記憶體商機大爆發！三星、SK海力士、美光啟動DDR6研發 2028年商用化

記者彭夢竺／編譯

隨著AI產業對高速、高容量記憶體的需求日益激增，全球三大DRAM製造商三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）已正式展開次世代DDR6記憶體的研發競賽。根據業界消息，DDR6研發計畫已進入全力衝刺階段，目標是在2028年至2029年間實現商用化。

研發先行！載板廠商共同開發DDR6關鍵技術

根據韓媒《The Elec》報導，記憶體大廠已要求載板供應商配合提前開發DDR6相關載板技術。

載板產業人士指出，記憶體業者與載板廠通常會在產品正式上市前2年多進行聯合開發，而DDR6的初步研發工作近期已正式啟動，這意味著3大記憶體巨頭正試圖搶先卡位，爭奪未來AI數據中心的標準化主導權。

更多科技工作請上科技專區：https://techplus.1111.com.tw/
科技社群討論區：https://pei.com.tw/feed/c/tech-plus

DDR5普及率將衝90% 2027年記憶體缺貨更嚴峻

目前伺服器記憶體市場仍以DDR5為主，其市佔率已超過80%，預計今年底前將達到90%。然而，面對AI需求的無止境擴張，現有產能已難以應付。

三星與美光均公開警告，記憶體供應短缺的情況將持續數年，且預估2027年的缺貨情況將比2026年更為嚴重，這也促使各大廠加速轉向更具效能優勢的DDR6標準。

效能倍增！DDR6最高速上看17.6Gbps並維持低電壓

相較於現有的DDR5技術，DDR6將帶來翻倍的性能表現，初始傳輸速度預計從8.4Gbps起跳，隨著製程技術成熟，最高速可望達到17.6Gbps。

在兼顧高效能的同時，DDR6也將維持低功耗運行，預計LPDDR6標準的電壓將低於1.0V。先前JEDEC已預覽次世代LPDDR6 SOCAMM2記憶體，具備512GB超大容量且設計輕巧節能，為未來伺服器設計提供新方向。

商用時程表：2028年瞄準AI數據中心 隨後進消費市場

根據目前的開發進度，DDR6預計將於2028年至2029年間率先應用於AI數據中心，以滿足大規模語言模型與高速運算的龐大負荷。至於一般消費者，則預計在數據中心需求獲得初步滿足後的1至2年，才能在消費級PC或行動裝置上體驗到DDR6帶來的效能飛躍。

記憶體規格競速 成為AI軍備競賽下半場決勝關鍵

在AI廠商不侷限於單一供應商的情況下，三星、SK海力士與美光正全力拚搏，希望自家的DDR6設計能成為未來AI伺服器的首選方案，這場攸關算力與傳輸瓶頸的記憶體大戰，將直接決定下一個10年全球AI基礎設施的運作效率。

資料來源：wccftech