應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

記者/林育如

應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化（patterning）技術，可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 （interconnect wiring），進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

應材表示，為了最佳化晶片的面積和成本，愈來愈多客戶運用極紫外光雙重圖案化技術 （EUV double-patterning），來轉印比EUV解析度極限更小的晶片特徵（chip features）。EUV雙重圖案化技術，晶片製造商可將高密度的圖案分成兩半，並產生兩個符合EUV解析度極限的光罩；這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結合，然後蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高晶片特徵的密度，但也增加了消耗時間、能源、材料和水的製程步驟，造成晶圓廠和晶圓生產成本的增加。

為協助晶片製造商在持續縮小設計之際，卻不增加EUV雙重圖案化的成本、複雜性以及能源和材料消耗，應用材料公司與一流客戶密切合作，開發了Centura Sculpta圖案化系統。現在，晶片製造商可以轉印單一的EUV圖案，然後利用Sculpta系統在任何選定的方向拉長形狀，以減少特徵之間的空隙並提高圖案的密度。由於最終圖案是透過單一的光罩所產生，不但降低設計的成本和複雜性，也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風險。

應用材料公司表示，Sculpta系統可以提供晶片製造商以下效益，包括：每月10萬片初製晶圓 （wafer starts） 的產能將可節省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節省約50美元的製造成本、每片晶圓可節約能源超過15千瓦時 （kwh）等。

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理Prabu Raja博士表示，新的Sculpta系統充分證明了材料工程的進步，可以補強EUV微影技術，協助晶片製造商最佳化晶片面積和成本，並解決先進晶片製程日益增加的經濟和環境挑戰。Sculpta系統獨特的圖案成形技術，結合了應用材料公司在帶狀離子束 （ribbon beam） 和材料移除技術方面的深厚專業知識，提供了突破性的創新工具。

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