三星電子高層表示，隨著AI需求持續推升高頻寬記憶體（HBM）產能，HBM明年預計將占全球DRAM業者總晶圓產能近30%，高於目前約20%的水準。記者黃仁杰／編譯

三星電子高層表示，隨著AI需求持續推升高頻寬記憶體（HBM）產能，HBM明年預計將占全球DRAM業者總晶圓產能近30%，高於目前約20%的水準。

[caption id="attachment_321379" align="aligncenter" width="1672"] 三星電子高層表示，隨著AI需求持續推升高頻寬記憶體（HBM）產能，HBM明年預計將占全球DRAM業者總晶圓產能近30%。（圖／AI生成）[/caption]

三星電子執行副總裁Kim Taewoo指出，HBM與一般型DRAM使用相同的晶圓產能，因此業者若持續擴大HBM生產，也可能進一步壓縮標準DRAM的供應空間。

HBM是AI運算的重要零組件，透過垂直堆疊多層記憶體晶片，讓處理器能以更高速度存取大量資料。

目前全球HBM市場主要由南韓SK海力士、三星電子，以及美國美光科技三家公司主導。

隨著HBM在DRAM產能中的占比持續提高，記憶體業者如何在AI高階產品與一般型DRAM之間分配產能，也將成為明年市場供需的重要觀察重點。

來源：路透社

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記者黃仁杰／編譯 隨著前沿AI模型訓練算力每年成長4至5倍，能源供給與資料搬移成本逐漸成為效能擴張的主要瓶頸。 …記者黃仁杰／編譯

隨著前沿AI模型訓練算力每年成長4至5倍，能源供給與資料搬移成本逐漸成為效能擴張的主要瓶頸。AI競爭也不再只是追求單一晶片速度，而是轉向運算、記憶體與高速互連共同優化的系統整合。

[caption id="attachment_252133" align="aligncenter" width="1672"] AI競爭也不再只是追求單一晶片速度，而是轉向運算、記憶體與高速互連共同優化的系統整合。（圖／AI生成）[/caption]

SEMICON Taiwan 2026將從設計、記憶與互連三個層次切入，分別設置AI半導體技術特區、記憶體高峰論壇及矽光子專區，聚焦客製化ASIC、高頻寬記憶體（HBM）與光互連技術，呈現下一代AI運算架構的關鍵發展方向。

SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，AI系統中的資料搬移能耗甚至可能高於運算本身，效能瓶頸已不再侷限於單一晶片。未來必須將運算、記憶體與資料傳輸納入同一架構協同設計，並透過跨領域、跨供應鏈合作，突破能源與效能限制。

ASIC需求升溫 客製化晶片成AI算力新戰場

隨全球雲端服務業者持續投入自研晶片，AI加速器市場正朝多元架構發展。針對特定工作負載打造的ASIC，可在特定應用中提升運算效率，成為雲端業者擴張AI算力的重要選項。

TrendForce預估，2026年全球AI伺服器出貨量將年增逾28%，其中採用ASIC的AI伺服器占比可望達27.8%，創2023年以來新高，成長速度也將超越GPU系統。不過，GPU與ASIC各自對應不同運算場景，並非互相取代，而是依工作負載選擇合適架構。

邁入第三屆的AI半導體技術特區，今年集結日月光、研揚、神盾、微智匯運算及臻鼎等業者，展示從晶片設計、先進封裝、高階AI硬體，到邊緣AI、企業AI及智慧機器人等應用，呈現AI技術從核心運算延伸至智慧製造與實體AI的產業鏈。

HBM成AI系統核心 記憶體進入協同設計時代

AI運算效能不只取決於處理器速度，資料能否快速送往運算單元同樣關鍵。HBM因此由過去的標準化零組件，逐漸成為AI系統設計的重要資產，也推動記憶體供應商、晶片設計商及系統業者走向協同設計。

