三星大反攻！傳HBM4下月啟動量產 成功打入輝達Rubin供應鏈

記者彭夢竺／編譯

根據外媒《路透社》引述知情人士報導，三星電子（Samsung）計畫於下個月正式啟動次世代高頻寬記憶體「HBM4」的生產，並將開始向AI龍頭輝達（Nvidia）供貨。這項進展象徵著三星在追趕競爭對手SK海力士的競賽中邁出關鍵一步。

市場反應：三星股價應聲大漲 2.2%

受此消息激勵，三星電子週一盤中股價一度上漲2.2%；相對地，目前身為輝達主要供應商的SK海力士股價則下跌2.9%。

根據《韓國經濟日報》（Korea Economic Daily）同日的報導，三星已通過輝達與超微（AMD）的HBM4資格測試。雖然三星發言人對此拒絕評論，輝達也尚未正式回應，但業界普遍認為三星在經歷去年的供應延遲與財報低迷後，已成功重返核心戰場。

SK海力士新廠預計將於下月投產

面對三星的步步進逼，SK海力士也動作頻頻。該公司高層先前透露，計畫下個月將矽晶圓投入位於韓國清州的M15X新廠以生產HBM晶片，但尚未明確說明HBM4是否包含在首批生產名單中。

目前市場對於HBM的需求極度強勁，SK海力士曾於去年10月表示，已完成今年與主要客戶的供應談判，顯示產能早已被各大雲端商預訂一空。

輝達Rubin平台已進入全速生產

輝達執行長黃仁勳於本月初曾透露，公司次世代AI晶片架構「Vera Rubin」平台已進入「全速生產」（Full production）階段。這款預計於今年晚些時候發表的頂尖平台，將配備更高規格的HBM4記憶體，以提供更強大的運算頻寬。

三星與SK海力士預計都將在週四（1/29）發布第四季財報，屆時2家公司可望揭露更多關於HBM4訂單細節與產能規劃。隨著三星正式歸隊，全球AI記憶體市場的市佔爭奪戰將進入新一輪的激戰。

資料來源：路透社