台積電加速先進製程布局，為因應AI與高效能運算（HPC）需求爆發，正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。記者黃仁杰／編譯

台積電加速先進製程布局，為因應AI與高效能運算（HPC）需求爆發，正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。

[caption id="attachment_215018" align="aligncenter" width="2048"] 台積電正透過五座晶圓廠同步擴產2奈米製程，整體產能規模預計將大幅超越3奈米世代。（圖／AI生成）[/caption]

市場消息指出，台積電已正式啟動2奈米量產，並規劃五座先進晶圓廠於今年同步進入產能爬坡階段，顯示其對未來需求的高度信心。此一布局也將支援包括超微新一代EPYC Venice處理器在內的關鍵產品。

在產能規模上，業界預估，台積電2奈米在相同發展階段的產出，將較當年3奈米高出約45%，反映先進製程需求的爆發性成長。整體產能隨擴產完成後，更有望達到3奈米的兩倍規模。

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除了新建產能，台積電也同步推動全球擴張計畫，包括美國亞利桑那、日本熊本與德國德勒斯登等地的晶圓廠持續擴建。同時，公司每年還規劃新增或升級約九座廠房，擴產速度較過去倍增。

需求端方面，AI帶動的晶片需求持續攀升。台積電AI加速器晶圓出貨量已成長11倍，而搭載先進封裝的大尺寸晶片需求也增加6倍。先進封裝技術如SoIC（系統整合晶片）量產時間已縮短達75%，預計到2027年整體先進封裝產能將成長約80%。

在產能供不應求的情況下，部分客戶開始尋求替代選項。近期英特爾晶圓代工業務信心回升，也吸引部分客戶關注，未來有機會成為重要的競爭者。

來源：wccftech

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台積電加速在美國布局先進製程與封裝產能。台積電資深副總經理暨營運副共同執行長張曉強透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。記者黃仁杰／編譯

台積電加速在美國布局先進製程與封裝產能。台積電資深副總經理暨營運副共同執行長張曉強透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。

[caption id="attachment_211859" align="aligncenter" width="1600"] 台積電高層透露，計畫於2029年前在亞利桑那州設立先進封裝廠，補上當前AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一。（圖／台積電提供）[/caption]

隨著輝達等AI晶片需求爆發，先進封裝已成為產業最吃緊環節。現代AI晶片多採多晶粒整合設計，需透過CoWoS與3D IC等先進封裝技術組裝，不再是單一晶片即可完成，導致封裝產能成為限制整體供應的關鍵。

張曉強指出，公司已在亞利桑那廠區啟動相關建設，並將導入CoWoS與3D IC能力，目標是在2029年前完成建置。他強調，台積電正「積極擴展」當地製造能力，提升整體產能彈性。

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目前，包括Apple與輝達在內的客戶，已開始採用台積電美國廠生產的晶片，但多數產品仍需送回台灣進行封裝，形成跨國供應鏈限制。未來若封裝產能就地完成，有望大幅縮短交期並提升供應效率。

另一方面，Amkor Technology也正加速在亞利桑那建置封裝廠，預計2027年中建成、2028年初量產，時程略早於台積電。雙方早在2024年即宣布合作推動先進封裝技術落地美國，目前技術與合作細節仍在討論中。

張曉強表示，台積電將與Amkor持續合作，評估如何為客戶提供更多元的封裝選項，加速產品在美國本地製造。他也強調，公司正朝向更分散的全球製造布局發展，以提升供應鏈韌性。台積電此舉不僅補齊產能缺口，也代表美國本土半導體供應鏈正逐步成形。

來源：路透社

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隨著人工智慧（AI）算力需求快速攀升，晶片競賽正從製程微縮，轉向封裝與系統整合能力。台積電今（23）日在北美技術論壇上公布其大幅強化先進封裝布局，從CoWoS、3D堆疊到光電整合，全面對準AI晶片對高頻寬、高整合與低延遲的關鍵需求。記者黃仁杰／台北報導

隨著人工智慧（AI）算力需求快速攀升，晶片競賽正從製程微縮，轉向封裝與系統整合能力。台積電今（23）日在北美技術論壇上公布其大幅強化先進封裝布局，從CoWoS、3D堆疊到光電整合，全面對準AI晶片對高頻寬、高整合與低延遲的關鍵需求。

