而主要股市指數則大致持平。

散戶投資熱度同樣升溫。JPMorgan Chase 分析師指出，美光已成為近期社群媒體討論度最高的熱門股票之一。

南韓記憶體股也同步走強。根據FactSet數據，SK海力士週一上漲超過11%，三星電子則上漲超過6%。

來源：CNBC

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美光科技於苗栗縣銅鑼鄉設立新廠，23日由苗栗縣政府攜手舉辦現場徵才活動，並由縣長鍾東錦與美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬共同揭開序幕。活動同步預告後續兩場徵才場次，邀請求職民眾於5月30日前往苗栗青年創業指揮部、6月13日到銅鑼灣會館踴躍參與。記者林育如／台北報導

美光科技於苗栗縣銅鑼鄉設立新廠，23日由苗栗縣政府攜手舉辦現場徵才活動，並由縣長鍾東錦與美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬共同揭開序幕。活動同步預告後續兩場徵才場次，邀請求職民眾於5月30日前往苗栗青年創業指揮部、6月13日到銅鑼灣會館踴躍參與。

[caption id="attachment_214086" align="alignnone" width="837"] 美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬。（圖／苗栗縣政府官網）[/caption]

為擴大在地就業機會，縣府與美光合作規劃系列徵才活動，鎖定青年與專業人才，提供多元職缺媒合平台。活動現場除設有職缺諮詢服務外，也將介紹企業文化與工作環境，並安排主管進行面對面面試，打造即時且高效率的就業媒合管道，協助有志投入高科技產業的求職者順利銜接職場。

美光科技銅鑼廠自3月揭牌以來，短時間內即完成首批機台進駐，預計今年年底前招募約1000名優秀人才，職缺涵蓋製程、設備、品質、廠務、環安衛等多元領域，招募更多在地及返鄉人才加入美光行列，共同參與先進記憶體技術研發與製造。

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23日苗栗縣長鍾東錦、美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬、新竹科學園區管理局長胡世民、議員林寶珠、黎尚安、許櫻萍、曾美露、張志宇、楊明燁、立委邱鎮軍秘書、議長李文斌機要秘書、議員鄭碧玉秘書以及工商、學校代表等人皆到場共同為美光公司人才招募活動揭開序幕。

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鍾東錦表示，美光公司進駐銅鑼科學園區，第一批需要1000位工作夥伴，苗栗人才濟濟鼓勵返鄉青年回來，對半導體業有興趣的民眾也歡迎來到苗栗就業，而美光公司制度為美式作風，非常有誠意員工福利非常好，鼓勵年輕人勇敢走出來，讓人生更幸福。

美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬表示，苗栗縣長鍾東錦及縣府提供相當好的環境，美光進駐苗栗對整體發展扮演非常重要的角色，而美光一直都很注重人才，「人才是我們的本、我們的根」，很多事情都要從人出發，給員工最好的福利也為員工創造友善環境讓他們在工作場所可以有最好的發揮，期待苗栗在地學生、返鄉青年等等都可以加入美光行列，同時也能就近照顧家人。

1111人力銀行總經理張篆楷表示，隨著半導體產業持續擴張，企業對技術與專業人才的需求明顯升溫，美光在苗栗擴大徵才不僅為在地就業市場注入新動能，也為求職者提供進入高科技產業的良好契機。透過政府與企業攜手合作舉辦徵才活動，能有效縮短求才與求職之間的距離，提升媒合效率，建議求職者把握機會積極參與，並善用人力銀行線上資源，提升錄取機會，順利銜接職涯發展。

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美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。記者黃仁杰／編譯

美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM（高頻寬記憶體）的新型解決方案，以因應AI推論時代快速升溫的記憶體需求。市場關注，此舉不僅可能改變記憶體產品布局，也恐進一步壓縮遊戲用GPU的供應。

[caption id="attachment_211290" align="aligncenter" width="1500"] 美光正評估將原本用於遊戲顯卡的GDDR記憶體進行垂直堆疊，打造類似HBM的新型解決方案。（圖／美光提供）[/caption]

隨著AI發展從模型訓練逐步轉向推論應用，記憶體需求正出現結構性變化。過去HBM主要支援大型模型訓練，但在推論場景中，系統對容量的需求快速提升，使記憶體成為下一個關鍵瓶頸。韓媒指出，美光正嘗試透過堆疊GDDR模組，提高整體容量，作為HBM之外的替代方案。

