AI資料中心帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，也讓下一代DRAM技術競賽正式升溫。根據產業消息，三星電子與SK海力士正採取截然不同的技術路線，試圖搶下未來3D DRAM標準制定權，爭奪AI記憶體市場主導地位。記者黃仁杰／編譯

AI資料中心帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，也讓下一代DRAM技術競賽正式升溫。根據產業消息，三星電子與SK海力士正採取截然不同的技術路線，試圖搶下未來3D DRAM標準制定權，爭奪AI記憶體市場主導地位。

[caption id="attachment_217037" align="aligncenter" width="1536"] 根據產業消息，三星電子與SK海力士正採取截然不同的技術路線，試圖搶下未來3D DRAM標準制定權。（圖／AI生成）[/caption]

消息指出，三星正嘗試將原本應用在NAND快閃記憶體上的製造概念導入DRAM，並評估導入環繞閘極電晶體（GAAFET）技術。GAAFET是目前先進邏輯晶片的重要製程架構，透過讓閘極完整包覆通道，可進一步提升電晶體效能與功耗表現。

不過，DRAM與邏輯晶片最大不同，在於DRAM必須額外整合電容來儲存資料。隨著製程持續微縮，如何在更小空間內同時整合電晶體與電容，成為下一代DRAM最關鍵的技術挑戰。

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據了解，三星目前考慮仿效NAND架構，將讀寫控制等周邊電路放置於記憶體陣列下方，藉此釋放更多空間，提升記憶體密度。

另一方面，SK海力士則選擇不同路線。消息人士指出，SK海力士正測試名為4F²架構的新技術，透過垂直堆疊電晶體，並以類似GAAFET的方式包覆閘極材料，進一步提高晶片整合密度。

業界人士指出，三星與SK海力士目前都希望率先讓自家架構成為產業標準，因為誰能先掌握下一代DRAM標準，誰就有機會在AI時代進一步擴大在HBM與高階記憶體市場的話語權。

在AI伺服器需求持續爆發下，HBM、DRAM與其他記憶體產品正面臨原材料與產能同步吃緊，也讓這場技術戰不只是製程競賽，更將影響未來全球AI供應鏈布局。

來源：wccftech

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根據最新業界消息指出，蘋果公司（Apple）計畫調整其智慧型手機發布策略，將原定於今年秋季發布的基礎款 iPhone 18 延後至 2027 年初問世。此舉據悉是為了在應對全球動態隨機存取記憶體（DRAM）供應短缺的挑戰下，確保公司能維持健康的利潤空間。記者孟圓琦／編譯

根據最新業界消息指出，蘋果（Apple）計畫調整其智慧型手機發布策略，將原定於今年秋季發布的基礎款 iPhone 18 延後至 2027 年初問世。此舉據悉是為了在應對全球動態隨機存取記憶體（DRAM）供應短缺的挑戰下，確保公司能維持健康的利潤空間。

[caption id="attachment_216078" align="alignnone" width="1672"] 原定於今年秋季發布的基礎款 iPhone 18 延後至 2027 年初問世。（圖／AI生成）[/caption]

應對 DRAM 短缺與成本壓力

爆料來源指出，由於執行長提姆．庫克（Tim Cook）先前，曾警告公司的 DRAM 庫存即將耗盡，蘋果正設法降低零組件採購成本。透過延長 iPhone 17 的生產週期，蘋果得以繼續使用成熟的 3 奈米 A19 晶片及現有零組件，避免因採購高價的新批次記憶體而導致利潤下滑。

延續 iPhone 17 市場動能

iPhone 17 在 2026 年第一季已成為全球最暢銷的智慧型手機。業界分析認為，由於基礎款 iPhone 18 與前代產品之間除了晶片升級外，可能缺乏顯著的規格差異，因此蘋果選擇不急於更換產品線，以避免中斷目前的銷售氣勢。

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iPhone 17 的強勁產品競爭力

作為蘋果首款配備 LTPO OLED 面板的非 Pro 機型，iPhone 17 支援 1Hz 至 120Hz 的 ProMotion 自動適應更新率技術。此外，該機型搭載與旗艦級機型同規格的 8GB LPDDR5X 記憶體，並提供優質的後置雙鏡頭配置，被市場視為具備極高性價比的選擇。