SEMI報告指出，受GPU及其他AI加速器對HBM與DDR5需求帶動，2026年全球300毫米記憶體設備投資將首度突破500億美元，年增29%。

SEMICON Taiwan將於9月1日舉辦記憶體高峰論壇，邀集Google、Samsung、SK hynix、SanDisk、Solidigm、群聯及d-Matrix等業者，討論HBM4、CXL、AI SSD、運算型儲存、記憶體內運算及MRAM等技術，解析記憶體如何與AI晶片及系統架構共同設計。

銅線逼近極限 矽光子接棒高速互連

當AI叢集由單一機櫃擴大至跨機櫃部署，傳統銅導線在頻寬、功耗及傳輸距離上的限制逐漸浮現，資料中心也加速導入光互連。矽光子透過光訊號傳送資料，可望降低高速傳輸的功耗與資料搬移成本。

今年矽光子專區將展示矽光子晶片設計、光電整合、先進封裝、共同封裝光學（CPO）及光通訊模組等技術，並邀集Cisco、Marvell、台積電、Lumentum、日月光、聯電及Lightmatter等業者參與國際論壇。

論壇議題將涵蓋晶粒間互連、CPO及機櫃間高速光互連架構，並延伸至AI資料中心、異質整合、量產製造、測試驗證及供應鏈合作，探討矽光子如何由技術研發走向大規模部署。

SEMICON Taiwan 2026將於8月31日啟動展前論壇，實體展覽則於9月2日至4日在台北南港展覽館登場。

這篇文章 AI算力「搬資料」卡關 SEMICON2026聚焦ASIC、HBM與矽光子三大突破 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。記者黃仁杰／編譯

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）在上海掛牌首日股價飆漲近466%，引發市場關注，也被視為中國推動半導體自主化的重要里程碑。不過，多位產業分析師認為，相較於資本市場的熱烈反應，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。

[caption id="attachment_251191" align="aligncenter" width="1536"] 多位產業分析師認為，CXMT能否縮小與三星、SK海力士及美光在高階記憶體技術上的差距，才是真正決定未來競爭力的關鍵。（圖／AI生成）[/caption]

市場普遍認為，AI浪潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，而三星、SK海力士與美光目前已在HBM市場建立明顯領先優勢。CXMT未來若想躋身全球一線記憶體廠，HBM技術將是重要挑戰。

MST Financial資深分析師David Gibson表示，上市並不會改變全球記憶體市場格局，目前整體需求仍大於供給，國際三大記憶體廠的競爭地位短期內不會受到影響。

他指出，中國本土需求仍將持續支撐CXMT成長，但受美國出口管制影響，公司無法取得極紫外光（EUV）微影設備，使其先進製程發展仍面臨限制。

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由於缺乏EUV設備，CXMT必須比競爭對手多使用約30%的晶圓，才能生產相同數量的記憶體產品，不僅增加成本，也降低製造效率，短時間內難以克服。

Counterpoint Research研究總監黃明生（MS Hwang）表示，CXMT正規劃於2026年底開始量產HBM，新建的上海晶圓廠也將投入AI晶片與HBM產品生產。

不過，他預估CXMT首批產品可能僅能達到HBM3或HBM3E水準，仍落後目前已邁向HBM4與HBM4E的國際競爭對手約一至兩個世代。

三星日前也在第二季法說會中表示，HBM4已開始擴大量產出貨，並率先向主要客戶提供全球首批HBM4E樣品，持續鞏固先進AI記憶體市場領先地位。

Gibson認為，CXMT未來確實有能力生產HBM產品，但由於良率仍偏低，初期產量恐怕有限，難以滿足大型AI客戶對高容量、高速度記憶體的需求。

Gibson同時指出，CXMT仍有望持續提升全球DRAM市占率，新增需求主要將來自中國市場，包括騰訊、字節跳動、阿里巴巴以及中國本土智慧型手機品牌。

根據Counterpoint Research統計，目前全球DRAM市場仍由三星以38%的市占率居冠，SK海力士占29%，美光占22%，CXMT則約為8%。

TrendForce分析師Ellie Wang表示，目前CXMT已向多家中國智慧型手機品牌供應記憶體，也逐步切入中國PC與伺服器市場，但產品仍以主流及中階DRAM為主，在高容量伺服器記憶體及AI伺服器用高階產品方面，仍與國際大廠存在明顯差距。

