追趕台積電！日本Rapidus衝刺先進製程 1.4奈米廠2027年動工

記者彭夢竺／編譯

隨著半導體製程不斷推進，台積電預計在2028年下半年跨越2奈米門檻，投入1.4奈米晶圓生產，並傳出將為4座新晶圓廠投入490億美元的巨額初期投資。緊追在後的是日本新創公司Rapidus，據報導，該公司計劃在2027年開始建設相同製程節點的1.4奈米晶圓製造設施，並規劃在同一地點進行1奈米晶片的研發，儘管這將是較晚期的目標。

政府與大廠強力注資 助Rapidus衝刺先進製程

根據《日經亞洲》報導，Rapidus預計將在日本第二大島北海道，啟動1.4奈米設施的建設工作。該公司正緊密跟隨台積電的步伐，目標在2026年左右開始進行下一代節點的研發。

Rapidus的宏偉目標需要近乎無上限的資金支持，幸運的是，日本政府已全力支持，同時索尼（Sony）、豐田（Toyota）等多家產業巨頭也大量投資，以協助Rapidus實現其目標。該公司已獲得政府和企業承諾提供100億美元（約1.7兆日圓）的資金。

2奈米尚未量產 Mass Production是最大障礙

儘管Rapidus獲得大量資金，但它仍面臨所有致力於大規模生產2奈米及以下晶圓的公司都必須面對的「良率」問題。雖然最新報告未提及具體良率數字，但可以預期，良率將是這家半導體製造商面臨的最大障礙。

Rapidus尚未開始2奈米晶圓的實際量產，但目標是從2027年開始全面規模化製造。

今年稍早曾有報導指出，Rapidus取得了雖小但值得注意的里程碑，據稱已開始試產2奈米GAA（環繞式閘極）製程。

在先進製程領域，雖然台積電將成為Rapidus最強勁的競爭對手，但三星（Samsung）也正緩慢爬升。據報導，這家韓國巨頭已於今年三月安裝了ASML製造、1.4奈米晶片生產所必需的高數值孔徑EUV（High-NA EUV）機台。

資料來源：wccftech