相較於HBM，GDDR原本多應用於遊戲顯卡，受AI需求影響相對有限。不過，美光此次將其導入AI領域，顯示公司正重新分配資源，優先滿足資料中心與企業市場需求。雖然GDDR堆疊在效能上仍難以與HBM匹敵，但其在容量上的優勢，對於推論工作負載具有補強效果。

事實上，美光過去已透過SOCAMM2技術，將LPDDR5X等通用記憶體堆疊至16層，單模組容量可達256GB，為記憶體堆疊提供技術基礎。然而，GDDR在功耗與散熱上的挑戰更高，若採用傳統線焊方式，如何維持訊號穩定與熱管理，將成為關鍵技術門檻。業界推測，美光可能透過調整時脈等方式，在效能與穩定性之間取得平衡。

在HBM市場競爭加劇之際，美光也面臨壓力。公司在HBM4進展上曾因輝達認證進度延後而影響供應布局，反觀三星電子則持續擴大市占。在此情況下，GDDR堆疊若能在成本與供應上展現優勢，有望成為差異化產品，為美光開闢新成長動能。

來源：wccftech

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記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，昨（26）日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮，正式納入其在台先進DRAM製造版圖。台灣美光董事長盧東暉表示，首批機台已於3月23日進駐，預計今 （2026）年底台灣團隊規模將達1.5萬人，其中銅鑼廠將釋出約1000個職缺，成為擴大人才布局的重要據點。記者黃仁杰／台北報導

記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，昨（26）日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮，正式納入其在台先進DRAM製造版圖。台灣美光董事長盧東暉表示，首批機台已於3月23日進駐，預計今 （2026）年底台灣團隊規模將達1.5萬人，其中銅鑼廠將釋出約1000個職缺，成為擴大人才布局的重要據點。

[caption id="attachment_210942" align="aligncenter" width="2560"] 記憶體大廠美光科技加碼深耕台灣，26日於苗栗銅鑼科學園區舉行新廠揭牌典禮。（圖／苗栗縣政府提供）[/caption]

此次揭牌典禮由行政院長卓榮泰、經濟部長龔明鑫、國科會主委吳誠文等人出席，並與供應鏈夥伴共同見證。盧東暉指出，從2025年11月與力積電洽談，到2026年2月完成交易簽署，再到3月完成產權轉移，整體歷時僅約12週，展現團隊在大型晶圓廠整合上的執行效率。

強化台灣先進DRAM布局 銅鑼納入大台中廠區

盧東暉表示，銅鑼廠未來將納入台灣美光「大台中廠區」一環，進一步強化在先進DRAM製造與封裝領域的布局，特別是在高頻寬記憶體（HBM）產品上持續維持領先地位。他也強調，晶圓廠從空間轉化為產能，需仰賴完整產業生態系支持，包括設備、材料與工程廠商的協同合作。

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目前美光在台據點涵蓋桃園、苗栗銅鑼、台中與台南，其中桃園、銅鑼與台中以DRAM製造為主，台南則負責後段封測，形成完整記憶體製造鏈。

投資累計破1.4兆 帶動苗栗成半導體新節點

根據公司統計，截至今年1月，美光在台累計投資已超過新台幣1.4兆元。行政院長卓榮泰表示，台灣已成為美光全球最重要的DRAM與HBM生產基地，此次銅鑼廠啟用，不僅是企業擴產里程碑，也將帶動區域產業升級。

苗栗縣長鍾東錦指出，縣府已將本案列為重點投資專案，從土地、水電、交通到人才媒合全面協助，並同步推動園區聯外道路與基礎建設，強化投資環境。隨著美光進駐，苗栗將與新竹形成產業互補，逐步建構「北有先進封測、南有先進記憶體」的雙核心半導體聚落。

預估創造2500職缺 推動在地人才與產業升級

地方政府預估，銅鑼廠未來可望創造約2500個就業機會，涵蓋高階工程與在地職缺，不僅有助青年留鄉，也將帶動供應鏈與周邊產業發展。

盧東暉表示，從台南廠擴建到銅鑼廠啟用，美光台灣團隊展現高度執行力，未來將持續支援AI產業發展，並鞏固台灣在全球記憶體產業中的關鍵地位。

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美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。不過，由於市場對其表現早有高度期待，股價在盤後交易中反而小幅回落。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。不過，由於市場對其表現早有高度期待，股價在盤後交易中反而小幅回落。