分析師認為，CXMT未來發展仍存在兩種可能。一方面，公司若能持續突破製程技術，有機會逐步縮小與國際大廠差距；另一方面，若無法突破設備限制與HBM等關鍵技術門檻，將難以真正挑戰全球記憶體三強。

Ellie Wang表示，依目前CXMT技術研發與量產進度來看，在AI帶動的記憶體需求趨於正常化之前，公司仍難以大幅縮小與國際領導廠商的技術差距，但仍持續投入新製程與新產品開發，希望逐步追趕市場領先者。

來源：CNBC

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AI記憶體需求持續升溫，美光（Micron）公布優於市場預期的第三季財報與第四季財測，並首度透露已與客戶簽署總額220億美元的長期供貨協議，顯示AI資料中心業者正透過預付款與長約提前鎖定記憶體產能，帶動美光盤後股價大漲12%。記者黃仁杰／編譯

AI記憶體需求持續升溫，美光（Micron）公布優於市場預期的第三季財報與第四季財測，並首度透露已與客戶簽署總額220億美元的長期供貨協議，顯示AI資料中心業者正透過預付款與長約提前鎖定記憶體產能，帶動美光盤後股價大漲12%。

[caption id="attachment_226824" align="aligncenter" width="1536"] 美光（Micron）公布優於市場預期的第三季財報與第四季財測，並首度透露已與客戶簽署總額220億美元的長期供貨協議。（圖／AI生成）[/caption]

美光表示，受惠於AI伺服器建置持續擴張，公司第三季營收達414.6億美元，高於市場預估的358.5億美元；調整後每股盈餘（EPS）25.11美元，同樣優於分析師預估的20.78美元。

展望第四季，美光預估調整後每股盈餘將達31美元（上下浮動1美元），明顯高於市場預估的25.84美元；資本支出則預計約100億美元，高於分析師預期的88.9億美元，顯示公司將持續擴充產能，以因應AI市場需求。

身為輝達（NVIDIA）AI加速器高頻寬記憶體（HBM）的主要供應商之一，美光指出，目前HBM需求仍遠高於供給，使包括美光、SK海力士（SK hynix）及三星電子（Samsung Electronics）等記憶體大廠得以維持較高售價。

美光執行長Sanjay Mehrotra表示，在AI需求持續成長與供給結構性受限的雙重因素下，預期記憶體市場供應吃緊將延續至2027年之後，公司目前仍無法判斷何時供給才能追上需求。

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除了財測亮眼外，美光也公布新的商業模式。

公司已與16家策略客戶簽署長期供貨協議，涵蓋資料中心、消費電子及車用市場，合約總額約220億美元，並採用「Take-or-Pay（不論是否提貨皆須付款）」條款、預付訂金及最低價格機制，藉此提前鎖定需求並確保獲利能力。

此外，美光透露，目前已簽訂合約所對應的剩餘履約義務（Remaining Performance Obligations，RPO）約達1000億美元，可望成為未來數年的重要營收來源。

美光商務長Sumit Sadana接受《路透》採訪時表示，這些合約皆為五年期Take-or-Pay協議，在記憶體產業過去幾乎未曾出現，反映HBM市場需求遠超市場預期，而新產能建置又需耗費多年時間，因此公司對長期需求仍充滿信心。

