美光推256G DDR5記憶體模組 速度衝上9200MT/s

記者黃仁杰/編譯

美光(Micron)宣布,已向主要伺服器生態系夥伴送樣全新256GB DDR5 Registered DIMM(RDIMM)記憶體模組,鎖定AI資料中心與高效能運算(HPC)市場。新產品採用美光最新1-gamma DRAM製程,傳輸速度最高可達9,200 MT/s,較目前市場量產中的主流模組快超過40%。

Micron DDR5 RDIMM 256 GB 9200 MTps
美光全新256GB DDR5 Registered DIMM記憶體模組,鎖定AI資料中心與高效能運算(HPC)市場。(圖/美光提供)

美光表示,這款256GB DDR5 RDIMM採用先進封裝技術,包括3D堆疊與矽穿孔技術(Through-Silicon Via,TSV),透過多顆記憶體晶粒整合,進一步提升容量、頻寬與能源效率。

在功耗方面,美光指出,單條256GB模組相較於兩條128GB模組,運作功耗可降低超過40%,對需要大規模部署大型語言模型(LLM)、代理型AI與即時推論系統的資料中心而言,可進一步提升能源效率。

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美光表示,目前正與多家伺服器生態系合作夥伴進行平台驗證,涵蓋現行與下一代伺服器平台,希望加快產品導入時程,協助客戶建置大規模AI與高效能運算基礎設施。

美光指出,隨著大型語言模型、高核心數CPU與即時AI推論應用快速成長,企業伺服器對更高容量、更高頻寬與更佳能源效率的需求正快速攀升,而新一代256GB DDR5 RDIMM正是為滿足這類需求而設計。

目前,美光1-gamma製程的256GB DDR5 RDIMM已開始向主要伺服器生態系夥伴送樣,進行平台驗證。

來源:wccftech

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