英特爾攜手軟銀研發HBM替代品 瞄準AI運算需求

記者孫敬／編譯

半導體大廠英特爾（Intel）近日已與日本軟銀（SoftBank）攜手合作，共同開發高頻寬記憶體（HBM）的替代方案，一種新型堆疊式DRAM技術。據《日經亞洲》報導，兩大產業巨頭已共同成立了Saimemory公司，旨在基於英特爾的技術以及包括東京大學在內的日本學術機構的專利，打造出原型產品，該原型預計將於2027年完成，並同步進行量產可行性評估

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軟銀爭取供應優先權 日本盼重返記憶體供應大國

從現有的市場來看，大多數AI處理器都採用HBM（高頻寬記憶體）晶片，這類晶片非常適合暫時儲存AI繪圖處理器（GPU）處理的大量數據。然而，HBM晶片製造複雜且成本相對高昂 。除此之外，它們也容易快速發熱並需要相對較高的功耗 。英特爾與軟銀的合作，計畫透過堆疊DRAM晶片，並找出更有效率的連接方式。據稱，如果成功，這種堆疊式DRAM晶片的功耗將比同級的HBM晶片減少一半 。

如果研發成功，軟銀已表示希望擁有這些新型晶片的優先供應權 。目前，全球僅有三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）三家公司生產最新的HBM晶片 。由於AI晶片需求永無止境，HBM供應吃緊已成常態 ，因此Saimemory的目標是透過其HBM替代方案，至少在日本資料中心市場中搶占先機 。

值得注意的是，這也將是日本在逾20年來首次旨在成為主要的記憶體晶片供應商 。在1980年代，日本企業曾主導記憶體市場，當時其產量佔全球供應量的約70% 。然而，隨著韓國和台灣競爭對手的崛起，許多日本記憶體晶片製造商被迫退出市場 。此次英特爾與軟銀的合作，顯示日本正積極尋求在日益重要的半導體記憶體領域重獲一席之地。

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