南韓媒體報導，三星電子計畫向OpenAI供應次世代高頻寬記憶體（HBM4），用於其首款自研人工智慧（AI）處理器，顯示生成式AI算力需求持續推升先進記憶體競爭。記者黃仁杰／編譯

南韓媒體報導，三星電子計畫向OpenAI供應次世代高頻寬記憶體（HBM4），用於其首款自研人工智慧（AI）處理器，顯示生成式AI算力需求持續推升先進記憶體競爭。

[caption id="attachment_210167" align="aligncenter" width="1536"] 南韓媒體報導，三星電子計畫向OpenAI供應次世代高頻寬記憶體（HBM4），用於其首款自研人工智慧（AI）處理器。（圖／AI生成）[/caption]

根據《韓國經濟日報》引述業界消息指出，三星預計於今年下半年供應最多8億Gb的12層HBM4晶片，將搭配OpenAI與博通（Broadcom）合作開發的AI晶片使用。該晶片預計由台積電代工，最快第三季量產、年底推出。

OpenAI近年積極強化自研晶片布局，以降低對外部供應商依賴並確保算力來源。去年即與博通合作開發AI處理器，並與三星簽署意向書，為其資料中心（Stargate計畫）提供記憶體支援。

此次合作也凸顯HBM市場競爭白熱化。在AI應用快速擴張下，高頻寬記憶體已成為關鍵瓶頸之一。三星近期亦與超微（AMD）簽署合作備忘錄，爭取成為其新一代AI GPU的HBM4主要供應商。

不過，對於相關報導，三星表示不予評論，OpenAI亦未對此消息作出回應。

來源：路透社

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三星電子（Samsung Electronics）與超微（AMD）宣布簽署合作備忘錄（MoU），將擴大在人工智慧（AI）基礎設施領域的記憶體合作，並進一步探討晶圓代工（foundry）合作機會。此舉也反映AI熱潮下，半導體業者正加速布局高頻寬記憶體（HBM）供應鏈。記者黃仁杰／編譯

三星電子（Samsung Electronics）與超微（AMD）宣布簽署合作備忘錄（MoU），將擴大在人工智慧（AI）基礎設施領域的記憶體合作，並進一步探討晶圓代工（foundry）合作機會。此舉也反映AI熱潮下，半導體業者正加速布局高頻寬記憶體（HBM）供應鏈。

[caption id="attachment_209966" align="aligncenter" width="1536"] 三星電子（Samsung Electronics）與超微（AMD）宣布簽署合作備忘錄（MoU），將擴大在人工智慧（AI）基礎設施領域的記憶體合作。（圖／AI生成）[/caption]

根據雙方聲明，此次合作重點將包括三星提供次世代HBM4記憶體，應用於AMD即將推出的Instinct MI455X AI加速器，同時也將供應優化版本的DDR5記憶體，支援AMD第六代EPYC伺服器處理器。

三星表示，未來將進一步強化在HBM4市場的供應角色，成為AMD新一代AI GPU的重要記憶體合作夥伴。事實上，三星目前已是AMD主要HBM供應商之一，提供HBM3E記憶體應用於MI350X與MI355X加速器。

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此次合作也延伸至晶圓代工領域，雙方將探討由三星為AMD次世代產品提供製造服務的可能性，顯示雙方關係正從元件供應延伸至更深層的製造合作。

這項合作正值輝達（NVIDIA）年度GTC開發者大會期間。輝達執行長黃仁勳日前也宣布與三星在晶圓代工領域合作，並對其HBM4技術表達肯定。

隨著AI需求持續爆發，高頻寬記憶體供應日趨緊張，全球晶片業者正積極建立長期合作關係，以確保關鍵元件供應穩定。

AMD近期已與Meta簽署長達五年、總額上看600億美元的AI晶片供應協議，並於去年與OpenAI達成類似合作，顯示其AI業務快速成長，也進一步推升對HBM的需求。

在HBM市場競爭方面，三星目前市占約22%，仍落後於龍頭SK海力士（SK Hynix）的57%。隨著HBM4量產與大型客戶合作深化，三星正積極縮小與競爭對手的差距。AI帶動的高頻寬記憶體需求，正重新塑造半導體供應鏈格局，記憶體廠與晶片設計公司之間的合作也將更加緊密。