[caption id="attachment_213976" align="aligncenter" width="2560"] 台積電公布大幅強化先進封裝布局，從CoWoS、3D堆疊到光電整合，全面對準AI晶片對高頻寬、高整合與低延遲的關鍵需求。圖為台積電先進封測五廠。（圖／台積電提供）[/caption]

其中，最受矚目的為CoWoS先進封裝技術的持續擴展。台積電目前已可量產達5.5倍光罩尺寸的CoWoS，並進一步規劃14倍光罩尺寸版本，預計可整合約10顆大型運算晶粒與20顆高頻寬記憶體（HBM）堆疊，預計於2028年進入生產。

此一規模的封裝能力，意味單一封裝即可容納更龐大的AI運算模組，大幅提升晶片間的資料交換效率，也讓記憶體與運算核心之間的距離進一步縮短，直接回應大型模型與資料中心對高頻寬與低延遲的需求。

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除了橫向擴展封裝尺寸，台積電也同步推進垂直整合技術。其SoIC 3D晶片堆疊方案，透過晶粒對晶粒直接堆疊，使I/O密度提升達1.8倍，有助強化晶片之間的資料傳輸能力，進一步提升整體運算效能。

在更大規模整合方面，台積電亦規劃推出40倍光罩尺寸的系統級晶圓（SoW-X）技術，將整片晶圓視為單一系統進行運算，突破傳統封裝限制，為未來超大型AI運算架構提供新解方。

另一方面，隨著資料中心傳輸瓶頸浮現，台積電也加速布局光電整合。其COUPE光子引擎結合共同封裝光學（CPO）技術，透過將光學元件直接整合至封裝內部，可實現功耗效率提升2倍、延遲降低達90%，並已規劃於2026年量產，鎖定高速資料傳輸場景。

觀察整體技術走向，晶片效能提升已不再完全仰賴奈米節點，而是透過封裝、堆疊與光電整合等多元技術協同推進。台積電此次大幅強化先進封裝與系統整合能力，也顯示未來晶片戰場，將由製程延伸至更上層的系統架構與整合能力之爭。

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台積電今（23）日於北美技術論壇公布最新先進製程藍圖，正式揭示A13製程技術，延續奈米片（GAA）電晶體架構，主打在人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求推動下，進一步優化晶片密度、功耗與效能表現，並預計於2029年進入量產階段。記者黃仁杰／台北報導

台積電今（23）日於北美技術論壇公布最新先進製程藍圖，正式揭示A13製程技術，延續奈米片（GAA）電晶體架構，主打在人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）需求推動下，進一步優化晶片密度、功耗與效能表現，並預計於2029年進入量產階段。

[caption id="attachment_213969" align="aligncenter" width="2560"] 台積電於北美技術論壇公布最新先進製程藍圖，正式揭示A13製程技術。圖為台積電全球研發中心（圖／台積電提供）[/caption]

相較前一代A14製程，A13在維持設計規則完全向後相容的前提下，晶片面積可縮減約6%，並透過設計與製程協同優化，提升功耗效率與整體性能。此一設計策略也讓客戶能在既有架構基礎上快速升級，有助縮短導入時間並降低轉換成本。

從整體製程路線來看，台積電同步強化先進節點布局。除A13外，亦預告導入具備背面供電（Super Power Rail）技術的A12製程，鎖定AI與高效能運算應用，預計同樣於2029年量產。背面供電技術可望改善電源傳輸效率，回應AI晶片對電力密度與穩定性的高度需求。

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在2奈米平台方面，台積電則推出N2U製程作為N2家族的優化版本，透過設計與技術協同調整，在維持製程成熟度與良率優勢下，進一步實現速度提升約3%至4%，或功耗降低8%至10%，並帶動邏輯密度小幅成長，預計於2028年投入生產。

觀察此次技術布局，台積電並未追求單一節點的大幅躍進，而是透過多個製程世代的持續優化，建立更穩定且具延展性的技術路線，以支撐AI運算需求長期成長。在製程微縮效益逐步趨緩的背景下，效能與功耗的精細調校，以及量產時程與良率掌控，正成為晶圓代工競爭的關鍵。

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台積電全力擴產迎戰AI浪潮，但供應壓力仍未見解。公司在最新法說會中指出，2026年資本支出將達560億美元，主要用於新建晶圓廠與既有產線升級，不過即便投入如此龐大資源，仍難以追上當前爆發式成長的AI需求，預期供應吃緊情況將延續至2027年甚至更久。記者黃仁杰／編譯