針對追求性能與預算平衡的消費者而言，iPhone 17 預計將在未來數月內繼續擔任蘋果在智慧型手機市場的主力機型。

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資料來源：wccftech

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摩根士丹利指出，蘋果已成功確保 NAND 快閃記憶體供應至 2026 年第一季，同時持續就 DRAM 供應與價格進行談判；在記憶體成本走升之際，台積電則對蘋果提供相對優惠的先進製程報價，使得下一代 A20 晶片整體成本增幅可望控制在約 30%。記者黃仁杰／編譯

摩根士丹利指出，蘋果已成功確保 NAND 快閃記憶體供應至 2026 年第一季，同時持續就 DRAM 供應與價格進行談判；在記憶體成本走升之際，台積電則對蘋果提供相對優惠的先進製程報價，使得下一代 A20 晶片整體成本增幅可望控制在約 30%。

[caption id="attachment_203174" align="aligncenter" width="1536"] 摩根士丹利指出，蘋果已成功確保 NAND 快閃記憶體供應至 2026 年第一季，同時持續就 DRAM 供應與價格進行談判。（圖／AI生成）[/caption]

摩根士丹利近期完成台灣供應鏈調查，針對蘋果自研晶片的關鍵零組件供應狀況提出最新觀察。報告指出，蘋果已確保 NAND 資源可支應至 2026 年第一季，不過一旦與 Kioxia 簽署長期供貨合約，相關價格仍可能上調。

至於 DRAM，摩根士丹利指出，2026 年第一季的報價仍是談判關鍵。由於過去蘋果透過長約取得明顯低於現貨市場的價格，記憶體供應商預期將在 2026 年第一季大幅調高報價、縮小與現貨市場的價差。摩根士丹利因此預估，蘋果若要確保 DRAM 供應延續至 2026 年首季，恐需接受單季超過 50% 的價格調漲。

相較之下，蘋果在晶圓代工端的談判成果較為有利。摩根士丹利指出，台積電對蘋果的先進製程晶圓價格僅調升低個位數百分比，漲幅明顯低於其他先進製程客戶所面臨的中個位數調漲水準。

在此背景下，摩根士丹利最新預估，採用台積電 2 奈米製程的 A20 晶片，整體成本將較 3 奈米 A19 晶片增加約 30%，顯著低於先前外界傳出的高漲幅預期。

先前《經濟日報》曾報導，A20 單顆成本可能高達 280 美元，年增幅約 80%，主因包括記憶體通膨，以及台積電導入第一代奈米片（GAA）電晶體與高效率金屬層間電容的 N2P 製程。不過摩根士丹利最新看法認為，蘋果憑藉龐大出貨量與議價能力，已成功在晶圓代工價格上爭取到較佳條件。

此外，摩根士丹利也提到，蘋果可能在 2028 年推出的 iPhone 21 系列中，導入 2 億畫素相機感測器，並評估引進 STMicroelectronics 作為 LiDAR 感測器的第二供應來源，目前該零組件仍由 Sony 獨家供應。

來源：wccftec

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即便市值高達數兆美元，蘋果也難以完全免疫於全球零組件供應吃緊的衝擊。市場最新傳出，蘋果與記憶體供應商簽訂的 DRAM 長期採購合約（Long-Term Agreements，LTA）即將到期，最快自 2026 年 1 月起，可能被迫以更高價格向三星與 SK 海力士採購 DRAM，成本壓力明顯升高。記者黃仁杰／編譯

即便市值高達數兆美元，蘋果也難以完全免疫於全球零組件供應吃緊的衝擊。市場最新傳出，蘋果與記憶體供應商簽訂的 DRAM 長期採購合約（Long-Term Agreements，LTA）即將到期，最快自 2026 年 1 月起，可能被迫以更高價格向三星與 SK 海力士採購 DRAM，成本壓力明顯升高。

[caption id="attachment_195032" align="aligncenter" width="1477"] 市場最新傳出，蘋果與記憶體供應商簽訂的 DRAM 長期採購合約（Long-Term Agreements，LTA）即將到期。（圖／科技島資料照）[/caption]

市場消息指出，隨著記憶體產業供需趨緊，韓系大廠對於 DRAM 報價態度轉趨強勢，準備在新一輪合約談判中調高價格。相關人士形容，供應商正「摩拳擦掌」，準備向主要客戶收取更高溢價，而蘋果自然難以置身事外。外界也關注，這波成本上升是否最終會轉嫁到消費者身上。

