台積電亞利桑那廠區內部曝光 EUV機台打造輝達Blackwell晶片
記者孫敬/編譯
台積電近期釋出了一段亞利桑那州鳳凰城的Fab 21廠區影片,影片中展示了數百台高科技設備,有條不紊地為多家美國公司製造晶片,其中最引人注目的無疑是艾司摩爾(ASML)的Twinscan NXE極紫外光(EUV)微影設備,這些機台正是製造輝達Blackwell B300處理器等最複雜電路的關鍵核心。
延伸閱讀:美光證實退出中國伺服器市場 聚焦海外AI需求填補營收缺口

台積電罕見公開廠房內的作業流程
這段影片深入瞭解Fab 21第一階段工程,該廠區正逐步提升N4和N5製程技術(4奈米和5奈米等級)的產量。鏡頭帶領觀眾穿越一座座黃光無塵室,透過黃色濾光片過濾短波長光線,防止光阻材料意外曝光。
影片的開場展現台積電著名的銀色高速公路 ,即自動化物料搬送系統(AMHS),由高架軌道組成,運送著搭載300mm晶圓的FOUP傳送盒。數百個前開式晶圓傳送盒(FOUP)傳送盒在軌道上運行,反映在高效能製造(HVM)環境中,維持週期時間所必需的嚴謹物流管理。
魏哲家透露台積電將加速升級N2製程
影片的核心聚焦ASML的EUV掃描機(很可能是Twinscan NXE:3600D),以類似於電影《奧本海默》的風格,描繪了在晶圓列印電路圖案的過程。EUV微影技術利用雷射產生的電漿,從錫液滴中發出波長13.5奈米的極紫外光,在腔室中可見到紫色電漿點燃的畫面。光線隨後照射到晶圓上,為當前製程節點單次曝光,即可創建解析度低至約13奈米半間距的複雜圖案。
影片同時展示EUV技術的挑戰,例如疊對準確度必須控制在數奈米內(NXE:3600D的要求為1.1奈米),以及傳統光學元件無法用於EUV光線,需要使用反射鏡等問題。雖然影片並未展示晶圓載物台和光罩護膜等細節,但EUV關鍵設備已確實導入台積電Fab 21廠。目前,Fab 21第一階段主要為蘋果、超微(AMD)和輝達等(NVIDIA)公司提供N4和N5製程晶片。
I like how $TSM posted a video about its new Arizona Fab, where they explain how chips are made using EUV equipment from $ASML, and they even include small clips provided by $ASML.
"to be able to do this is incredibly difficult. We are using extreme ultraviolet technologies… pic.twitter.com/0iUqR13Z8J
— Bourbon Capital (@BourbonCap) September 7, 2025
台積電董事長魏哲家上週向分析師與投資人透露,由於客戶對AI相關需求強勁,台積電正準備在亞利桑那州加速升級技術至N2及更先進的製程,涵蓋目前正在建造中的Fab 21第二階段,該廠區原計劃生產N3製程,現在將擁有生產N3和N2系列製程晶片的能力,而這原是為第三階段所規劃的。
魏哲家進一步指出,公司即將取得附近第二塊大型土地,以支持目前的擴建計畫,並為未來幾年強勁的AI相關需求提供更大的靈活性。台積電目標在亞利桑那州擴大成為一個獨立的超大晶圓廠(Gigafab)聚落,以支持智慧型手機、AI 和高效能運算等領域領先客戶的需求。按照台積電的定義,月產能超過 10 萬片晶圓的廠區即稱為超大晶圓廠。
資料來源:Tom’s Hardware