研究機構Futurum Group執行長Daniel Newman指出，市場一直低估AI基礎設施建設規模，而在供給持續受限下，記憶體產品仍將維持溢價能力。

不過，也有分析師提醒，美光目前的高獲利高度建立在供應緊缺之上。一旦未來新增產能逐步開出，市場供需恢復平衡，記憶體價格與議價能力恐將面臨考驗。

此外，高通（Qualcomm）也在投資人日透露，未來新一代AI晶片將朝向使用成本更低的記憶體架構設計，市場認為，若相關策略逐漸普及，也可能削弱高階記憶體產品長期的定價能力。

儘管如此，美光最新財報與財測仍大幅提振市場信心，不僅帶動公司股價勁揚，也同步推升Western Digital、SanDisk、Seagate、Arm、Marvell、Broadcom、應用材料（Applied Materials）、ASML等半導體族群股價上漲，AI概念股單日合計市值增加超過4000億美元。

來源：路透社

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AI熱潮不只推升GPU需求，高頻寬記憶體（HBM）供應也進入前所未見的搶貨階段。根據路透社獨家報導，南韓記憶體大廠SK海力士近期收到多家全球科技巨頭提出罕見合作提案，包括直接投資新產線，甚至願意協助採購半導體設備，只為提前鎖定未來記憶體供貨。記者黃仁杰／編譯

AI熱潮不只推升GPU需求，高頻寬記憶體（HBM）供應也進入前所未見的搶貨階段。根據路透社獨家報導，南韓記憶體大廠SK海力士近期收到多家全球科技巨頭提出罕見合作提案，包括直接投資新產線，甚至願意協助採購半導體設備，只為提前鎖定未來記憶體供貨。

ㄏAI熱潮不只推升GPU需求，高頻寬記憶體（HBM）供應也進入前所未見的搶貨階段。（圖／AI生成）

知情人士透露，部分客戶甚至提出願意協助支付ASML極紫外光（EUV）曝光機等高價設備費用。EUV設備單台價格往往高達數億美元，是先進半導體製造的重要關鍵設備。這類由客戶直接出資協助擴產的模式，在過去高度循環性的記憶體產業中幾乎從未出現。

不過，SK Hynix對此態度保守。消息人士指出，若接受特定客戶資金，可能使未來供貨與價格策略受制於人，甚至被迫以較低價格換取長約保證，因此公司仍在評估不同合作模式。內部人士更直言：「目前可用產能基本上是零，連少量保留給特定客戶的空間都沒有。」

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報導指出，其中一項合作提案甚至鎖定SK海力士正在南韓龍仁園區興建的大型晶圓廠首期產能，未來預計將以DRAM為主力。雖然SK海力士、三星電子與美光近期都證實正與客戶洽談多年期供貨協議，但具體細節過去從未曝光。

市場普遍認為，出價搶產能的科技巨頭很可能來自AI基礎建設需求最強的美國雲端業者，包括 Alphabet、Meta Platforms 與微軟。這三家公司近期皆宣布持續加碼AI資料中心建設，其中Meta更公開表示，正透過供應鏈合作確保未來關鍵零組件供應。

這也反映AI記憶體景氣循環可能正在改寫。過去記憶體產業向來以價格大起大落聞名，但如今客戶不只簽長約，甚至願意預付款或共同投資擴產。業界人士指出，目前討論中的合作模式包括「價格區間機制」，讓晶片價格設有上下限，避免季度議價；另一種則是要求客戶預付30%至40%的訂金，以降低供應商擴產風險。

對台灣供應鏈而言，這波HBM搶貨潮也將持續帶動先進製程與封裝需求，包含晶圓代工龍頭台積電、設備供應鏈，以及AI伺服器相關廠商都可望受惠。SK海力士如今市值已成為亞洲第三大企業，僅次於台積電與三星，也凸顯AI記憶體已成為新一輪半導體競賽的核心戰場。