台積電全力擴產迎戰AI浪潮，但供應壓力仍未見解。公司在最新法說會中指出，2026年資本支出將達560億美元，主要用於新建晶圓廠與既有產線升級，不過即便投入如此龐大資源，仍難以追上當前爆發式成長的AI需求，預期供應吃緊情況將延續至2027年甚至更久。

[caption id="attachment_205620" align="aligncenter" width="1536"] 產業分析平台 Stratechery 指出，台積電對於 AI 熱潮初期的投資態度偏向保守，未能及早反映需求，已在供應鏈中形成瓶頸。（圖／AI生成）[/caption]

隨著AI應用全面擴散，需求已不再侷限於單一晶片類別，而是從GPU、CPU、記憶體一路延伸至電源管理IC、線材與各類關鍵材料，形成全供應鏈同步緊繃的局面。在輝達、超微與Apple等大客戶持續追加訂單之下，台積電產能壓力持續升高。

面對需求洪流，台積電正同步推動全球擴產布局，3奈米製程成為核心戰略。公司規劃在台南科學園區興建新廠，預計2027年上半年量產，美國亞利桑那第二座晶圓廠則將於同年下半年投產，日本第二座工廠則預計2028年加入生產行列。除了新建產能，台積電也積極將既有5奈米設備轉換為3奈米產能，並透過不同製程節點之間的彈性調度，提高整體產出效率。

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魏哲家強調，在產能緊張的情況下，公司不會選擇特定客戶或偏袒訂單，而是透過各種方式最大化產能，包括設備升級與製程優化。他也指出，一旦製程節點達到上限，未來將進一步升級既有工廠，以持續支撐市場需求。

在供應壓力持續升高之際，市場也出現外溢效應。包括Tesla開始同時與台積電與Samsung Electronics合作，並布局自建產能；英特爾則積極推進14A製程，試圖吸引更多客戶轉單。另一邊，三星也將重心放在HBM與LPDDR等記憶體產品，搶攻AI帶動的需求紅利。

AI帶動的半導體「超級循環」已全面啟動，但供應鏈瓶頸短期內仍難解。對台積電而言，這既是前所未有的成長機會，也是產能與技術同步承壓的關鍵考驗，未來幾年擴產進度與執行力，將直接牽動全球AI產業的發展速度。

來源：wccftech

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台積電（TSMC）最新晶片技術藍圖曝光，引發半導體產業高度關注。外媒指出，台積電已將技術研發重點推向「次奈米」（sub-1nm）節點，預計於 2029 年啟動試產。此項進程將在 2028 年順利量產 1.4 奈米（A14）製程後接續登場，標誌著半導體製造工藝邁入新的里程碑。記者孟圓琦／編譯

台積電（TSMC）最新晶片技術藍圖曝光，引發半導體產業高度關注。外媒指出，台積電已將技術研發重點推向「次奈米」（sub-1nm）節點，預計於 2029 年啟動試產。此項進程將在 2028 年順利量產 1.4 奈米（A14）製程後接續登場，標誌著半導體製造工藝邁入新的里程碑。

[caption id="attachment_213346" align="alignnone" width="1376"] 雖然蘋果正準備在今年稍後為iPhone 18系列推出A20和A20 Pro晶片，但業界已經開始著眼於1nm以下的SoC（系統級晶片）。（圖／AI生成）[/caption]

據了解，台積電計畫運用台南 A10 廠區及其 P1 至 P4 廠房進行次奈米技術的攻堅，初步規畫每月產能目標為 5,000 片晶圓。業界分析指出，繼 1.4 奈米製程預計能提供約 30% 的效能與功率效率提升後，次奈米節點將進一步挑戰矽晶片的物理極限。

作為台積電長期核心策略夥伴，蘋果（Apple）被視為該製程的首要採用客戶。儘管次奈米技術在良率與製造成本上仍面臨嚴峻挑戰，但憑藉蘋果在供應鏈管理的深厚實力，這家庫比蒂諾科技巨頭極可能再次支付溢價，以確保率先導入其 MacBook 與 iPhone 產品線。

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儘管市場現階段仍面臨 2 奈米良率調整等產業壓力，但從提姆．庫克(Tim Cook)過去對供應鏈與營運效率的極致把控來看，庫克顯然已為未來的硬體規格儲備能量。然而，台積電在實現次奈米量產前，仍需先完成 1.6 奈米（A16）及 1.4 奈米節點的穩定化工程。未來幾年，隨著該製程的成熟，消費者有望在 2029 年見證搭載次奈米晶片的輕薄 MacBook 問世，預期將再次重塑行動運算的效能邊界。

