AI記憶體競賽關鍵戰！三星4奈米HBM4邏輯晶片良率衝破90%

記者孫敬／編譯

三星電子（Samsung Electronics）正為第六代HBM（HBM4）進入最終品質驗證階段，晶圓代工部門（Foundry）近期4奈米製程良率已穩定突破90%。

根據產業消息人士20日的說法，超過90%的良率意味著每生產十個邏輯晶片中，就有超過九個是合格產品，技術穩定性已適合量產。隨著三星記憶體部門為供應給輝達（NVIDIA）和超微（AMD）等客戶而積極量產HBM4樣品，代工部門據報已將4奈米產線約一半的產能投入邏輯晶片生產並計畫運營。

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邏輯晶片地位躍升，代工製程成致勝關鍵

HBM是由多層DRAM堆疊而成，最底層的邏輯晶片是核心控制單元，它負責連接堆疊的DRAM與AI晶片的繪圖處理器（GPU），並管控電源供應和數據訊號。外媒報導，三星主要佈局在自家晶圓代工部門，採用4奈米製程來製造HBM4邏輯晶片；SK海力士主要採用台積電的12奈米製程；美光（Micron）則使用自家最先進的12奈米級DRAM製程，製程越精細，半導體效能越高、功耗表現越佳。由於每一代HBM都要求更高的性能，且散熱問題日趨嚴峻，因此將先進製程應用於HBM核心的邏輯晶片，已成為HBM4世代的產業趨勢。

一位業界官員透露，三星代工部門的4奈米製程已足夠成熟，整體製程良率已超過八成。邏輯晶片的良率在今年初試產階段就已超過四成。鑑於記憶體部門將HBM4視為命運所繫，負責製造HBM4核心邏輯晶片的代工部門，正提供全面的支持。

4奈米良率達陣，加速進入客製化HBM時代

三星晶圓代工部門穩定的良率提振了士氣，因為客製化HBM（Custom HBM）時代有望從第七代HBM（HBM4E）開始蓬勃發展。業界預計從HBM4E開始，客戶所需的AI半導體應用最佳化的HBM也將興起。為了實現客製化，記憶體製造商不僅需要能根據客戶需求在邏輯晶片上設計電路，更仰賴晶圓代工廠具備足夠的製程能力來生產這些設計，以滿足多樣化的市場需求。

一位業界官員解釋，三星電子搶先競爭對手，對HBM4邏輯晶片應用更精細的製程，以彌補前幾代產品的低迷。雖然產品仍待市場驗證，對即將到來的次世代HBM市場中，晶圓代工的製程技術重要性將被大幅凸顯。

資料來源：朝鮮日報