艾司摩爾突破EUV光源技術 2030年前晶片產能可望提升五成

記者黃仁杰／編譯

路透社獨家報導，荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）研究團隊表示，已找到提升極紫外光（EUV）曝光機光源功率的方法，最快在2030年前，單機晶片產出量可提升最多50%，進一步鞏固其在全球市場對美國與中國潛在競爭者的技術領先地位。

艾司摩爾是全球唯一能商業化量產極紫外光微影（EUV）設備的廠商，該設備為晶圓代工與邏輯晶片製造的關鍵核心工具，包括台積電、英特爾等先進晶片製造商，皆仰賴其設備生產高階運算晶片。

艾司摩爾EUV光源首席技術專家Michael Purvis受訪指出，這項突破並非短暫實驗成果，而是可在客戶生產環境下穩定運作的系統。他透露，新系統可在符合既有製程條件下，穩定輸出1,000瓦光源功率，相較目前約600瓦水準大幅提升。

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由於EUV設備對先進晶片製造至關重要，美國歷屆政府均與荷蘭協調，限制相關設備出口至中國，促使中國啟動國家級計畫，自主研發類似設備。同時，美國也出現新創公司投入競爭，例如Substrate與xLight均募得數億美元資金，其中xLight更獲得川普政府支持。

此次技術進展為首度對外揭露。艾司摩爾藉由提升EUV光源至1,000瓦功率，強化設備每小時產能。光源功率越高，晶圓曝光時間越短，意味著每小時可處理更多晶圓，進而降低單顆晶片成本。

在晶片製程中，EUV光會照射在塗有光阻劑的矽晶圓上，原理類似攝影曝光。若光源更強，晶圓廠便能縮短曝光時間，加快生產節奏。

艾司摩爾NXE系列EUV機台執行副總裁Teun van Gogh表示，到本世紀末前，每台設備每小時可處理約330片晶圓，高於目前約220片的水準。依晶片尺寸不同，每片晶圓可切割出數十至上千顆晶片。

為達成這項突破，艾司摩爾持續強化其原本已屬全球最複雜設備之一的光源架構。EUV光波長為13.5奈米，設備透過高速噴射熔融錫滴，再以高功率二氧化碳雷射擊中，使其轉為電漿態並產生極紫外光。

隨著全球先進製程競逐升溫，這項光源功率提升若能順利量產，將有助於晶圓廠進一步壓低成本，同時維持EUV技術在先進製程中的核心地位。

來源：路透社