美光1γ製程報捷!首批LPDDR5X記憶體送樣 DRAM技術邁入新里程碑
記者孫敬/編譯
記憶體大廠美光(Micron)本週在投資人與財經分析師電話會議上宣布,已開始向客戶送樣其首批採用全新1γ(1-gamma)製程技術生產的LPDDR5X晶片。這項新製程導入了極紫外光(EUV)微影技術,不僅預期將帶來更高的效能效率,更重要的是,它標誌著美光已正式開始使用EUV微影技術生產DRAM晶片,此為其DRAM製造上的重要里程碑。
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1γ製程帶來顯著提升:功耗更低、效能更強,並擴展全產品線
美光執行長桑賈伊(Sanjay Mehrotra)表示:「我們在1γ DRAM製程節點上取得了卓越的進展,其良率提升速度超越了我們在1β(1-beta)節點上創下的紀錄。」他進一步指出,本季度公司已完成了數個關鍵產品的里程碑,其中包括首批基於1γ製程的LP5 DRAM合格樣品出貨。
美光的1γ製程技術是該公司第6代10奈米級生產節點,與前一代1β製程技術相比DRAM功耗降低20%,同時提升15%的效能。此外,這項技術還將位元密度提高了30%,這是一項非常顯著的改進。一旦新DRAM晶片的良率達到與1β DRAM裝置相似的水準,這項技術有望轉化為相當程度的生產成本降低。
值得注意的是,美光基於1γ的LPDDR5X晶片並非該公司首款採用此技術的記憶體產品。今年稍早,美光已推出更高效能和更低功耗的16Gb DDR5-9200晶片。然而,美光本週並未提供這些DRAM晶片送樣進度的最新資訊。未來,美光預計將其第6代10奈米級DRAM製程節點應用於其全部記憶體產品組合,包括DDR5、LPDDR5X(現在可支援高達10.7 GT/s)、GDDR7,以及針對資料中心優化的產品。桑賈伊強調:「我們將在整個DRAM產品組合中利用1γ技術,從這項領先技術中受益。」
美光是最後一家採用EUV微影技術進行1γ製造的主要DRAM製造商。儘管美光尚未透露有多少層是透過EUV技術生產,但預計會將EUV保留給那些若不使用EUV將需要耗時多重圖案化(multi-patterning)的最複雜層。1γ製程仍結合了EUV與傳統的深紫外光(DUV)多重圖案化,同時引入了升級的高介電常數金屬閘極(high-k metal gate)和重新設計的後段製程(BEOL)電路。美光目前正在日本生產1γ DRAM,其首台EUV設備已於2024年投入使用,並計劃在日本和台灣擴大EUV產能。
資料來源:Tom’s Hardware
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