來源：路透社

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美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。記者黃仁杰／編譯

美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。

[caption id="attachment_209717" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。（圖／AI生成）[/caption]

此次量產產品涵蓋多項次世代規格，其中HBM4被視為AI運算的核心關鍵，美光也藉此強化與輝達在AI生態系的合作關係。

HBM4頻寬突破2.8TB/s 效能與能效同步提升

美光表示，HBM4 36GB 12層堆疊（12H）產品已於2026年第一季開始量產，資料傳輸速度超過每pin 11Gb/s，整體頻寬達2.8TB/s以上，相較前一代HBM3E，頻寬提升約2.3倍，能源效率也提升超過20%。

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此外，美光也展示更高容量版本HBM4，已向客戶提供48GB 16層堆疊（16H）樣品，相較36GB版本容量再提升33%，顯示HBM堆疊技術持續進化。

首款PCIe Gen6 SSD量產 鎖定AI資料中心需求

在儲存方面，美光同步推出業界首款進入量產的PCIe Gen6資料中心SSD「Micron 9650」，專為AI訓練與推論工作負載設計，並優化於輝達BlueField-4 STX架構。

該產品最高可達28GB/s連續讀取速度，隨機讀取效能達550萬IOPS，在效能與功耗比上較PCIe Gen5產品提升一倍，特別適合高頻寬、低延遲的AI應用場景。

SOCAMM2記憶體支援高密度AI運算

美光也同步量產容量達192GB的SOCAMM2記憶體模組，應用於輝達Vera Rubin NVL72系統與Vera CPU平台。該模組主打低功耗與高容量設計，每顆CPU最高可支援2TB記憶體容量與1.2TB/s頻寬，滿足AI與高效能運算（HPC）需求。

美光強化AI記憶體布局 深化與輝達合作

美光高層表示，下一世代AI發展將仰賴計算與記憶體的高度整合設計，而HBM4將成為推動AI運算的核心引擎。透過與輝達的緊密合作，雙方可從架構初期就同步優化運算與記憶體效能。

隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬、容量與能效的重要性快速提升，美光此次同步推進HBM4、Gen6 SSD與SOCAMM2量產，也顯示AI基礎設施競爭正從單一晶片，延伸至整體系統與生態系的整合能力。

來源：wccftech

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南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）週四（12）表示，已開始向未具名客戶出貨旗下最新一代高頻寬記憶體（HBM4）晶片，試圖縮小與競爭對手在供應輝達（NVIDIA）AI加速器關鍵零組件上的差距。記者黃仁杰／編譯

南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）週四（12）表示，已開始向未具名客戶出貨旗下最新一代高頻寬記憶體（HBM4）晶片，試圖縮小與競爭對手在供應輝達（NVIDIA）AI加速器關鍵零組件上的差距。

[caption id="attachment_207382" align="aligncenter" width="1536"] 南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）週四表示，已開始向未具名客戶出貨旗下最新一代高頻寬記憶體（HBM4）晶片。（圖／AI生成）[/caption]

隨著全球積極建置AI資料中心，市場對HBM晶片需求快速升溫。這類晶片可為AI加速器提供大量高速資料傳輸，是訓練與運行生成式AI模型的核心元件。

三星作為全球最大記憶體製造商，過去在先進HBM市場布局相對保守，在前幾代產品上落後於SK海力士（SK Hynix）等對手。不過，三星正加速追趕。三星半導體事業部技術長宋在赫（Song Jai-hyuk）週三表示，客戶對HBM4的回饋「相當令人滿意」。

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三星指出，其HBM4晶片可提供穩定11.7Gbps（每秒十億位元）的處理速度，較前一代HBM3E提升22%；最高傳輸速度可達13Gbps，有助於緩解日益嚴重的資料傳輸瓶頸問題。三星並透露，預計今年下半年將提供下一代HBM4E晶片樣品。

