中國半導體產業急起直追 產能占全球一成、拚2030自主自足

記者黃仁杰／編譯

中國半導體產業正快速擴張，縮小產能與市占差距。根據外媒分析，中國晶片產能占全球比重已達 10%，在國家補貼與供應鏈投資推動下，預計 2027 至 2028 年間有望達成製造自給自足，雖仍落後台韓兩到三年技術差距，但規模與速度已令國際關注。

從「電子代工王國」到晶片追趕者

自 2001 年加入 WTO 以來，中國已躍升為全球電子產品製造重鎮，2010 年代初期便轉為貿易順差國。不過，晶片消耗長期高於自製能力——截至 2019 年，中國半導體消費量占全球約三成，但自產率僅約一成。

美中貿易戰後，美國對中國企業（如華為）實施先進晶片與設備出口管制，中國遂加速建立封測、晶圓代工與材料供應體系。到 2023 年，中國對全球半導體製造設備需求已占 30% 以上，成為拉動全球設備市場的主力。

產能超前、營收仍落後 自主之路進展不均

截至 2024 年，中國晶片製造產能已超過國內需求的 112%，預計到 2030 年將達 150%。

但若以企業營收衡量，差距仍大：中國業者僅能滿足 35% 國內需求、22% 區域銷售，到 2030 年預估分別提升至約 70% 與 50%。這顯示產能擴張雖迅猛，但全球競爭力與品牌價值仍需時間追趕。

整體而言，中國晶片設計與製造企業營收預計以 年複合成長率 15.7% 成長，2030 年上看 1,000 億美元。在封測、代工與設備領域，中國廠商的市占率將明顯提升，國家資金與市場規模形成推進力，但國際競爭力仍取決於技術創新與良率提升。

技術仍落後台韓兩到三年 EUV成關鍵瓶頸

雖然中國在產能上即將達到自給，但在製程技術仍落後台積電與三星約兩至三年。

目前中國晶片多採「大晶粒、多晶片堆疊」的替代設計，以彌補較低的電晶體密度，並持續在成熟製程大量擴產。能否在 極紫外光（EUV）微影技術 上取得突破，將決定其能否邁入全球領先行列。

分析指出，中國晶片業正處於「規模擴張」與「創新轉型」的十字路口。現階段的策略仍以複製與優化為主，真正的技術創新時代，可能要等到2030年之後才會展開。

來源：yolegroup