此波 DRAM 供應情勢被形容為近年來最嚴峻之一。市場先前即傳出，三星為了追求更高獲利，甚至拒絕向自家行動裝置事業部提供額外 DRAM 供應，同時將產能重心轉向毛利較高的 DDR5 產品，而非 HBM。爆料人士 @jukan05 也在社群平台直言，消費性電子產品價格恐將全面走高，呼籲消費者「趁早購買，否則就得付出更高代價」。

若蘋果確實需承擔更高的 DRAM 採購成本，旗下多項產品線都可能受到影響，包括傳聞中的平價版 MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、可摺疊 iPhone，以及改版 OLED 的 M6 MacBook Pro 等。不過，市場也指出，蘋果仍握有兩項關鍵優勢，或有助於緩衝成本壓力。

首先，蘋果擁有龐大的現金部位，短期內具備吸收成本上升的財務彈性；其次，近年大力推動自研晶片策略，也有助於抵銷部分零組件成本。以 iPhone 16e 所採用的自研 C1 5G 數據機為例，單機可替蘋果節省約 10 美元成本，若以年出貨量計算，累積效益相當可觀。

市場進一步指出，蘋果預計今年稍晚推出新一代 C2 數據機，並導入明年旗艦機款；此外，蘋果長期採用自家 A 系列處理器，也避免受制於外部晶片供應商的價格策略。相較之下，其他手機品牌與晶片業者同樣面臨成本壓力，傳出高通與聯發科明年可能因成本上升，讓 Snapdragon 8 Elite Gen 6 與天璣 9600 採用 LPDDR6 記憶體的策略更趨保守。

儘管如此，市場普遍認為，蘋果仍難以完全消化所有成本上升壓力。@jukan05 預期，蘋果最快可能在 2026 年上半年調整產品售價，iPhone 也不排除納入漲價行列。對計畫於明年換機的消費者而言，價格上調恐怕已成難以避免的變數。

來源：wccftec

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記憶體大廠美光（Micron），23日宣布已向客戶送樣192GB SOCAMM2（小型壓縮附加記憶體模組），主要針對其先前發表的LPDRAM SOCAMM設計的功能強化版，在維持相同尺寸規格的前提下，成功將模組容量提升了50%。記者孫敬／台北報導

記憶體大廠美光（Micron），23日宣布已向客戶送樣192GB SOCAMM2（小型壓縮附加記憶體模組），主要針對其先前發表的LPDRAM SOCAMM設計的功能強化版，在維持相同尺寸規格的前提下，成功將模組容量提升了50%。

另外，在即時推論工作負載中，例如生成式AI應用，首個Token生成的時間（TTFT）能大幅縮減超過80%。

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[caption id="attachment_196075" align="aligncenter" width="1078"] SOCAMM2鎖定低功耗記憶體在AI資料中心內的應用版圖。（圖／美光）[/caption]

美光SOCAMM2記憶體容量與能效雙重突破

美光表示，這款192GB SOCAMM2採用美光最先進的1γ (1-gamma) DRAM製程技術，使能源效率提升超過20%、單一模組容量達192GB、傳輸速度為9.6 Gbps，後續量產作業將配合客戶的產品推出時程規劃。

SOCAMM2採用模組化設計，使得全機櫃式AI部署環境可配置超過40TB的CPU直連低功耗DRAM主記憶體，不僅在性能與節能表現有所提升，同時也為資料中心提供了所需的維修便利性，並為未來的容量擴展奠定了可靠的基礎。

[caption id="attachment_196478" align="aligncenter" width="1500"] 美光SOCAMM2產品圖。（圖／美光）[/caption]

相較於同等級的RDIMM，SOCAMM2的能源效率提升逾三分之二 ；同時將高效能濃縮於體積僅三分之一的模組中，有效提升資料中心的空間利用率，並最大化容量與頻寬。SOCAMM採用模組化設計與創新堆疊技術，提高系統維修便利性，有助於液冷伺服器的設計。

美光資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示：「隨著AI工作負載日益複雜且需求更嚴苛，資料中心伺服器必須提高效率，在每瓦功耗下產出更多tokens。美光能確保SOCAMM2模組具備卓越的資料傳輸量、能源效率、大容量，同時保有資料中心所需的頂尖品質。」