受此消息激勵，三星股價週四收漲6.4%，SK海力士則上漲3.3%。SK海力士今年1月曾表示，將力保其在次世代HBM4市場的「壓倒性」市占率，目前HBM4已進入量產階段。該公司也強調，目標是讓HBM4的良率達到與現行HBM3E相近的水準。

另一方面，美光（Micron）財務長亦指出，公司已展開HBM4大規模量產，並開始向客戶出貨。在AI算力需求持續擴張之下，HBM4已成為三大記憶體廠正面交鋒的新戰場，競爭態勢持續升溫。

來源：路透社

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南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價，公司聯合執行長暨半導體事業負責人全永鉉（Jun Young-hyun）在新年談話中指出，客戶甚至形容「三星回來了」，顯示市場對其新一代記憶體布局的信心正在回溫。記者黃仁杰／編譯

南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價，公司聯合執行長暨半導體事業負責人全永鉉（Jun Young-hyun）在新年談話中指出，客戶甚至形容「三星回來了」，顯示市場對其新一代記憶體布局的信心正在回溫。

[caption id="attachment_160067" align="aligncenter" width="1200"] 南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價。（圖／123RF）[/caption]

三星去(2025)年10月曾透露，正就 HBM4 供貨事宜與美國人工智慧晶片龍頭 NVIDIA 保持密切討論。隨著 AI 應用帶動高頻寬記憶體需求快速成長，三星正加緊腳步追趕同業，尤其是在 AI 晶片領域具領先地位的南韓同業 SK Hynix。

市調機構 Counterpoint Research 數據顯示，2025 年第三季全球 HBM 市場中，SK 海力士市占率達 53%，三星以 35% 居次，美光（Micron）則為 11%。投資人目前關注的重點，在於三星是否能憑藉第四代 HBM 產品逐步縮小與競爭對手之間的差距。

三星在第三季法說會中表示，已向關鍵客戶出貨 HBM4 樣品，並將重心放在 2026 年 HBM4 的量產布局，以因應持續升溫的市場需求。消息帶動三星電子股價於早盤上漲 1.9%，表現優於大盤 KOSPI 指數的 0.5% 漲幅。

來源：路透社

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三星已在SEDEX 2025（半導體展覽會）上向外界展示其最新的HBM4製程技術，似乎正全力避免重蹈過去在DRAM市場中失去主導地位的錯誤，且三星的HBM4邏輯晶片良率據傳已達到90%。記者孫敬／編譯

在當前市場中，HBM4（高頻寬記憶體第四代）被視為最頂尖的運算核心要件之一，它將主宰AI效能的成長動能，韓國記憶體製造商如三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix），以及美光（Micron）相繼推出HBM4解決方案。

台灣媒體報導，三星已在SEDEX 2025（半導體展覽會）上向外界展示其最新的HBM4製程技術，似乎正全力避免重蹈過去在DRAM市場中失去主導地位的錯誤，且三星的HBM4邏輯晶片良率據傳已達到90%，這不僅是技術上的巨大突破，也暗示三星已穩步走向量產階段，且目前沒有延遲的疑慮。

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[caption id="attachment_160069" align="aligncenter" width="1200"] 三星在HBM4將跟SK海力士與美光激戰。（圖／科技島資料照）[/caption]

速度與產能齊發，三星高規搶攻輝達訂單

為了確保HBM4的初期市場採用率，三星正實施多項積極的戰略，包括維持具競爭力的價格、提供更高的產能，以及提供更快的針腳速度（Pin Speed）。三星計劃向輝達（NVIDIA）等主要客戶供應高達11 Gbps的針腳速度，據稱優於於SK 海力士與美光目前所能提供的水準。

不過三星目前尚未獲得輝達的HBM4訂單，考量到其製程技術與高良率，三星對成功搶佔這塊高階市場份額保持樂觀態度。

同樣在SEDEX 2025展會上，SK海力士也展示了跟台積電合作開發的的HBM4模組。隨著三星以驚人的速度追趕，並 HBM4上取得重大進展，加上市場對AI晶片和記憶體的需求達到前所未有的水準，未來的DRAM市場競爭勢必將更加激烈。