來源：路透社

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SK海力士宣布在高頻寬記憶體（HBM）先進封裝技術上取得進展，已成功驗證採用「混合鍵合（Hybrid Bonding）」的12層晶片堆疊，不過目前仍未公布關鍵的量產良率數據。隨著下一世代HBM4記憶體競賽升溫，此技術被視為關鍵突破之一。記者黃仁杰／編譯

SK海力士宣布在高頻寬記憶體（HBM）先進封裝技術上取得進展，已成功驗證採用「混合鍵合（Hybrid Bonding）」的12層晶片堆疊，不過目前仍未公布關鍵的量產良率數據。隨著下一世代HBM4記憶體競賽升溫，此技術被視為關鍵突破之一。

[caption id="attachment_214778" align="aligncenter" width="2048"] SK海力士宣布在高頻寬記憶體（HBM）先進封裝技術上取得進展，已成功驗證採用「混合鍵合（Hybrid Bonding）」的12層晶片堆疊。（圖／AI生成）[/caption]

SK海力士技術負責人金鍾勳於韓國「Beyond HBM」先進封裝技術論壇中指出，公司正持續提升混合鍵合的良率，雖未透露具體數字，但強調已接近量產所需水準。

HBM技術主要透過多層記憶體晶粒垂直堆疊而成，目前主流為8層或12層設計。傳統堆疊方式需透過「凸塊（bump）」連接晶粒，但隨著HBM4、HBM5朝更高層數與更高效能發展，封裝尺寸與散熱壓力同步增加，傳統技術面臨瓶頸。

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混合鍵合的關鍵，在於取消凸塊，讓晶粒之間直接接觸，能有效降低熱阻並提升傳輸速度，同時在相同封裝尺寸下堆疊更多層數，被視為下一代HBM封裝的主流方向。

在正式導入混合鍵合量產前，SK海力士仍將持續採用現行的MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）技術。該技術同樣著重縮小晶粒間距，但仍使用銅凸塊，並透過加熱與填充材料強化結構穩定性。

業界普遍認為，HBM需求主要來自AI資料中心與高效能運算，但混合鍵合帶來的效能與功耗優勢，未來也可能延伸至消費性產品。不過，在AI需求持續強勁的情況下，HBM晶片價格仍將維持高檔，供應吃緊情況短期內難以緩解。

來源：wccftech

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隨著人工智慧（AI）快速發展，「HBM」成為近年半導體產業最熱門的關鍵字之一。從AI伺服器到高效能運算平台，幾乎都離不開這種高階記憶體。對多數人而言，記憶體只是電腦規格中的一項數字，但在AI時代，記憶體的角色正變得前所未有的重要。記者黃仁杰／綜合報導

隨著人工智慧（AI）快速發展，「HBM」成為近年半導體產業最熱門的關鍵字之一。從AI伺服器到高效能運算平台，幾乎都離不開這種高階記憶體。對多數人而言，記憶體只是電腦規格中的一項數字，但在AI時代，記憶體的角色正變得前所未有的重要。

[caption id="attachment_214559" align="aligncenter" width="1536"] 隨著人工智慧（AI）快速發展，「HBM」成為近年半導體產業最熱門的關鍵字之一。（圖／AI生成）[/caption]

HBM，全名為高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory），與一般筆電或手機使用的記憶體最大不同，在於「傳輸速度」。傳統記憶體主要透過較窄的通道傳輸資料，而HBM則是將多層記憶體晶片垂直堆疊，並透過寬頻通道同時傳輸大量資料，大幅提升頻寬與效率。

這樣的設計，正好對應AI運算的需求。當前AI模型需要處理龐大的資料量，不只是計算能力強就夠，還必須能快速讀取與傳送資料。若把AI晶片比喻為大腦，記憶體就是負責供應資訊的管道，一旦速度跟不上，再強的晶片也無法發揮效能。

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目前AI晶片龍頭NVIDIA所推出的產品，幾乎全面搭配HBM記憶體；而記憶體供應則由SK海力士、三星電子與美光科技等大廠主導，形成新一輪產業競爭焦點。