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資料來源：notebookcheck

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AI熱潮席捲半導體產業，帶動供應鏈獲利大幅提升，不過台積電董事長魏哲家今（16）日在法說會中強調，不會因市場需求強勁而大幅調整價格策略，仍以與客戶長期合作為優先。記者黃仁杰／台北報導

AI熱潮席捲半導體產業，帶動供應鏈獲利大幅提升，不過台積電董事長魏哲家今（16）日在法說會中強調，不會因市場需求強勁而大幅調整價格策略，仍以與客戶長期合作為優先。

[caption id="attachment_212993" align="aligncenter" width="946"] 魏哲家強調，不會因市場需求強勁而大幅調整價格策略，仍以與客戶長期合作為優先。（圖／台積電提供）[/caption]

魏哲家表示，公司始終將客戶視為合作夥伴，核心目標並非追求短期價格最大化，而是確保客戶在市場上成功，進而共同成長。

不打價格戰 強調「一起賺」

魏哲家指出，即使在AI需求強勁帶動下，公司也不會劇烈調整價格，而是透過技術與服務創造價值，支持客戶發展。隨著客戶業務成長，台積電亦可同步受益，形成長期正向循環。

法人關注，隨AI供應鏈部分環節出現「超額利潤」，是否影響台積電定價策略。對此，台積電回應，定價將維持穩健，不會因短期市場變化而大幅波動。

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毛利長期看漲 AI需求撐住基本面

在長期財務目標方面，台積電已上修毛利率與股東報酬率預期，預估未來景氣循環期間毛利率可維持56%以上，股東權益報酬率接近30%水準。公司強調，AI需求持續強勁，相關應用帶動先進製程與封裝需求，為毛利結構提供長期支撐。

AI需求續強 成長動能未見趨緩

針對AI市場發展，台積電指出，目前已觀察到來自客戶的正向訊號，AI加速器需求持續擴張，長期年複合成長率仍維持在中高50%區間，甚至偏向高標。

同時，對於部分訂單流向競爭對手的議題，台積電表示，已積極參與客戶下一世代產品開發，並有信心憑藉技術優勢持續爭取更多訂單。

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AI需求全面爆發，讓全球晶圓代工龍頭台積電交出亮眼成績單。台積電今（16）日舉辦法人說明會並公布2026年第一季財報，單季每股盈餘（EPS）達22.08元，營收達新台幣1兆1,341億元，不僅雙雙創高，更在AI帶動下，毛利率一舉衝上66.2%，皆優於公司原先預期。記者黃仁杰／台北報導

AI需求全面爆發，讓全球晶圓代工龍頭台積電交出亮眼成績單。台積電今（16）日舉辦法人說明會並公布2026年第一季財報，單季每股盈餘（EPS）達22.08元，營收達新台幣1兆1,341億元，不僅雙雙創高，更在AI帶動下，毛利率一舉衝上66.2%，皆優於公司原先預期。

[caption id="attachment_211859" align="aligncenter" width="1600"] 台積電2026年第一季單季每股盈餘（EPS）達22.08元，營收達新台幣1兆1,341億元，雙雙創下新高。（圖／台積電提供）[/caption]

從成長幅度來看，台積電本季營收年增35.1%，稅後純益年增達58.3%，顯示在全球半導體景氣仍受生產瓶頸困擾之際，AI相關需求已成為最強支撐力道。

AI撐起半邊天 HPC占比衝破6成

觀察營收結構，高效能運算（HPC）已正式躍升為台積電最大營收來源，占比達61%，遠高於智慧型手機的26%。

進一步來看，HPC業務單季成長達20%，反觀手機與車用則分別下滑11%與7%，顯示AI與資料中心需求正快速取代傳統消費性電子動能。

這也意味著，台積電的成長引擎已從過去仰賴手機市場，正式轉向AI與雲端運算。

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先進製程吃滿 毛利率衝上66%

在製程技術方面，3奈米、5奈米與7奈米等先進製程合計貢獻營收高達74%，其中5奈米占36%、3奈米占25%，成為營收主力。

隨著高階AI晶片需求持續擴張，帶動產能利用率提升，加上成本結構改善與匯率因素挹注，使台積電本季毛利率達66.2%，較前一季與去年同期同步大幅提升。

法人分析，AI晶片多採用先進製程，單價與毛利皆高，正是推升台積電獲利能力的關鍵因素。

資本支出續衝 2奈米布局提前啟動

面對AI需求持續升溫，台積電也持續加大投資力道。第一季資本支出達110億美元，維持高檔水準，顯示公司對未來成長仍具高度信心。

此外，庫存天數上升至80天，主要反映2奈米製程開始導入，以及3奈米需求強勁，透露下一世代製程布局已提前啟動。

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隨著AI需求持續爆發，產業鏈最大瓶頸之一已從製程轉向先進封裝。台積電正加大投資力道，擴充台灣與美國產能，試圖解決這項關鍵限制。記者黃仁杰／編譯