資料來源：wccftech

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三星電子（Samsung Electronics）正為第六代HBM（HBM4）進入最終品質驗證階段，晶圓代工部門（Foundry）近期4奈米製程良率已穩定突破90%。記者孫敬／編譯

三星電子（Samsung Electronics）正為第六代HBM（HBM4）進入最終品質驗證階段，晶圓代工部門（Foundry）近期4奈米製程良率已穩定突破90%。

根據產業消息人士20日的說法，超過90%的良率意味著每生產十個邏輯晶片中，就有超過九個是合格產品，技術穩定性已適合量產。隨著三星記憶體部門為供應給輝達（NVIDIA）和超微（AMD）等客戶而積極量產HBM4樣品，代工部門據報已將4奈米產線約一半的產能投入邏輯晶片生產並計畫運營。

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[caption id="attachment_156209" align="aligncenter" width="1200"] 三星第六代HBM製程良率大幅上升。（圖／科技島資料照）[/caption]

邏輯晶片地位躍升，代工製程成致勝關鍵

HBM是由多層DRAM堆疊而成，最底層的邏輯晶片是核心控制單元，它負責連接堆疊的DRAM與AI晶片的繪圖處理器（GPU），並管控電源供應和數據訊號。外媒報導，三星主要佈局在自家晶圓代工部門，採用4奈米製程來製造HBM4邏輯晶片；SK海力士主要採用台積電的12奈米製程；美光（Micron）則使用自家最先進的12奈米級DRAM製程，製程越精細，半導體效能越高、功耗表現越佳。由於每一代HBM都要求更高的性能，且散熱問題日趨嚴峻，因此將先進製程應用於HBM核心的邏輯晶片，已成為HBM4世代的產業趨勢。

一位業界官員透露，三星代工部門的4奈米製程已足夠成熟，整體製程良率已超過八成。邏輯晶片的良率在今年初試產階段就已超過四成。鑑於記憶體部門將HBM4視為命運所繫，負責製造HBM4核心邏輯晶片的代工部門，正提供全面的支持。

4奈米良率達陣，加速進入客製化HBM時代

三星晶圓代工部門穩定的良率提振了士氣，因為客製化HBM（Custom HBM）時代有望從第七代HBM（HBM4E）開始蓬勃發展。業界預計從HBM4E開始，客戶所需的AI半導體應用最佳化的HBM也將興起。為了實現客製化，記憶體製造商不僅需要能根據客戶需求在邏輯晶片上設計電路，更仰賴晶圓代工廠具備足夠的製程能力來生產這些設計，以滿足多樣化的市場需求。

一位業界官員解釋，三星電子搶先競爭對手，對HBM4邏輯晶片應用更精細的製程，以彌補前幾代產品的低迷。雖然產品仍待市場驗證，對即將到來的次世代HBM市場中，晶圓代工的製程技術重要性將被大幅凸顯。

資料來源：朝鮮日報

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SK海力士於12日宣布，已成功開發全球首款HBM4（第六代高頻寬記憶體）並建立量產系統。記者孫敬／編譯

SK海力士於12日宣布，已成功開發全球首款HBM4（第六代高頻寬記憶體）並建立量產系統。此舉意味著SK海力士已滿足包括輝達（NVIDIA）等客戶在內的效能需求，並在競爭對手之前，為準時供貨做好了準備。

SK海力士指出，新量產的HBM4記憶體採用了高達2,048個資料傳輸通道（I/O），是前一代產品的兩倍，不僅使頻寬翻倍，功耗效率也提升了超過40%。SK海力士內部人士表示：「HBM4若導入客戶系統，可將AI服務效能提升多達69%，預計將從根本上解決資料傳輸的瓶頸問題，同時大幅降低資料中心的電力成本。」

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[caption id="attachment_191620" align="aligncenter" width="1000"] SK海力士HBM4大幅強化AI運算效能。（圖／SK海力士）[/caption]

SK海力士MR-MUF技術助攻，解決良率與散熱挑戰

在HBM4的開發過程中，SK海力士運用自家研發的先進MR-MUF製程與第五代（1b）10奈米級DRAM技術，成功將量產風險降至最低。該公司也表示，HBM4的運行速度已超越每秒10 Gbps，遠遠高於JEDEC（電子設備工程聯合委員會）設定的8Gbps標準運作速度。