不過，HBM並非沒有代價。由於採用3D堆疊與先進封裝技術，製造難度與成本遠高於傳統記憶體，也導致供應相對吃緊。這也是為何近年記憶體價格上升，進一步影響AI伺服器甚至筆電成本的原因之一。

隨著AI應用持續擴大，HBM需求仍將快速成長，甚至可能成為限制AI發展速度的關鍵資源。未來不只是晶片性能競爭，誰能掌握記憶體供應，也將影響整體產業版圖。

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南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價，公司聯合執行長暨半導體事業負責人全永鉉（Jun Young-hyun）在新年談話中指出，客戶甚至形容「三星回來了」，顯示市場對其新一代記憶體布局的信心正在回溫。記者黃仁杰／編譯

南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價，公司聯合執行長暨半導體事業負責人全永鉉（Jun Young-hyun）在新年談話中指出，客戶甚至形容「三星回來了」，顯示市場對其新一代記憶體布局的信心正在回溫。

[caption id="attachment_160067" align="aligncenter" width="1200"] 南韓科技大廠三星電子表示，客戶對其次世代高頻寬記憶體（HBM）產品 HBM4 的競爭力給予高度評價。（圖／123RF）[/caption]

三星去(2025)年10月曾透露，正就 HBM4 供貨事宜與美國人工智慧晶片龍頭 NVIDIA 保持密切討論。隨著 AI 應用帶動高頻寬記憶體需求快速成長，三星正加緊腳步追趕同業，尤其是在 AI 晶片領域具領先地位的南韓同業 SK Hynix。

市調機構 Counterpoint Research 數據顯示，2025 年第三季全球 HBM 市場中，SK 海力士市占率達 53%，三星以 35% 居次，美光（Micron）則為 11%。投資人目前關注的重點，在於三星是否能憑藉第四代 HBM 產品逐步縮小與競爭對手之間的差距。

三星在第三季法說會中表示，已向關鍵客戶出貨 HBM4 樣品，並將重心放在 2026 年 HBM4 的量產布局，以因應持續升溫的市場需求。消息帶動三星電子股價於早盤上漲 1.9%，表現優於大盤 KOSPI 指數的 0.5% 漲幅。

來源：路透社

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外媒報導輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳也將在這個時間前往南韓，與SK集團會長崔泰源（Chey Tae-won）會面，雙方將藉此機會討論未來的HBM發展藍圖。此外，黃仁勳也公開表示將與三星（Samsung）會面。記者孫敬／編譯

在美國總統川普與中國國家主席習近平即將於南韓舉行會晤，外媒報導輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳也將在這個時間前往南韓，與SK集團會長崔泰源（Chey Tae-won）會面，雙方將藉此機會討論未來的HBM發展藍圖。此外，黃仁勳也公開表示將與三星（Samsung）會面。

 延伸閱讀：蘋果未定案？輝達獨佔台積電A16首批產能 2奈米以下製程競爭白熱化

[caption id="attachment_189923" align="aligncenter" width="1280"] 黃仁勳出訪的時間恰好林進川習會。（圖／科技島資料照）[/caption]

布局HBM供應鏈，黃仁勳積極洽談多國GPU產品合作機會

南韓是輝達高頻寬記憶體（HBM）最重要的供應商基地之一，HBM是驅動輝達高階AI系統（如Blackwell系列）不可或缺的零組件。黃仁勳今年以來頻繁展開全球巡迴，先前已造訪中東、歐洲及亞洲多國，多數行程中都伴隨著重大的基礎設施合作案宣布，目的皆是提供輝達的GPU產品給各地的資料中心專案。

