應材發佈突破性圖案化技術 降低晶片製程成本

記者/林育如

應用材料公司(Applied Materials)發佈一項突破性的圖案化(patterning)技術,可協助晶片製造商以更少的EUV微影步驟生產高效能的電晶體和內連佈線 (interconnect wiring),進而降低先進晶片製程的成本、複雜性和環境影響性。

嶄新的Centura Sculpta圖案化系統為EUV雙重圖案化技術提供了更簡單、更快速、更具成本效益的選擇。圖:應用材料公司官網

應材表示,為了最佳化晶片的面積和成本,愈來愈多客戶運用極紫外光雙重圖案化技術 (EUV double-patterning),來轉印比EUV解析度極限更小的晶片特徵(chip features)。EUV雙重圖案化技術,晶片製造商可將高密度的圖案分成兩半,並產生兩個符合EUV解析度極限的光罩;這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結合,然後蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高晶片特徵的密度,但也增加了消耗時間、能源、材料和水的製程步驟,造成晶圓廠和晶圓生產成本的增加。

為協助晶片製造商在持續縮小設計之際,卻不增加EUV雙重圖案化的成本、複雜性以及能源和材料消耗,應用材料公司與一流客戶密切合作,開發了Centura Sculpta圖案化系統。現在,晶片製造商可以轉印單一的EUV圖案,然後利用Sculpta系統在任何選定的方向拉長形狀,以減少特徵之間的空隙並提高圖案的密度。由於最終圖案是透過單一的光罩所產生,不但降低設計的成本和複雜性,也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風險。

應用材料公司表示,Sculpta系統可以提供晶片製造商以下效益,包括:每月10萬片初製晶圓 (wafer starts) 的產能將可節省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節省約50美元的製造成本、每片晶圓可節約能源超過15千瓦時 (kwh)等。

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理Prabu Raja博士表示,新的Sculpta系統充分證明了材料工程的進步,可以補強EUV微影技術,協助晶片製造商最佳化晶片面積和成本,並解決先進晶片製程日益增加的經濟和環境挑戰。Sculpta系統獨特的圖案成形技術,結合了應用材料公司在帶狀離子束 (ribbon beam) 和材料移除技術方面的深厚專業知識,提供了突破性的創新工具。

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