隨著AI需求持續爆發，產業鏈最大瓶頸之一已從製程轉向先進封裝。台積電正加大投資力道，擴充台灣與美國產能，試圖解決這項關鍵限制。

[caption id="attachment_212835" align="aligncenter" width="1280"] 隨著AI需求持續爆發，產業鏈最大瓶頸之一已從製程轉向先進封裝。（圖／台積電提供）[/caption]

業界指出，先進封裝（Advanced Packaging）已成AI晶片量產的核心關鍵。由於目前幾乎所有高階AI晶片都仰賴台積電相關技術，若產能無法擴充，將直接影響整體供應鏈。

根據台灣媒體報導，台積電正評估興建新廠，並考慮將部分8吋晶圓廠轉為先進封裝用途，以快速提升產能。同時，公司也持續在美國亞利桑那州投資，推動在地封裝能力。

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在台灣方面，台積電計畫於7座廠區導入包括CoWoS、WMCM與SoIC等先進封裝技術。這些技術分別對應行動裝置與高效能運算（HPC）等應用，其中AI相關需求最為強勁，預期大部分產能將優先供應AI市場。

市場預估，至2027年，台積電先進封裝產能將由目前約130萬片提升至200萬片水準，顯示供給瓶頸正加速緩解。

在美國布局方面，目前台積電當地晶圓廠仍未導入先進封裝產線，成為AI晶片生產的一大限制。為此，公司已規劃在亞利桑那州投資兩座先進封裝廠，預計2030年前後進入量產，未來將成為重要產能來源。

隨著AI晶片封裝尺寸持續擴大，先進封裝的重要性快速提升，也讓市場關注競爭對手動向。英特爾透過EMIB與EMIB-T技術切入市場，試圖分食需求。

在AI需求遠超供給的情況下，先進封裝已成為下一階段競爭焦點。台積電此次大規模擴產，將直接影響全球AI晶片供應與產業格局。

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隨著先進製程競賽進入2奈米世代，台積電與三星電子之間的差距正逐步擴大。最新報告指出，三星在2奈米環繞閘極（GAA）製程上遭遇瓶頸，良率仍停留在約50%至55%區間，且在後段製程完成後，可能進一步下滑至40%。記者黃仁杰／編譯

隨著先進製程競賽進入2奈米世代，台積電與三星電子之間的差距正逐步擴大。最新報告指出，三星在2奈米環繞閘極（GAA）製程上遭遇瓶頸，良率仍停留在約50%至55%區間，且在後段製程完成後，可能進一步下滑至40%。

[caption id="attachment_212743" align="aligncenter" width="1200"] 隨著先進製程競賽進入2奈米世代，台積電與三星電子之間的差距正逐步擴大。（圖／AI生成）[/caption]

業界普遍認為，約50%的良率僅代表製程已能「運作」，但尚未達到商業化量產門檻。若要吸引高通等大型客戶，2奈米良率通常需達70%以上，而三星目前仍未達標，顯示其技術仍處於早期階段，尚不足以大規模擴產或承接更多訂單。

不過，三星在短時間內的進展仍值得關注。報導指出，2025年下半年其2奈米良率僅約20%，不到一年已提升至50%以上，進步幅度顯著。由於三星並未公開相關數據，市場上的良率資訊多來自業界推測，實際情況仍有不確定性。

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儘管面臨技術挑戰，三星仍持續爭取客戶。消息指出，公司已取得特斯拉與部分中國加密貨幣設備業者的晶片訂單，顯示市場仍願意給予其一定機會。

在產能布局方面，三星位於美國德州Taylor的新廠即將進入試產階段，預計今年發表的Exynos 2700處理器，有望成為首批採用第二代2奈米GAA製程的產品之一。

雖然三星持續推進先進製程技術，但在良率與量產能力尚未成熟的情況下，其作為台積電替代方案的競爭力仍備受市場檢視。

來源：wccftech

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