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OpenAI預計在2026年至2029年間，就能創造出高達50萬至60萬片動態隨機存取記憶體（DRAM）晶圓月產能的龐大需求，這幾乎佔據了整體DRAM產能的極大比例。記者孫敬／編譯

根據外媒報導以及瑞士銀行（UBS）的分析師報告指出，OpenAI即將推出的特殊應用積體電路（ASIC）將採用最新的12-Hi HBM3E技術，預計在2026年至2029年間，就能創造出高達50萬至60萬片動態隨機存取記憶體（DRAM）晶圓月產能的龐大需求，這幾乎佔據了整體DRAM產能的極大比例。

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[caption id="attachment_194395" align="aligncenter" width="1024"] OpenAI帶起了全球DRAM需求。（圖／OpenAI）[/caption]

AI巨頭客製化ASIC引爆需求，OpenAI與星際之門計畫成重要關鍵

僅憑單一 ASIC專案就能產生如此巨大的需求，預示著DRAM製造商具有巨大的成長潛力，前提是它們必須盡快擴大產能，以應對市場的迫切需要。雖然DRAM產業的總產能預計到2026年將達到195.5萬片WPM，但這一數字顯然仍不足以支撐AI爆炸性的成長。

這股需求的洪流中，OpenAI的星際之門（Stargate）計畫就預計消耗高達90萬片DRAM WPM的產能，以目前全球供應水準計算，這至少佔據了總產能的40%。如此需求規模對產業構成了嚴峻的挑戰。

根據集邦科技（TrendForce）的報告，全球DRAM供應商的庫存水準目前僅剩3.3週，創下了七年來的最低紀錄，過去這數字通常穩定維持在10週左右。為了迎合市場對高階HBM的需求，以三星（Samsung）已將重點聚焦HBM生產，並加速推進至1c奈米節點的製程技術，且DRAM的應用並不僅限於客製化AI晶片，它在資料中心領域同樣扮演著重要的角色。

隨著HBM4等下一代技術推升產能規模，主要科技巨頭對HBM的渴望程度正在不斷升高。為分散風險並增加產能，包括美光和SK海力士在內的公司都計劃在美國進行大規模投資，建立新的生產設施。

[embed]https://twitter.com/Jukanlosreve/status/1973643116998713535[/embed]

資料來源：wccftech

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美光已開始向客戶送樣其首批採用全新1γ（1-gamma）製程技術生產的LPDDR5X晶片。記者孫敬／編譯

記憶體大廠美光（Micron）本週在投資人與財經分析師電話會議上宣布，已開始向客戶送樣其首批採用全新1γ（1-gamma）製程技術生產的LPDDR5X晶片。這項新製程導入了極紫外光（EUV）微影技術，不僅預期將帶來更高的效能效率，更重要的是，它標誌著美光已正式開始使用EUV微影技術生產DRAM晶片，此為其DRAM製造上的重要里程碑。

延伸閱讀：受惠HBM與資料中心需求強勁！美光財報與財測雙雙超預期

[caption id="attachment_18558" align="aligncenter" width="1200"] LPDDR5X晶片象徵DRAM邁向了新的高度。（圖／科技島）[/caption]

1γ製程帶來顯著提升：功耗更低、效能更強，並擴展全產品線

美光執行長桑賈伊（Sanjay Mehrotra）表示：「我們在1γ DRAM製程節點上取得了卓越的進展，其良率提升速度超越了我們在1β（1-beta）節點上創下的紀錄。」他進一步指出，本季度公司已完成了數個關鍵產品的里程碑，其中包括首批基於1γ製程的LP5 DRAM合格樣品出貨。

美光的1γ製程技術是該公司第6代10奈米級生產節點，與前一代1β製程技術相比DRAM功耗降低20%，同時提升15%的效能。此外，這項技術還將位元密度提高了30%，這是一項非常顯著的改進。一旦新DRAM晶片的良率達到與1β DRAM裝置相似的水準，這項技術有望轉化為相當程度的生產成本降低。

