長鑫存儲第五代DRAM技術平台量產 單片晶圓可產晶粒增逾50%
記者黃仁杰／編譯
中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）宣布，第五代技術平台已正式進入量產，並同步推出兩款24Gb LPDDR5X產品。公司表示，新平台可在降低成本與功耗的同時，提高記憶體密度，進一步強化中國在全球DRAM市場的競爭力。
DRAM主要作為手機、電腦與其他裝置的短期工作記憶體，用來執行應用程式與各類運算。
關鍵結構間距縮至11.95奈米
長鑫存儲表示，新一代平台進一步縮小儲存資料所需結構之間的距離，讓單一晶片可以容納更多記憶體，同時也提高每片矽晶圓可切割出的晶粒數量。
公司已將記憶體儲存區域的關鍵特徵間距縮小至11.95奈米，約為12奈米等級。
製程方面則採用「四重圖形化」（Quadruple Patterning）技術，透過重複多道製程步驟，製作出更細緻的電路圖形。
長鑫存儲副總裁暨市場中心負責人羅曉東在2026世界製造業大會表示，公司目前的製程能力，已經可與業界最先進的量產節點相提並論。
推出兩款24Gb LPDDR5X
除了新製程平台之外，長鑫也同步公布兩款採用第五代平台製造的24Gb LPDDR5X產品。
LPDDR5X是一種低功耗DRAM，主要應用於智慧手機與其他可攜式電子裝置。
長鑫表示，這兩款產品的單顆容量較上一代同級產品增加50%，目前也已進入量產。
兩款產品採用不同封裝形式，可因應不同智慧手機與可攜式裝置的設計需求。
單片晶圓可產晶粒數增加逾50%
長鑫指出，以8Gb晶片作為基準，第五代平台每片晶圓可生產的毛晶粒數，相較第四代平台至少增加50%。
這裡所指的毛晶粒數，是晶圓完成切割前、尚未排除瑕疵晶粒時的理論晶粒總數，並不等同於最終良率。
長鑫表示，新平台開發過程中大量使用電腦模擬，同時也與中國本土半導體設備商合作，解決多項關鍵製程問題。
中國加速降低對海外半導體技術依賴
長鑫此次宣布第五代DRAM技術平台量產，也正值中國持續推動半導體自主化。
自2022年以來，美國出口管制持續限制中國取得部分先進晶片製造設備與相關軟體，北京則加快建立本土半導體供應鏈，降低對海外技術的依賴。
來源：路透社