[caption id="attachment_210055" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）最新一季財報表現強勁，營收年增近三倍，不僅大幅優於市場預期，展望同樣亮眼。（圖／AI生成）[/caption]

根據財報，美光本季營收達238.6億美元，遠高於市場預估的200.7億美元；調整後每股盈餘為12.20美元，也明顯優於預期的9.31美元。相較去年同期的80.5億美元，營收呈現爆發性成長。

這波成長動能主要來自AI需求快速升溫。隨著輝達（Nvidia）GPU大量用於生成式AI，每一代晶片所需記憶體容量持續增加，推升整體市場出現供給吃緊。美光與三星、SK海力士等業者同步擴產，以應對需求。

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展望下一季，美光預估營收將達335億美元，較去年同期成長超過200%，每股盈餘預估約19.15美元，雙雙大幅優於市場預期。執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，AI帶動的記憶體需求、供給結構性緊縮，以及公司執行力，是推升業績與展望的關鍵。

在產品結構方面，美光正積極轉向高頻寬記憶體（HBM），這類產品已廣泛應用於AI晶片，且具備更高毛利。帶動公司毛利率從去年同期的36.8%大幅提升至74.4%，較上一季的56%也顯著成長。

獲利方面，本季淨利達138億美元（每股12.07美元），遠高於去年同期的15.8億美元。細分業務中，雲端記憶體營收年增逾160%至77.5億美元，手機與PC相關業務更從22.4億美元大幅跳升至77.1億美元。

值得注意的是，記憶體產業過去多屬低毛利、短約型市場，但隨著AI需求確定性提高，近期業者已開始簽訂長期合約，以確保未來產能供應。

美光指出，AI發展將使運算架構愈發依賴記憶體，公司將是這波趨勢的主要受惠者之一。目前已在第一季啟動針對輝達下一代Vera Rubin平台的HBM4量產，並預計2027年導入進階HBM4e產品。

為因應長期需求，美光也將大幅提高資本支出，預計2027年投入將顯著增加，其中建廠相關支出將超過100億美元。目前公司正於美國愛達荷州與紐約州建設大型晶圓廠，愛達荷廠預計2027年中投產，紐約廠則預計2028年下半年開始出貨。

整體而言，隨著AI需求持續推升記憶體用量，美光不僅營運大幅翻升，也正加速擴產布局，試圖在這波AI浪潮中鞏固關鍵供應地位。

來源：CNBC

這篇文章 AI帶動記憶體需求爆發 美光營收全面超預期近三倍暴增 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。

美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。

[caption id="attachment_209717" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。（圖／AI生成）[/caption]

此次量產產品涵蓋多項次世代規格，其中HBM4被視為AI運算的核心關鍵，美光也藉此強化與輝達在AI生態系的合作關係。

HBM4頻寬突破2.8TB/s 效能與能效同步提升

美光表示，HBM4 36GB 12層堆疊（12H）產品已於2026年第一季開始量產，資料傳輸速度超過每pin 11Gb/s，整體頻寬達2.8TB/s以上，相較前一代HBM3E，頻寬提升約2.3倍，能源效率也提升超過20%。

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此外，美光也展示更高容量版本HBM4，已向客戶提供48GB 16層堆疊（16H）樣品，相較36GB版本容量再提升33%，顯示HBM堆疊技術持續進化。

首款PCIe Gen6 SSD量產 鎖定AI資料中心需求

在儲存方面，美光同步推出業界首款進入量產的PCIe Gen6資料中心SSD「Micron 9650」，專為AI訓練與推論工作負載設計，並優化於輝達BlueField-4 STX架構。

該產品最高可達28GB/s連續讀取速度，隨機讀取效能達550萬IOPS，在效能與功耗比上較PCIe Gen5產品提升一倍，特別適合高頻寬、低延遲的AI應用場景。

SOCAMM2記憶體支援高密度AI運算

美光也同步量產容量達192GB的SOCAMM2記憶體模組，應用於輝達Vera Rubin NVL72系統與Vera CPU平台。該模組主打低功耗與高容量設計，每顆CPU最高可支援2TB記憶體容量與1.2TB/s頻寬，滿足AI與高效能運算（HPC）需求。

美光強化AI記憶體布局 深化與輝達合作

美光高層表示，下一世代AI發展將仰賴計算與記憶體的高度整合設計，而HBM4將成為推動AI運算的核心引擎。透過與輝達的緊密合作，雙方可從架構初期就同步優化運算與記憶體效能。

隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬、容量與能效的重要性快速提升，美光此次同步推進HBM4、Gen6 SSD與SOCAMM2量產，也顯示AI基礎設施競爭正從單一晶片，延伸至整體系統與生態系的整合能力。

來源：wccftech

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應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係，將共同開發下一代記憶體晶片技術，以支援人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求。記者黃仁杰／編譯

應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係，將共同開發下一代記憶體晶片技術，以支援人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求。

[caption id="attachment_209023" align="aligncenter" width="1536"] 應用材料（Applied Materials）週二（10）宣布，已與記憶體晶片大廠美光（Micron Technology）與SK海力士（SK Hynix） 建立合作關係。（圖／A生成）[/caption]

兩家公司將成為應用材料新設研究中心 Equipment and Process Innovation and Commercialization（EPIC）Center 的創始合作夥伴，協助推動新一代記憶體晶片的製程與設備技術研發。

應用材料表示，EPIC Center預計投入50億美元進行半導體設備研發投資，相關資本支出將隨客戶專案逐步擴大。隨著全球科技企業加速建置AI基礎設施，市場對記憶體晶片的需求持續攀升，也推動產業加快技術開發。

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目前，包括 OpenAI、Google 與 Microsoft 等科技巨頭正大舉投資AI資料中心。市場預估，今年全球AI基礎設施投資金額將至少達到6,300億美元，進一步帶動記憶體需求。

在AI運算需求推動下，全球三大記憶體製造商三星電子、SK海力士與美光近期均表示產能面臨壓力，難以完全滿足市場需求。

依照合作規劃，應用材料與美光將專注於推動DRAM、高頻寬記憶體（HBM）以及NAND技術發展，結合EPIC Center與美光位於美國愛達荷州博伊西（Boise）的研發中心資源。

與SK海力士的合作則將聚焦於記憶體材料技術、製程整合以及3D先進封裝，用於下一代DRAM與HBM產品開發。

應用材料早在2023年便宣布將建設EPIC Center，當時預計投資規模約40億美元，並規劃於今年啟用。如今隨著AI產業需求快速擴張，公司也進一步擴大相關投資規模。

來源：路透社

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記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB，被稱為「全球首款」達到此容量規格的產品，主打更高效能與更低功耗，鎖定快速升溫的 Agentic AI（代理式 AI）應用浪潮。記者黃仁杰／編譯

記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB，被稱為「全球首款」達到此容量規格的產品，主打更高效能與更低功耗，鎖定快速升溫的 Agentic AI（代理式 AI）應用浪潮。

[caption id="attachment_208269" align="aligncenter" width="2560"] 記憶體大廠美光（Micron）宣布推出新一代 SOCAMM2 記憶體模組，單模組容量提升至 256GB。（圖／美光提供）[/caption]

隨著 AI 應用層持續擴展，推論與長上下文（long-context）運算規模快速放大，記憶體瓶頸問題日益明顯。因此，包括 HBM 在內的 AI 專用記憶體技術成為 DRAM 廠商研發重點。

美光表示，新一代 SOCAMM2 模組容量提升至 256GB，相較上一代 192GB 大幅提升，為 AI 基礎設施建立新的效能基準。該產品將整合至新一代 AI 伺服器與運算設備中，以緩解 AI 工作負載的記憶體限制。

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在架構方面，美光將 LPDRAM 單一晶片容量提升至 32GB。若搭配 8 通道 CPU 架構，可提供 最高 2TB LPDRAM 容量，讓 AI 伺服器能更順暢處理長上下文推論任務。

美光指出，採用 SOCAMM2 後，長上下文推論的 TTFT（Time-to-First-Token）速度可提升 2.3 倍，有助於降低延遲並提升推論效率，特別適合 Agentic AI 工作負載，這類應用通常需要 CPU 主導的獨立運算能力。

SOCAMM2 記憶體模組是 美光與 NVIDIA 合作開發的產品之一。先前已有消息指出，NVIDIA 新一代 AI 基礎設施平台 Vera Rubin 將成為首批採用 SOCAMM2 標準的系統。

在 AI 計算領域中，記憶體容量與延遲已成為關鍵競爭資產。美光也指出，SOCAMM2 可能占用大量 DRAM 產能，甚至可能壓縮部分 GDDR7 等通用型記憶體的供應。

目前 256GB SOCAMM2 模組樣品已出貨給客戶，並預計在 GTC 2026 大會正式展示。

來源：wccftech

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