工研院與台積電合作開發SOT-MRAM元件 搶攻高速運算領域商機

記者鄧君/新竹報導

經濟部補助工研院與台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)陣列晶片搭配創新的運算架構,適用於記憶體內運算,且功耗僅為STT-MRAM的百分之一,成果領先國際,並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」(International Electron Devices Meeting;IEDM)共同發表論文,展現次世代記憶體技術的研發能量,維持臺灣半導體在全球產業不可或缺的地位。

工研院與台積電合作,雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體,陣列晶片搭配創新的運算架構,適用於記憶體內運算,且功耗僅為STT-MRAM的百分之一,成果領先國際。(圖/工研院提供)

經濟部產業技術司表示,隨著 AI 人工智慧、5G與AIoT時代的來臨,需要快速處理大量資料,因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要的關鍵。經濟部支持產業與相關法人建立深厚的前瞻記憶體研發能量,期待技術成果可以逐步在產業落實。這次藉由工研院與台積電雙方共同合作,強強聯手,發表重要研發成果,來引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群,維持臺灣半導體的國際競爭優勢。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出,工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」(Symposium on VLSI Technology and Circuits)共同發表論文之後,今年更開發出兼具低功耗、10奈秒(nanoseconds;ns)高速工作等優點之SOT-MRAM單元,並結合電路設計完成記憶體內運算技術,進一步提升運算效能,跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境,雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。未來此技術可應用於高效能運算(High Performance Computing;HPC)、AI人工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用,擘畫《2035技術策略與藍圖》作為研發方向,在「智慧化致能技術」應用領域,研究發展非揮發性記憶體創新技術,期望開拓新記憶體市場的新星,協助國內產業界,發展高價值的技術與產品。

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