黃仁勳在華盛頓舉行的輝達開發者大會場邊表示，輝達正與三星和汽車製造商現代（Hyundai）在多方面進行合作，包括投資興建被稱為「AI工廠」的資料中心。外媒報導更指出，輝達計劃向SK集團的子公司SK Telecom正在南韓興建的資料中心供應晶片。

未來，輝達也可能宣布在無人駕駛汽車和機器人技術方面的合作計畫，而這些正是南韓科技產業目前的重要發展焦點。

輝達可能成為川普跟習近平兩人的政治角力

黃仁勳此行恰逢川普與習近平在南韓會面的時機，使得地緣政治成為這趟旅程的另一個關鍵重點。川普在南韓亞太經濟合作會議（APEC）的演講中，稱讚黃仁勳是一位不可思議的人物，並單獨透露他將在週三與黃仁勳會面。

美國政府曾禁止輝達向中國出口其最先進的AI晶片，直到今年初川普政府才放寬限制，允許輝達出口降規版的H20晶片至中國。然而，有報導指出，北京正推動本土企業採購中國國內的AI晶片替代方案，導致H20的銷路不如預期。

川普週三暗示，輝達最先進、目前被禁止出口到中國的BlackwellAI處理器，可能會成為他與習近平會談的議題之一。

亞洲集團（TheAsiaGroup）合夥人陳喬治（George Chen）表示：「川普希望與中國開展業務，他將幾乎所有事情都視為生意，包括輝達。」他進一步推測，中方可能會要求美方保證，銷往中國的美國晶片中不會植入定位追蹤器，美方也可能會提出自己的條件，使得輝達的晶片成為兩位總統在南韓會面時的談判籌碼之一。

對輝達而言，中國是極具吸引力的龐大市場，此前被拒之門外已使其損失數十億美元。

資料來源：CNBC

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美光（Micron）傳出透過LinkedIn等管道加強人才招募，積極鎖定競爭對手的三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK hynix）的高階技術人才，特別是台灣台中廠區的關鍵職位。記者孫敬／編譯

美光（Micron）傳出透過LinkedIn等管道加強人才招募，積極鎖定競爭對手的三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK hynix）的高階技術人才，特別是台灣台中廠區的關鍵職位。

延伸閱讀：結盟輝達！英特爾推新Gaudi 3機架伺服器 適用小型、精密型AI模型

[caption id="attachment_196075" align="aligncenter" width="2048"] 美光積極從同業招募高階技術人才。（圖／美光）[/caption]

台中廠成DRAM、HBM重鎮，高薪挖角韓國精英

報導指出，美光的台中廠區不僅是其全球最大的DRAM生產基地，同時也是HBM產品線的重要製造中心。此次美光需補齊的職缺，多集中於HBM製程與先進封裝領域，其中包含多個資深級別的高階職位，更傳出部分資深職位的年度總薪酬（含獎金）開出高達20億韓元（約或15萬美元）。外媒補充，美光這次招募的觸角，也伸向在韓國營運的外國半導體設備及顯示器公司員工。

美光近期在韓國新增了HBM基底晶粒設計工程師（HBM Base Die Design Engineer）的職位，過去HBM的基底晶粒主要負責輸入／輸出和DRAM的基礎功能，然而隨著HBM4世代的技術變革，基底晶粒開始整合記憶體控制器等核心系統半導體功能，目標透過吸引具備系統級設計專業的頂尖工程師，來開發高度客製化的HBM解決方案。

美光現已向輝達（NVIDIA）供應最新的HBM3E（第五代）產品，但現階段在產能和設計專業方面仍落後於主要競爭對手。為了縮小差距，美光在全球多地擴張DRAM製造基地，包括台灣、美國、日本和新加坡，並將人才招募提升為追趕競爭者的核心策略。美光執行長Sanjay Mehrotra在最近的財報會議上表示，HBM市場規模預計到2030年將達到1,000億美元，並強調HBM的增長速度已超越標準型DRAM，預計明年將持續保持強勁的增長動能。

資料來源：TrendForce

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