台積電兩年內將退出 GaN 代工 台美功率半導體版圖重洗牌

記者黃仁杰／編譯

在台積電（TSMC）預告將於2027年前逐步退出GaN（氮化鎵）晶圓代工服務之際，另一家晶圓代工大廠正迅速填補市場空缺。根據《EE Times》報導，GlobalFoundries（GF）正加快GaN技術佈局，相關動作有望讓美國成為新興GaN生產中心。

11月10日，GF宣布與台積電簽署技術授權協議，取得650V與80V GaN製程。650V平台主要用於電源轉換器、馬達驅動及太陽能光伏逆變器，80V則應用於伺服器與筆電的電源系統。《EE Times》指出，台積電自2011年投入GaN-on-Si（氮化鎵矽基）研發，2015年量產，克服外延成長、晶圓翹曲與污染控制等挑戰，並取得JEDEC與軍規認證。外界認為，GF將從技術授權中獲得明顯助益。

Navitas選邊站、轉向GF合作

更引人注目的是，加州GaN晶片公司Navitas Semiconductor在今年7月才宣布與台灣力積電（PSMC）合作開發200mm GaN-on-Si技術，如今又宣布與GF建立新的代工合作。《EE Times》報導，雙方將在2026年展開開發，並於同年底啟動GaN量產。

Navitas的技術突破可追溯至2017年，使用台積電製造的GaNFast電源IC開始量產，為Anker、聯想、小米等品牌提供快充解決方案。TrendForce數據顯示，2024年Navitas在全球GaN功率元件市占達16.5%，僅次於英諾賽科Innoscience（29.9%）。

美國GaN供應鏈雛形浮現

《EE Times》分析，Navitas過去負責台積電GaN晶圓近半產出，如今轉向GF，可能反映美國正在推動GaN供應鏈的在地化布局，擴大本土先進製程能力。GF近年已多次獲得美國政府補助，包括去年新增的950萬美元聯邦資金，以及累積逾8,000萬美元的GaN項目支持。

同時，GF也持續擴張GaN版圖。《EE Times》指出，GF去年收購Tagore Technology的GaN IP資產，加速其布局寬能隙材料市場，並被外界看好能承接台積電部分GaN產能，尤其來自美國GaN晶片設計公司。

在InnoScience等中國晶片廠商快速追趕之際，GaN技術已被美國視為強化半導體供應鏈的戰略重點。GF加大投入GaN產能，顯示美國正積極提升在AI資料中心、電動車與電源管理等先進應用中的本土製造能力。

來源：trendforce