值得注意的是，美光基於1γ的LPDDR5X晶片並非該公司首款採用此技術的記憶體產品。今年稍早，美光已推出更高效能和更低功耗的16Gb DDR5-9200晶片。然而，美光本週並未提供這些DRAM晶片送樣進度的最新資訊。未來，美光預計將其第6代10奈米級DRAM製程節點應用於其全部記憶體產品組合，包括DDR5、LPDDR5X（現在可支援高達10.7 GT/s）、GDDR7，以及針對資料中心優化的產品。桑賈伊強調：「我們將在整個DRAM產品組合中利用1γ技術，從這項領先技術中受益。」

美光是最後一家採用EUV微影技術進行1γ製造的主要DRAM製造商。儘管美光尚未透露有多少層是透過EUV技術生產，但預計會將EUV保留給那些若不使用EUV將需要耗時多重圖案化（multi-patterning）的最複雜層。1γ製程仍結合了EUV與傳統的深紫外光（DUV）多重圖案化，同時引入了升級的高介電常數金屬閘極（high-k metal gate）和重新設計的後段製程（BEOL）電路。美光目前正在日本生產1γ DRAM，其首台EUV設備已於2024年投入使用，並計劃在日本和台灣擴大EUV產能。

資料來源：Tom's Hardware

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華邦電總經理陳沛銘於19日線上法說會提到，2024年公司轉虧為盈，去年DDR4 SDRAM貢獻豐沛的營收，NOR Flash則在2025年上半年供需平衡。記者／孫敬 Archer Sun 

專注利基型動態隨機存取記憶體（DRAM）和編碼型快閃記憶體（NOR Flash）市場；IC設計與製造公司華邦電，總經理陳沛銘於19日線上法說會提到，2024年公司轉虧為盈，去年第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（DDR4 SDRAM）貢獻豐沛的營收，NOR Flash則在2025年上半年供需平衡。

反觀快閃記憶體SLC NAND Flash方面，因有不少供應商退出，明年下半年可能出現供應吃緊的問題。對產業關注許久客製化超頻寬元件（CUBE），華邦電已投入3年時間開發，現有數十個客戶展開合作，預估2026年帶進大量營收。

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[caption id="attachment_165093" align="aligncenter" width="1706"] 2025年華邦電看好供過於求的問題被解決，價格有望進一步回升。（圖／華邦電）[/caption]

華邦電2024年年底挺過第四季營運谷底

回顧幾年來的網通市場，陳沛銘觀察需求已低迷多年，公司雖然走出虧損但也坦言2024年「很辛苦」，通訊方面營收以往占比達30%以上，現今則低於25%，但預期2025年下半年將會好轉，DRAM供過於求的問題將得到解決，價格未來會進一步回升，另外像車用、電視甚至到邊緣AI裝置，也有更多成長機會。

自川普上任國際掀起的關稅戰，陳沛銘觀察市場提到關稅有助業者提早備貨，風險管理因素下華邦電在邊緣AI跟低功耗產品有更多成長空間，並有利於記憶體市場轉型發展，華邦電除持續投入開發NOR 45奈米外，每年至少會推出20款新品。

綜合營收類別表現，2024年合併營收為新台幣816億1千萬元，較2023年增加8.8%，營業毛利240.01億元、營業毛利率為29%，營業利益5.07億元、稅前淨利 11.11 億元，淨利 7.09 億元，歸屬母公司稅後淨利為新台幣6億1百萬元，2024年第四季稅後淨損6.48億元，每股稅後純益（EPS）來到0.14元，相比前年虧損0.29元轉盈，本年度將不配發股利。

其中邏輯產品線占2024年營收為39%，快閃記憶體產品線占2024年營收為35%，穩定保持NOR Flash全球第一供應商的地位；客製化記憶體產品線占2024年營收為24%，來自於20奈米的營收貢獻持續增加，而其他產品線占2024年營收為2%。

華邦電2024年記憶體產品在消費性電子（Consumer）占28%、車用及工業應用相關（Car &Industrial）占25%、 通訊電子（Communication）占24%、電腦相關（Computer）占23%。

此外，華邦電董事會近期也通過了新年度資本支出預算案，總額5.29億美元，內含生產跟設備研發、不動產與資本化租賃資產多個領域。

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美光將台灣定位成光動態隨機存取記憶體（DRAM）卓越製造中心，公司有6成的DRAM都在台灣生產製造。記者／孫敬 Archer Sun