MR-MUF製程是一種先進的封裝技術，透過在堆疊的半導體晶片之間注入液態保護材料，使其硬化後保護晶片之間的電路。相較於傳統每次堆疊晶片都需鋪設薄膜的方式，這種製程更有效率，散熱效果也更佳。

[caption id="attachment_191621" align="aligncenter" width="1000"] SK海力士HBM4邁向量產。（圖／SK海力士）[/caption]

特別值得一提的是，SK海力士的先進MR-MUF製程相較於傳統技術，能有效降低晶片堆疊時的壓力，並能更好地控制晶片在熱傳導過程中可能發生的翹曲現象，確保HBM供應鏈中的穩定製造能力。

SK海力士AI基礎設施部門總裁Kim Ju-seon回應：「我們這次正式宣布全球率先建立HBM4量產系統，是超越AI基礎設施限制的一個象徵性轉捩點，也是解決AI時代技術挑戰的關鍵產品。我們將及時供應AI時代所需、具備頂尖品質與多樣化效能的記憶體。」

資料來源：《朝鮮日報》

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美光將台灣定位成光動態隨機存取記憶體（DRAM）卓越製造中心，公司有6成的DRAM都在台灣生產製造。記者／孫敬 Archer Sun

記憶體大廠美光於上週記者會表示，美光將台灣定位成光動態隨機存取記憶體（DRAM）卓越製造中心，公司有6成的DRAM都在台灣生產製造，今年除持續擴大用於高頻寬記憶體（HBM）3E的1-beta DRAM產能，更預計在台中廠啟動最先進1 gamma製程量產（約同等10奈米）記憶體晶圓。

台灣美光董事長盧東暉回應，美光來台投資已滿30年，直至2024年累積投資1.1兆新台幣，是台灣最大投資外商，目前在桃園、台中、台南皆有廠房，員工總數達1.2萬人。

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[caption id="attachment_160397" align="aligncenter" width="2048"] 台灣美光董事長盧東暉。（圖／美光）[/caption]

美光下世代HBM4有望於2026年量產

「台灣整個島就是一個工廠。」盧東暉表示美光為了持續開拓市占並維持市場領先地位，將台灣現有三個地區的廠房視為同一個廠區，同時積極延攬如台灣、南韓、印尼、印度、越南等地的應屆大學畢業生。美光今年不分科系目標招募2000名新血，也向韓國祭出超過100個職缺，包含前段和後段製程，未來工作地點可能在桃園和台中，台中廠區已規劃兩棟辦公大樓用地，來滿足未來需求。

從1 gamma製程量產的暖身，不難看出是為HBM4做準備。盧東暉指出按照原定時程HBM4預計2026年推出，考量美光前段晶圓製程基地在台灣及日本，美光HBM在後端封測部分也將於台灣進行。

美光在台灣最新廠房規畫方面，美光去年底從友達收購的2座南科工廠，現正增設無塵室等設備工程，預定今年上半年啟用並投入前段記憶體晶圓測試（Wafer Probe）；美光桃園廠導入新製程之餘也在興建兩棟新大樓，盧東暉評估產能允許的話可能會放入紫外光微影（EUV）機台；台中HBM製造、封測廠區自2023年開新封測四廠，去年也增設2座新辦公室。

根據美光先前法說會公布的營收資訊，HBM單季銷售成長1倍以上，2025年HBM有望貢獻營收數十億美元。美光執行長Sanjay Mehrotr在近期財報會議中亦提到，2025年HBM產能已銷售一空、價格也已敲定，美光整體營收約有13%出自資料中心最大客戶，且第1季資料中心營收年增400%、季增40%，創歷史新高，資料中心營收占整體銷售金額占比首度突破50%。

Mehrotr補充，HBM4將於2026年量產且預估2028年整體HBM市場規模，將比2024年的160億美元成長4倍、2030年突破至1000億美元。美光今年獲得第三間客戶採用美光HBM，推估這有助於HBM全球市佔率將和美光DRAM相當，達25%成績。

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