重返榮耀！三星搶先量產HBM4記憶體 AI算力再加速狠甩對手

記者孟圓琦／編譯

南韓科技巨頭三星電子（Samsung Electronics）今日正式宣布，已成為全球首家開始量產第六代高頻寬記憶體（HBM4）的公司。這項舉止不僅代表三星在 AI 加速器關鍵組件的研發上取得重大突破，更象徵其在歷經去年落後於美光（Micron）與 SK 海力士（SK hynix）的挑戰後，成功重奪產業技術領導地位。

三星指出，新款 HBM4 晶片採用業界最先進的 1c DRAM（10 奈米級第六代）技術開發，並結合 4 奈米製程進行生產，大幅提升了效能與電力效率。目前三星已成功掌握穩定的生產良率，確保能滿足市場對高效能 AI 運算的迫切需求。

在性能參數方面，三星 HBM4 的傳輸速率高達 11.7Gbps，較 JEDEC 產業標準（8Gbps）高出約 46%，與自家前代產品 HBM3E 相比也提升了 22%。以單一堆疊計算，其總記憶體頻寬可達每秒 3.3TB，已超越主要客戶原先設定的 3TB 標準。目前三星已開始向客戶供應 24GB 至 36GB 容量的晶片，並計畫後續推出高達 48GB 的 16 層堆疊版本。

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三星電子記憶體開發副總裁黃尚俊（Hwang Sang-joon）表示，HBM4 的成功量產突破了以往依賴成熟製程的慣例，藉由導入 1c DRAM 與 4 奈米晶圓代工製程，為性能擴張預留了充足空間，能及時回應客戶日益增長的運算需求。

展望未來，三星已規劃於 2026 年下半年推出增強型 HBM4E 晶片，並預計在 2027 年進一步發展客製化 HBM 解決方案，以鞏固其在人工智慧半導體市場的佔有率。

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資料來源：sammobile