記憶體大廠美光於上週記者會表示，美光將台灣定位成光動態隨機存取記憶體（DRAM）卓越製造中心，公司有6成的DRAM都在台灣生產製造，今年除持續擴大用於高頻寬記憶體（HBM）3E的1-beta DRAM產能，更預計在台中廠啟動最先進1 gamma製程量產（約同等10奈米）記憶體晶圓。

台灣美光董事長盧東暉回應，美光來台投資已滿30年，直至2024年累積投資1.1兆新台幣，是台灣最大投資外商，目前在桃園、台中、台南皆有廠房，員工總數達1.2萬人。

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[caption id="attachment_160397" align="aligncenter" width="2048"] 台灣美光董事長盧東暉。（圖／美光）[/caption]

美光下世代HBM4有望於2026年量產

「台灣整個島就是一個工廠。」盧東暉表示美光為了持續開拓市占並維持市場領先地位，將台灣現有三個地區的廠房視為同一個廠區，同時積極延攬如台灣、南韓、印尼、印度、越南等地的應屆大學畢業生。美光今年不分科系目標招募2000名新血，也向韓國祭出超過100個職缺，包含前段和後段製程，未來工作地點可能在桃園和台中，台中廠區已規劃兩棟辦公大樓用地，來滿足未來需求。

從1 gamma製程量產的暖身，不難看出是為HBM4做準備。盧東暉指出按照原定時程HBM4預計2026年推出，考量美光前段晶圓製程基地在台灣及日本，美光HBM在後端封測部分也將於台灣進行。

美光在台灣最新廠房規畫方面，美光去年底從友達收購的2座南科工廠，現正增設無塵室等設備工程，預定今年上半年啟用並投入前段記憶體晶圓測試（Wafer Probe）；美光桃園廠導入新製程之餘也在興建兩棟新大樓，盧東暉評估產能允許的話可能會放入紫外光微影（EUV）機台；台中HBM製造、封測廠區自2023年開新封測四廠，去年也增設2座新辦公室。

根據美光先前法說會公布的營收資訊，HBM單季銷售成長1倍以上，2025年HBM有望貢獻營收數十億美元。美光執行長Sanjay Mehrotr在近期財報會議中亦提到，2025年HBM產能已銷售一空、價格也已敲定，美光整體營收約有13%出自資料中心最大客戶，且第1季資料中心營收年增400%、季增40%，創歷史新高，資料中心營收占整體銷售金額占比首度突破50%。

Mehrotr補充，HBM4將於2026年量產且預估2028年整體HBM市場規模，將比2024年的160億美元成長4倍、2030年突破至1000億美元。美光今年獲得第三間客戶採用美光HBM，推估這有助於HBM全球市佔率將和美光DRAM相當，達25%成績。

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從台積電工程師成功轉職自媒體經營者，瓦基交出一張漂亮的成績單，但實際上真的一切順順利利沒有任何阻礙嗎？瓦基老實說，其實每一天都是挫折，要如何從無到有，做好口碑，最重要的是得靠自己的一套習慣，日積月累才逐漸讓人看到。瓦基版的獨家習慣養成，趕快學起來。而對於未來，瓦基不為自己設限，也將挑戰目前最夯的YT頻道，只是要怎麼做呢？聽聽他怎麼說。

https://open.firstory.me/rss/user/clcfxaqx60003011qh1x50tuy

繼上次以 DRAM 為主力的南亞科技，暢談先蹲後跳的策略後，這次，副總透露了新廠即將落成，也將大舉徵才，而且不再鎖定頂尖大學人才，只要你有心加入研發的腳步，南亞科都歡迎你！

• 吳志祥

  • 南亞科技副總經理

• 個人經歷

  • 南亞科技企劃及行政管理協理
  • 勝普電子公司總經理
  • 南亞科技行銷一處處長

精彩內容

00:00 開場
00:39 科技浪潮下 產業人才培育更謹慎
02:38 待新廠落成 需約三千名人才
04:01 與學校合作 執行研究計畫
07:08 不再鎖定頂大？如何進入南亞科技？
09:10 維持研發替代役 以銜接就業端
10:29 清楚的職涯願景 完善升遷管道
15:00 福利制度鼓勵婚育 營造幸福職場
17:05 以實際行動 創造友善職場環境
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