SK海力士驗證12層混合鍵合HBM堆疊 良率仍未揭露

記者黃仁杰／編譯

SK海力士宣布在高頻寬記憶體（HBM）先進封裝技術上取得進展，已成功驗證採用「混合鍵合（Hybrid Bonding）」的12層晶片堆疊，不過目前仍未公布關鍵的量產良率數據。隨著下一世代HBM4記憶體競賽升溫，此技術被視為關鍵突破之一。

SK海力士技術負責人金鍾勳於韓國「Beyond HBM」先進封裝技術論壇中指出，公司正持續提升混合鍵合的良率，雖未透露具體數字，但強調已接近量產所需水準。

HBM技術主要透過多層記憶體晶粒垂直堆疊而成，目前主流為8層或12層設計。傳統堆疊方式需透過「凸塊（bump）」連接晶粒，但隨著HBM4、HBM5朝更高層數與更高效能發展，封裝尺寸與散熱壓力同步增加，傳統技術面臨瓶頸。

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混合鍵合的關鍵，在於取消凸塊，讓晶粒之間直接接觸，能有效降低熱阻並提升傳輸速度，同時在相同封裝尺寸下堆疊更多層數，被視為下一代HBM封裝的主流方向。

在正式導入混合鍵合量產前，SK海力士仍將持續採用現行的MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）技術。該技術同樣著重縮小晶粒間距，但仍使用銅凸塊，並透過加熱與填充材料強化結構穩定性。

業界普遍認為，HBM需求主要來自AI資料中心與高效能運算，但混合鍵合帶來的效能與功耗優勢，未來也可能延伸至消費性產品。不過，在AI需求持續強勁的情況下，HBM晶片價格仍將維持高檔，供應吃緊情況短期內難以緩解。

來源：wccftech