晶片技術重大突破！三星擬導入高頻寬記憶體HBM 打造新一代行動 AI 裝置

記者孟圓琦／編譯

隨著生成式人工智慧（AI）浪潮席捲全球，智慧型手機與平板電腦的「裝置端 AI（On-Device AI）」運算能力已成為科技巨擘的兵家必爭之地。根據南韓媒體《ETNews》的最新報導指出，全球半導體巨頭三星（Samsung）正致力於開發一種獨特的先進封裝技術，旨在將過往多用於伺服器的「高頻寬記憶體（HBM）」引入智慧型手機與平板電腦中，期盼全面釋放行動裝置的 AI 潛能。

傳統的行動裝置動態隨機存取記憶體（DRAM）多採用打線接合（Wire Bonding）技術。然而，其輸出/輸入（I/O）端子數量通常限制在 128 至 256 個之間，若強行提升傳輸效率，恐將面臨嚴重的訊號損耗與散熱瓶頸。為了克服此一空間與功耗的雙重挑戰，三星計畫採用「扇出型面板級封裝（FOWLP）」技術，並結合具有超高長寬比的「垂直銅柱堆疊（VCS）」技術。

更多科技工作請上科技專區：https://techplus.1111.com.tw/
科技社群討論區：https://pei.com.tw/feed/c/tech-plus

據悉，三星已成功將 VCS 封裝中銅柱的長寬比，從現行的 3-5:1 大幅提升至 15:1 甚至 20:1。這種「樓梯式」的 DRAM 晶片堆疊架構，能有效縮減晶片體積並提升傳輸頻寬。不過，當銅柱直徑縮減至 10 微米以下時，極易發生彎曲或斷裂的結構風險。為此，三星藉由 FOWLP 技術將銅線向外延伸，不僅強化了整體的結構完整性，也顯著增加了 I/O 端子數量，讓傳輸頻寬一舉提升高達 30%。

市場人士推測，此項前沿技術有望率先應用於三星未來的旗艦晶片中，例如預計首度搭載自主研發 GPU 的 Exynos 2800，或者是更後續的 Exynos 2900 處理器。與此同時，蘋果（Apple）也傳出有意為旗下的智慧型手機 iPhone 導入 HBM 技術，唯目前尚無法確認其是否會向三星採購；包含華為（Huawei）在內的多家大廠亦正積極評估此技術的可行性。

不過，這場行動裝置的記憶體革命仍面臨務實的考驗。在當前行動 DRAM 價格持續走高的情況下，成本控制將是各大手機品牌廠必須跨越的門檻。業界普遍認為，唯有等到記憶體市場價格趨於穩定，高頻寬記憶體在智慧型手機與平板上的普及化才可能真正實現。在此之前，智慧裝置的 AI 效能升級，可能仍將主要仰賴核心晶片與儲存空間的優化。

延伸閱讀：
川普 T1 手機出貨倒數！撞臉 HTC 舊機、系統落後 競爭力引全網熱議
路癡救星！Google 地圖靠 AI 升級智慧旅伴 出遊規劃免動腦行程一鍵搞定

資料來源：wccftech