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SK海力士計劃持續投資103兆韓元,加速HBM市場競爭

南韓 SK 海力士近日宣布,打算到 2028 年投資 103 兆韓元 (約 2.4 台幣),其中 80% 將用於高頻寬記憶體(HBM) 的研發和生產,三星跟美光(MU-US) 隨後也表示將加大對 HBM 的投資,尤其是三星打算將 2026 年 HBM 出貨量,達到去年產量的 13.8 倍,到 2028 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。

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專利戰再升級!EPC指控英諾賽科侵權,ITC最新裁定結果出爐

美國國際貿易委員會 (ITC) 最新裁定,中國英諾賽科及其子公司英諾賽科美國公司 (Innoscience America) 侵犯氮化鎵 (GaN) 技術廠商宜普電源轉換公司 (EPC) 其中一項專利,並認定 EPC 兩項專利有效。EPC 去年 5 月向美國聯邦法院跟 ITC 提起訴訟,主張四項專利受到英諾賽科及其子公司侵犯。這些專利涵蓋了 EPC 專有的增強型 GaN 功率半導體器件設計和大批製造工藝的核心技術方面。

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